一种用于微纳器件制作的样品处理装置及处理工艺的制作方法_2

文档序号:8432208阅读:来源:国知局
来的烘干操作。
[0060]本发明还提供一种微纳器件制作的样品显影、润洗工艺,包括如下步骤:
[0061]I)准备好已进行了紫外光刻的2cmX2cm的微纳器件样品;
[0062]2)将用于样品显影和润洗的烧杯及其他装置用去离子水在超声装置中清洗4遍,再将已进行了紫外光刻的样品装载于所述洗显装置I后,再置于已清洗的用于显影的烧杯中;
[0063]3)向用于显影的烧杯中注入适量RD 6显影液(显影液没过基板少许),持续浸泡50秒,在浸泡过程中控制所述洗显装置的提杆,使其上下左右晃动,从而可使样品与试剂充分接触,然后将显影液倒入回收瓶;
[0064]4)将装载有样品的所述洗显装置I转移至用于润洗的烧杯中,并注入适量去离子水,持续浸泡30秒,在浸泡过程中控制所述洗显装置的提杆,使其上下左右晃动,从而可使样品与去离子水充分接触,然后将去离子水倒入回收瓶;
[0065]5)将上述各烧杯用去离子水在超声装置中清洗4遍;
[0066]6)将已显影、润洗的样品转移平放于所述甩干装置2上,在外部动力的带动下将样品甩干,以便于接下来的烘干操作。
[0067]实施例2,见图4至图5所示:
[0068]本发明提供一种用于微纳器件制作的样品处理装置,包括由铁氟龙制作的洗显装置I与甩干装置2,所述洗显装置I包括底盘11、通过螺丝固定在所述底盘上的提杆12,所述提杆12固定于所述底盘11的边缘处,所述底盘11上设有若干矩形凹槽13与圆形通孔14,所述圆形通孔14从所述底盘11底面贯穿至所述矩形凹槽13底部;所述甩干装置2中间设有凹槽21、周围设有镂空的齿状边缘22。
[0069]优选地,所述矩形凹槽13的宽小于所述圆形通孔14的直径。
[0070]优选地,所述提杆12为可拆卸式提杆,下部设有螺纹。
[0071]本发明还提供一种微纳器件制作的样品清洗工艺,包括如下步骤:
[0072]I)将硅基板切成边长为1.5cmX 2cm的长方形;
[0073]2)将清洗基板的玻璃烧杯及其他装置用去离子水在超声装置中清洗4遍,再将已切好的基板装载于所述洗显装置I中,然后置于已清洗的玻璃烧杯中;
[0074]3)向玻璃烧杯中注入适量乙醇(以没过基板为宜),置于超声装置中清洗I分钟,之后将乙醇倒入回收瓶,如此重复用乙醇清洗4遍;
[0075]4)向玻璃烧杯中注入适量水,置于超声装置中清洗I分钟,然后将水倒掉,如此重复4遍;
[0076]5)向玻璃烧杯中先注入适量双氧水,再注入适量浓硫酸,确保双氧水与浓硫酸之比为1:2 ( 二者之和没过基板少许),持续浸泡30分钟,然后将液体倒入回收瓶;
[0077]6)向玻璃烧杯中注入适量去离子水,再将其倒入硫酸的废液回收瓶中,然后再用去离子水清洗4遍;
[0078]7)向玻璃烧杯中先注入适量水,再先后注入适量双氧水与氨水,确保水、双氧水、氨水之比为6:1:1 (三者之和没过基板少许),然后置于260摄氏度热台上加热,待有气泡产生时开始计时,15分钟后取下烧杯,将废液回收;
[0079]8)将玻璃烧杯及基板用去离子水在超声装置中清洗4遍;
[0080]9)向玻璃烧杯中注入适量水,再注入适量双氧水,最后注入适量浓盐酸,确保双氧水与浓盐酸之比为I: I (确保三者之和能没过基板少许),然后置于260摄氏度热台上加热,待有气泡产生时开始计时,15分钟后取下烧杯,将废液回收;
[0081]10)将上述玻璃烧杯及样品用去离子水在超声装置清洗4遍;
[0082]11)将铁氟龙烧杯用去离子水清洗4遍,再将基板转移到铁氟龙烧杯中,向其中注入浓度为1%的氢氟酸,15-20秒后,将基板取出,将氢氟酸倒入回收瓶;然后用去离子水润洗铁氟龙烧杯和基板3次,每次的润洗液倒入氢氟酸回收瓶中;再用去离子水在超声装置中清洗铁氟龙烧杯4遍;
[0083]12)将铁氟龙烧杯中的基板转入玻璃烧杯中,用去离子水在超声装置中清洗4遍;
[0084]13)将基板平放在用于所述甩干装置2上,在外部动力的带动下将基板甩干,以便于接下来的烘干操作。
[0085]本发明还提供一种微纳器件制作的样品显影、润洗工艺,包括如下步骤:
[0086]I)准备好已进行了紫外光刻的1.5cmX2cm的微纳器件样品;
[0087]2)将用于样品显影和润洗的烧杯及其他装置用去离子水在超声装置中清洗4遍,再将已进行了紫外光刻的样品装载于所述洗显装置I后,再置于已清洗的用于显影的烧杯中;
[0088]3)向用于显影的烧杯中注入适量RD 6显影液(显影液没过基板少许),持续浸泡50秒,在浸泡过程中控制所述洗显装置的提杆,使其上下左右晃动,从而可使样品与试剂充分接触,然后将显影液倒入回收瓶;
[0089]4)将装载有样品的所述洗显装置I转移至用于润洗的烧杯中,并注入适量去离子水,持续浸泡30秒,在浸泡过程中控制所述洗显装置的提杆,使其上下左右晃动,从而可使样品与去离子水充分接触,然后将去离子水倒入回收瓶;
[0090]5)将上述各烧杯用去离子水在超声装置中清洗4遍;
[0091]6)将已显影、润洗的样品转移平放于所述甩干装置2上,在外部动力的带动下将样品甩干,以便于接下来的烘干操作。
[0092]以上实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案,尽管上述实施例对本发明进行了详细说明,本领域的相关技术人员应当理解:可以对本发明进行修改或者同等替换,但不脱离本发明精神和范围的任何修改和局部替换均应涵盖在本发明的权利要求范围内。
【主权项】
1.一种用于微纳器件制作的样品处理装置,其特征在于,包括由铁氟龙制作的洗显装置与甩干装置,所述洗显装置包括底盘、通过螺丝固定在所述底盘上的提杆,所述底盘上设有若干矩形凹槽与圆形通孔,所述圆形通孔从所述底盘底面贯穿至所述矩形凹槽底部;所述甩干装置中间设有凹槽、周围设有镂空的齿状边缘。
2.根据权利要求1所述的用于微纳器件制作的样品处理装置,其特征在于,所述矩形凹槽的宽小于所述圆形通孔的直径。
3.根据权利要求1所述的用于微纳器件制作的样品处理装置,其特征在于,所述提杆为可拆卸式提杆,下部设有螺纹。
4.一种微纳器件制作的样品清洗工艺,其特征在于,包括如下步骤: 1)将基板切成小块; 2)将清洗基板的玻璃烧杯及其他装置用去离子水在超声装置中清洗4遍,再将已切好的基板装载于所述洗显装置中,然后置于已清洗的玻璃烧杯中; 3)向玻璃烧杯中注入适量乙醇,置于超声装置中清洗I分钟,之后将乙醇倒入回收瓶,如此重复用乙醇清洗4遍; 4)向玻璃烧杯中注入适量水,置于超声装置中清洗I分钟,然后将水倒掉,如此重复4遍; 5)向玻璃烧杯中先注入适量双氧水,再注入适量浓硫酸,确保双氧水与浓硫酸之比为1:2,持续浸泡30分钟,然后将液体倒入回收瓶; 6)向玻璃烧杯中注入适量去离子水,再将其倒入硫酸的废液回收瓶中,然后再用去离子水清洗4遍; 7)向玻璃烧杯中先注入适量水,再先后注入适量双氧水与氨水,确保水、双氧水、氨水之比为6:1: 1,然后置于260摄氏度热台上加热,待有气泡产生时开始计时,15分钟后取下烧杯,将废液回收; 8)将玻璃烧杯及基板用去离子水在超声装置中清洗4遍; 9)向玻璃烧杯中注入适量水,再注入适量双氧水,最后注入适量浓盐酸,确保双氧水与浓盐酸之比为1:1,然后置于260摄氏度热台上加热,待有气泡产生时开始计时,15分钟后取下烧杯,将废液回收; 10)将上述玻璃烧杯及样品用去离子水在超声装置清洗4遍; 11)将铁氟龙烧杯用去离子水清洗4遍,再将基板转移到铁氟龙烧杯中,向其中注入浓度为1%的氢氟酸,15-20秒后,将基板取出,将氢氟酸倒入回收瓶;然后用去离子水润洗铁氟龙烧杯和基板3次,每次的润洗液倒入氢氟酸回收瓶中;再用去离子水在超声装置中清洗铁氟龙烧杯4遍; 12)将铁氟龙烧杯中的基板转入玻璃烧杯中,用去离子水在超声装置中清洗4遍; 13)将基板平放在用于所述甩干装置上,在外部动力的带动下将基板甩干,以便于接下来的烘干操作。
5.一种微纳器件制作的样品显影、润洗工艺,其特征在于,包括如下步骤: 1)准备好已进行了紫外光刻的微纳器件样品; 2)将用于样品显影和润洗的烧杯及其他装置用去离子水在超声装置中清洗4遍,再将已进行了紫外光刻的样品装载于所述洗显装置后,再置于已清洗的用于显影的烧杯中; 3)向用于显影的烧杯中注入适量显影液,持续浸泡50秒,在浸泡过程中控制所述洗显装置的提杆,使其上下左右晃动,从而可使样品与试剂充分接触,然后将显影液倒入回收瓶; 4)将装载有样品的所述洗显装置转移至用于润洗的烧杯中,并注入适量去离子水,持续浸泡30秒,在浸泡过程中控制所述洗显装置的提杆,使其上下左右晃动,从而可使样品与去离子水充分接触,然后将去离子水倒入回收瓶; 5)将上述各烧杯用去离子水在超声装置中清洗4遍; 6)将已显影、润洗的样品转移平放于所述甩干装置上,在外部动力的带动下将样品甩干,以便于接下来的烘干操作。
【专利摘要】本发明提供一种用于微纳器件制作的样品处理装置,包括由铁氟龙制作的洗显装置与甩干装置,所述洗显装置包括底盘、通过螺丝固定在所述底盘上的提杆,所述底盘上设有若干矩形凹槽与圆形通孔,所述圆形通孔从所述底盘底面贯穿至所述矩形凹槽底部;所述甩干装置中间设有凹槽、周围设有镂空的齿状边缘;还提供了一种用于微纳器件制作的样品清洗、显影、润洗的处理工艺。本发明的样品处理装置,用于样品清洗、显影、润洗与甩干过程盛放微纳器件,使样品能得到稳定可靠的清洗与甩干;本发明的样品处理工艺,可显著提高样品清洗、显影、润洗的效率,缩短微纳器件制作周期。
【IPC分类】H01L21-67, H01L21-02
【公开号】CN104752282
【申请号】CN201510089590
【发明人】何亮, 麦立强, 宋培帅, 王旭坤, 尹聪, 杨枭
【申请人】武汉理工大学
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年2月27日
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