一种阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不装置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是一种主要的平板显示装置(Flat Panel Display，简称为FPD)。
[0003]图1为现有的阵列基板结构示意图，如图1所示，现有技术中的TFT-LCD阵列基板中包括阵列区域1、PAD区域2和检测区域3，具体地，阵列区域是阵列基板的工作区域，具有栅线、数据线及公共电极线等信号线、像素电极、公共电极及薄膜晶体管(TFT)等组件，通过这些组件形成驱动液晶的电场。PAD区域为压接区域，是经切割及研磨工艺之后，将阵列基板的信号线与外部的驱动电路板(例如，覆晶薄膜(Chip On Flex, or, Chip On Film,COF))的引线进行压接的区域。PAD区域一般只设有信号线，而不需要像素电极和TFT等组件。PAD区域位于阵列基板的4个边中的其中一个或相邻的两个边上。为了将外部的驱动电路板的引线和阵列基板的信号线电连接，PAD区域的信号线上方必须没有绝缘层(栅绝缘层或钝化层等)覆盖。检测区域是形成于阵列基板最外围的一个区域，具有信号线，此处的信号线由于用于阵列基板的测试后被切割掉，因此，此区域称之为检测区域。
[0004]如图1所示，现有的阵列基板的结构包括:透明基板10、栅线11、栅绝缘层12、钝化层13及导电层14。透明基板10上设置有栅线11，栅绝缘层12和钝化层13依次覆盖在栅线11上；栅绝缘层12和钝化层13相同的位置上形成有连接孔，用于将导电层14与栅线11电连接，使得能够将外部驱动电路板的信号传输至栅线11。导电层14通常采用ITO或IZO等材料形成，其原因为在通过ITO或IZO等材料通过构图工艺形成像素电极或公共电极时，同时构图出导电层14的图形，以便于简化制造工艺。
[0005]图1中切割线4表示阵列基板测试完毕之后，切割并研磨的位置。之后，在阵列基板上安装外部的驱动电路板(例如C0F)，制造阵列基板的信号线，特别是数据线通常采用铜、铝等金属或其合金制作。尤其是，制造大屏幕TV或宽屏液晶显示器的阵列基板时，为了保障其显示性能，数据线的电阻必须满足要求，不能过高，但是这种采用铜、铝等金属或合金制造的阵列基板存在易被腐蚀的缺陷，具体而言，易从检测区域的数据线暴露的地方受到腐蚀，这种腐蚀现象在对阵列基板进行测试的高温高湿环境尤为严重。甚至可以从检测区域腐蚀到阵列区域。导致在测试时显示为正常的阵列基板，在组装完成之后出现工作异常或无法工作的现象，严重影响产品的成品率。
【发明内容】
[0006]本发明实施例提供了一种阵列基板，用以防止阵列基板的PAD区域内的数据线被腐蚀，进而提尚广品的成品率。
[0007]本发明实施例提供的一种阵列基板，包括阵列区域、PAD区域和检测区域，所述阵列基板中的至少一条数据线上具有薄膜晶体管TFT结构，所述PAD区域中的数据线与所述检测区域中的数据线之间存在沟道，当对所述检测区域施加检测信号时，所述PAD区域中的数据线与所述检测区域中的数据线通过所述TFT导通。
[0008]本发明实施例提供的所述阵列基板中的至少一条数据线上具有薄膜晶体管TFT结构，所述PAD区域中的数据线与所述检测区域中的数据线之间存在沟道，当对所述检测区域施加检测信号时，所述PAD区域中的数据线与所述检测区域中的数据线通过所述TFT导通，从而当检测区域被切割后，由于PAD区域中的数据线与所述检测区域中的数据线之间存在沟道，从而检测区域中的数据线被腐蚀不会影响到PAD区域中的数据线，从而可以避免PAD区域中的数据线被腐蚀。而在切割前，由于PAD区域中的数据线与检测区域中的数据线可以通过TFT导通，所以又不影响阵列基板的检测。
[0009]较佳地，所述数据线的下方设置有第一导电层，该第一导电层作为所述TFT的栅极通过过孔与所述检测区域中的数据线电相连，该检测区域中的数据线作为所述TFT的源极或漏级。
[0010]较佳地，所述数据线的上方设置有第二导电层，该第二导电层通过所述过孔将所述TFT的栅极与所述检测区域中的数据线电连接。
[0011]较佳地，所述第二导电层的材质为氧化铟锡、氧化铟锌、或氧化铝锌。
[0012]较佳地，还包括位于所述数据线和所述第一导电层之间的第一绝缘层。
[0013]较佳地，还包括位于所述第二导电层和所述数据线之间的第二绝缘层。
[0014]较佳地，所述过孔为第一功能过孔，所述第一功能过孔包括穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层并暴漏出所述第一导电层的第一过孔，以及穿过所述第二绝缘层并暴漏出所述检测区域中的数据线的第二过孔；
[0015]所述第二导电层包括两部分，所述第二导电层的第一部分通过所述第一功能过孔将所述TFT的栅极与所述检测区域中的数据线电连接，所述第二导电层的第二部分通过第二功能过孔与所述PAD区中的数据线电连接。
[0016]较佳地，所述数据线和/或所述第一导电层为铝、铬、钨、钛、钼之一或任意组合构成的单层或复合层结构。
[0017]较佳地，所述第一绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅、或氧化铝。
[0018]较佳地，所述第二绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅、或氧化铝。
【附图说明】
[0019]图1为现有的阵列基板的结构不意图；
[0020]图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0021]图3为本发明实施例提供的沿着图2所示的阵列基板的AA线进行剖面所得到的该阵列基板的剖面结构示意图；
[0022]图4至图7为本发明实施例提供的数据线制作过程中产生的各个图形示意图。
【具体实施方式】
[0023]本发明实施例提供了一种阵列基板，用以防止阵列基板的PAD区域内的数据线被腐蚀，进而提尚广品的成品率。
[0024]参见图2，本发明实施例提供的一种阵列基板，包括阵列区域、PAD区域和检测区域，可以认为图2中切割线07左侧为检测区域，右侧为PAD区域，也可以认为图2中切割线07位于检测区域，切割线07至TFT 08的区域都属于检测区域，TFT 08及右侧区域为PAD区域，图2中未示出阵列区域。
[0025]所述阵列基板中的至少一条数据线上具有薄膜晶体管TFT 08结构，所述PAD区域中的数据线03与所述检测区域中的数据线02之间存在沟道09，当对所述检测区域施加检测信号时，例如对检测区域内的数据线02或者作为TFT08的栅极的第一导电层01施加高电压信号，则所述PAD区域中的数据线03与所述检测区域中的数据线02通过所述TFT 08导通，从而可以进行检测。
[0026]本发明实施例提供的所述阵列基板中的至少一条数据线上具有薄膜晶体管TFT结构，所述PAD区域中的数据线与所述检测区域中的数据线之间存在沟道，当对所述检测区域施加检测信号时，所述PAD区域中的数据线与所述检测区域中的数据线通过所述TFT导通，从而当检测区域被切割后，由于PAD区域中的数据线03与所述检测区域中的数据线02之间存在沟道09，从而检测区域中的数据线02被腐蚀不会影响到PAD区域中的数据线03，从而可以避免PAD区域中的数据线被腐蚀。而在切割前，由于PAD区域中的数据线与检测区域中的数据线可以通过TFT导通，所以又不影响阵列基板的检测。
[0027]较佳地，所述数据线的下方设置有第一导电层01，该第一导电层作为所述TFT的栅极通过过孔与所述检测区域中的数据线02电相连，该检测区域中的数据线作为所述TFT的源极或漏级。
[0028]较佳地，所述数据线的上方设置有第二导电层051，该第二导电层通过过孔041和过孔042将所述TFT的栅极01与所述检测区域中的数据线02电连接。
[0029]图2中所示的导电层052的作用与现有技术相同，即通过过孔06与PAD区域中的数据线03电连接。
[0030]需要说明的是，图2中位于最上面一层的是导电层051和052，为了方便理解，将各个过孔画在最上面，但实际上，在最上面看不到过孔。
[0031]另外，为了节省工艺，导电层051和导电层052为同一层，在制作时可以同时制作，过孔的个数