，也可以根据实际需要而定，并不局限于图中所示。
[0032]较佳地，所述第二导电层的材质为氧化铟锡、氧化铟锌、或氧化铝锌。
[0033]为了更加清楚的描述本发明实施例提供的阵列基板的结构，沿着图2中的AA线进行剖面的话，可以得到该阵列基板的剖面图如图3所示。
[0034]较佳地，本发明实施例提供的阵列基板还包括位于数据线02、03和第一导电层01之间的第一绝缘层301。
[0035]较佳地，本发明实施例提供的阵列基板还包括位于所述第二导电层051、052和数据线02、03之间的第二绝缘层302。使得PAD区域中的数据线03的顶端31具有该第二绝缘层的保护，从而可以进一步避免PAD区域中的数据线03不被腐蚀。
[0036]较佳地，用于实现第一导电层01和检测区域中的数据线02电连接的过孔为第一功能过孔，所述第一功能过孔包括穿过所述第一绝缘层301和所述第二绝缘层302并暴漏出所述第一导电层01的第一过孔041，以及穿过所述第二绝缘层302并暴漏出所述检测区域中的数据线02的第二过孔042 ；
[0037]所述第二导电层包括两部分，所述第二导电层的第一部分051通过所述第一功能过孔将所述TFT的栅极Ol与所述检测区域中的数据线02电连接，所述第二导电层的第二部分052通过第二功能过孔06与所述PAD区中的数据线03电连接。
[0038]较佳地，所述数据线和/或所述第一导电层为铝、铬、钨、钛、钼之一或任意组合构成的单层或复合层结构。
[0039]较佳地，所述第一绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅、或氧化铝。
[0040]较佳地，所述第二绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅、或氧化铝。
[0041]本发明实施例提供的阵列基板中的数据线的制作流程，例如包括:
[0042]步骤一:进行TFT结构中的Gate层金属(即所述的第一导电层)的制作，形成图4所示图形，其中，所述的TFT结构，是指在本发明实施例中的数据线上设置的TFT结构；
[0043]步骤二:在Gate层金属上面完全覆盖一层绝缘层，即设置所述的第一绝缘层；
[0044]步骤三:在第一绝缘层上设置S/D金属层(即数据线，包括检测区域的数据线和PAD区域的数据线)，形成图5所示图形；
[0045]Gate层金属上覆盖的第一绝缘侧在图5中没有表示出来。
[0046]此处需要说明的是，本发明实施例提供的附图仅作为一种示意，并不能对尺寸进行限定，各个图之间的同一结构的尺寸也不是完全一样的。
[0047]步骤四:在步骤三形成的结构上面覆盖一层绝缘层，即设置所述的第二绝缘层，在第一绝缘层和第二绝缘层内形成所述的第一功能过孔中的第一过孔，在第二绝缘层上分别形成所述的第一功能过孔中的第二过孔，以及所述的第二功能过孔，形成如图6所示的图形；
[0048]第二绝缘层在图6中也没有表示出来。
[0049]步骤五:进行ITO层制作，即设置所述的第二导电层，包括所述的第一部分和所述的第二部分，其中，所述的第一部分和所述的第二部分是同层同时形成的，生成第二导电层后得到的数据线形成如图7所示的图形；
[0050]图7中为了方便展示过孔和第二导电层之间的位置关系，将过孔画在了第二导电层之上，但实际上过孔在第二导电层之上是看不到的。
[0051]其中的各个功能过孔的数量及形状，不局限于附图中所示，可以根据实际需要而定。
[0052]最终得到的包括检测区域和PAD区域的任一数据线的形状如图2所示，其主要特征是:在检测区域，数据线上的TFT结构中的gate金属与S/D金属通过过孔041、042导通，检测区域的S/D金属02通过TFT 08与PAD区域的S/D金属03导通，这种设计不影响生产制造过程中的检测；切割线07在TFT的外侧，即位于检测区域，切割完成后，检测区域的S/D金属02和gate金属01顶端会暴露在环境中，而切割线内侧，即PAD区域的S/D金属03的最顶端31处有第二绝缘层302进行保护(参见图3)，因此不会被腐蚀。
[0053]综上所述，对于使用覆晶薄膜(Chip On Flex, or, Chip On Film，C0F)的液晶显示器件，都是通过引线(即所述的数据线，也可以称为lead线)与COF上的通道(channel)导通，现有技术中lead线在panel外侧都会短接在一起，玻璃切割成panel的过程，会将lead线的短接处切除，这样导致lead线顶端直接暴露在环境中，由于制造液晶显示器件和液晶显示器使用的环境不是严格的干燥环境，环境中存在的水汽或者其他物质会导致lead线金属层腐蚀，大大降低了良率。而本发明实施例中提出了在lead线短接处(即切割线区域)通过设置TFT结构实现lead线(即数据线)的导通，在切割完成后，真正起到导通作用的lead线(即本发明实施例中所述的PAD区域中的数据线)顶端(即图3中的顶端31)不暴露在环境中，避免了真正起到导通作用的lead线金属的腐蚀，并且这种设计不影响产品在制造过程的检测。
[0054]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括阵列区域、PAD区域和检测区域，其特征在于，所述阵列基板中的至少一条数据线上具有薄膜晶体管TFT结构，所述PAD区域中的数据线与所述检测区域中的数据线之间存在沟道，当对所述检测区域施加检测信号时，所述PAD区域中的数据线与所述检测区域中的数据线通过所述TFT导通。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线的下方设置有第一导电层，该第一导电层作为所述TFT的栅极通过过孔与所述检测区域中的数据线电相连，该检测区域中的数据线作为所述TFT的源极或漏级。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线的上方设置有第二导电层，该第二导电层通过所述过孔将所述TFT的栅极与所述检测区域中的数据线电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层的材质为氧化铟锡、氧化铟锌、或氧化铝锌。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述数据线和所述第一导电层之间的第一绝缘层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述第二导电层和所述数据线之间的第二绝缘层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔为第一功能过孔，所述第一功能过孔包括穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层并暴漏出所述第一导电层的第一过孔，以及穿过所述第二绝缘层并暴漏出所述检测区域中的数据线的第二过孔； 所述第二导电层包括两部分，所述第二导电层的第一部分通过所述第一功能过孔将所述TFT的栅极与所述检测区域中的数据线电连接，所述第二导电层的第二部分通过第二功能过孔与所述PAD区中的数据线电连接。
8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线和/或所述第一导电层为铝、铬、钨、钛、钼之一或任意组合构成的单层或复合层结构。
9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅、或氧化铝。
10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅、或氧化铝。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板，用以防止阵列基板的PAD区域内的数据线被腐蚀，进而提高产品的成品率。本发明提供的阵列基板，包括阵列区域、PAD区域和检测区域，所述阵列基板中的至少一条数据线上具有薄膜晶体管TFT结构，所述PAD区域中的数据线与所述检测区域中的数据线之间存在沟道，当对所述检测区域施加检测信号时，所述PAD区域中的数据线与所述检测区域中的数据线通过所述TFT导通。
【IPC分类】H01L23-528, H01L21-768, H01L27-12
【公开号】CN104752442
【申请号】CN201510137030
【发明人】冯博, 马禹
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年3月26日