1范围设计为介于0.15毫米至0.3毫米之间，而其宽度W1的较佳范围分别介于0.15毫米至0.5毫米之间，如此即可满足结构强度的需求。此外，由于第一载条21、第二载条22的间隔距离S1须配合发光二极管晶粒23的电极之间的间距，因此本实施例将该间隔距离S1的较佳实施范围设定为介于0.1毫米至I毫米之间。但要特别说明的是，第一载条21、第二载条22的具体尺寸规格(厚度T1、宽度W1)以及两者之间的间距距离S1当可视实际需要而对应调整，不以此处公开的范围为限。
[0027]另一方面，本实施例发光二极管单元2的发光二极管晶粒23的设计适合进行覆晶接合，其具有一可透光的基板231、一以半导体发光材料制成的发光体232、一第一电极233及一第二电极234。
[0028]基板231为发光二极管晶粒23的磊晶基材Epitaxial substrate)，例如可以是蓝宝石玻璃基板(sapphire substrate),但不以此为限。一般来说,过去发光二极管晶粒的基材为了后续进行晶粒的激光切割(laser cutting)制程及散热需要，通常会将基板依照发光二极管晶粒的尺寸而适当减薄其厚度。例如，一片直径约50毫米的圆形蓝宝石玻璃基板，其厚度通常是0.43毫米。若将该基板上的各个发光二极管晶粒的尺寸设计为边长大于I毫米，则基板的厚度会减薄至0.15毫米左右；而当发光二极管晶粒的边长小于I毫米，则基板的厚度会进一步减薄至0.12毫米以下。但上述对基板的减薄处理,会影响整体的结构强度。
[0029]而在本实施例中，发光二极管晶粒23是作为覆晶晶粒使用，且发光二极管晶粒23是悬空横跨于第一载条21、第二载条22上，因此需将基板231的厚度T2配合发光二极管晶粒23的尺寸L，设计为较厚的厚度T2,以提供较佳的结构强度。例如，针对一个功耗0.5瓦特(W)且尺寸为0.5毫米X I毫米的长方形发光二极管晶粒23，基板231的较佳厚度T2范围介于0.15毫米至0.43毫米之间；针对一个功耗0.2瓦特(W)且尺寸为0.4毫米X 0.8毫米的发光二极管晶粒23，基板231的较佳厚度T2范围介于0.12毫米至0.35毫米之间；又或者是针对一个功耗0.05瓦特(W)且尺寸为0.15毫米X0.3毫米的发光二极管晶粒23，基板231的较佳厚度T2范围介于0.1毫米至0.13毫米之间。因此，根据不同尺寸的发光二极管晶粒23，基板231都有其较佳的对应厚度，较佳地，该基板231的厚度不小于0.1毫米。但要说明的是，上述实施范围仅为本实施例的说明参考，不应以此限制本发明关于基板231的具体实施态样。
[0030]关于发光体232部分，发光二极管晶粒23的发光体232以磊晶技术制作于基板231上,并可发出光线，由基板231开始依序形成具有一第一半导体层235、一主发光层236及一第二半导体层237的堆叠结构。其中，第一半导体层235通常是负型(N型)半导体材料，第二半导体层237通常是正型(P型)半导体材料，主发光层236则为多层正型、负型半导体材料形成的多重量子讲(multi quantum well)结构,其为发光二极管晶粒23最主要的发光区域。
[0031]关于第一电极233、第二电极234部分，发光二极管晶粒23的第一电极233、第二电极234以各式金属或合金材质制成,其分别设置于发光体232上,且位于发光体232的相反于基板231的另一侧，也就是说本实施例的发光二极管晶粒23属于水平式发光二极管晶粒(lateral LED die)的设计。详细来说，本实施例是将第一电极233、第二电极234设计为呈指叉状交错分布，其分别设置于第一半导体层235与第二半导体层237上，分别用作于发光二极管晶粒23的负电极与正电极。据此,第一电极233、第二电极234于对应第一载条21、第二载条22的部分,可分别通过超音波焊接(ultrasonic welding)、焊料固接等方式设置于第一载条21、第二载条22上,使发光二极管晶粒23以其基板231朝远离第一载条21与第二载条22的方向悬空横跨地设置于第一载条21与第二载条22上，而形成覆晶连接。要特别说明的是，本实施例对第一电极233、第二电极234的配置型态可根据需要而调整，不以前述的指叉式配置为限。
[0032]发光二极管晶粒23以覆晶方式设置于第一载条21、第二载条22上后，可进一步通过模造技术在对应各个发光二极管晶粒23处以荧光胶体或透明胶体制作封装体24。封装体24具有透光性，其分别将各个发光二极管晶粒23及该处的部分第一电极233、部分第二电极234包覆于内，为保护发光二极管晶粒23及改变发光颜色，也能通过其形状、结构、尺寸设计而调整发光二极管单元2的光学特性。例如，若要让封装体24具备光线颜色调整功效，则可让封装体24内含可受光激发而产生特定颜色光线的荧光材料，该荧光材料产生的荧光与发光二极管晶粒23发出的光线混光后，可呈现相对应的光线颜色。或者是，若通过透明胶体制作封装体24，则封装体24不具备光线颜色调整功效，因此发光二极管晶粒23的发光颜色会直接呈现于外。
[0033]本实施例中，封装体24是设计为呈现圆球状，其直径R须配合发光二极管晶粒23的尺寸(或长度)L设计，且各个封装体24彼此会间隔一特定距离，以便于进行裁切。关于封装体24的形状与尺寸规格，由于本实施例的发光二极管晶粒23未设置反射镜(mirror)结构，发光二极管晶粒23的出光方向为朝四面八方的全周性发光，呈现点光源特性，非为一般设置反射镜的发光二极管晶粒的半周性发光，因此本实施例将封装体24设计为圆球型，并将其直径R规格设计为界于发光二极管晶粒23的尺寸L的2倍至3倍之间，因而能配合发光二极管晶粒23的全周性发光特性，并达成良好的取光效果。此外，为便于对发光装置I上的第一载条21、第二载条22、连接体3、框架4等金属导线架进行裁切，本实施例需让封装体24间隔一特定距离，例如将两相邻封装体24的球心之间的间距S2设计为不小于3毫米，并/或将两相邻封装体24的表面之间的间距S3设计为不小于1.2毫米，如此即能符合实际生产制程的要求，提升制造良率与便利性。
[0034]参阅图2，根据前述对第一载条21、第二载条22、发光二极管晶粒23的说明可知，本实施例通过对第一载条21、第二载条22、发光二极管晶粒23的结构设计、尺寸设计与连接关系设计，使得由第一载条21、第二载条22、发光二极管晶粒23构成的发光二极管单元
2可作为发光装置I中最基本且可独立运作的发光单元使用。若使用者对第一载条21、第二载条22进行裁剪而使发光二极管单兀2仅具有一个发光二极管晶粒23时,第一载条21、第二载条22可视为该单一发光二极管晶粒23的负电极、正电极的延伸。若用户将发光二极管单元2裁剪为包含多个发光二极管晶粒23时，第一载条21、第二载条22除了可视为电极的延伸，还可让发光二极管晶粒23之间形成并联连接，使发光二极管单元2可作为并联型态的灯条、灯芯使用。
[0035]参阅图1、图6、图7，进一步来说，除了上述有关于单一个发光二极管单元2的实施态样之外，本实施例的发光装置I还有其他类型的实施态样。例如，图1中未裁切前的发光装置I是由多条具有导电性的金属连接体3分别连接于各个发光二极管单元2之间，让两相邻发光二极管单元2以其中一发光二极管单元2的第一载条21连接于连接体3的一端，而另一发光二极管单