的桥层侧壁部分直接接触的相对的EPI侧壁部分；其中，桥层与鳍状物结构之间的晶格常数差小于桥层与EPI层之间的晶格常数差。在实施例中，EPI层包括包含IV族材料和II1- V族材料的其中之一的EPI材料，鳍状物结构包括包含硅的鳍状物结构材料，并且桥层包括不同于鳍状物结构材料和EPI材料中的任一种的桥层材料。在实施例中，EPI层包括在晶体管的沟道中并且耦合到晶体管的源极和漏极。在实施例中，衬底不包括绝缘体上硅(SOI)构造。在实施例中，EPI层包括在晶体管的沟道中并且耦合到晶体管的源极和漏极，源极和漏极均与鳍状物结构直接接触。在实施例中，鳍状物包括与鳍状物顶部相邻的应变集中部分。在实施例中，EPI层沿EPI层与桥层之间的整个边界无缺陷。在实施例中，正交于鳍状物的长垂直轴的单个平面在第一区域之上与鳍状物相交并且在第二区域之上与EPI侧壁相交，并且第二区域大于第一区域。在实施例中，鳍状物与衬底是整体的，并且EPI层侧壁部分彼此是整体的。实施例包括:附加鳍状物结构，其与鳍状物结构相邻，包括第一晶格常数和从鳍状物顶部延伸到衬底的相对的附加鳍状物侧壁部分；以及附加桥层，其包括第一晶格常数和分别与相对的附加鳍状物侧壁部分直接接触的相对的附加桥层侧壁部分；其中，EPI层具有第一极性，附加桥层具有与第一极性相反的第二极性，并且EPI层和附加桥层包括在CMOS器件中。实施例包括:附加鳍状物结构，其与鳍状物结构相邻，包括第一晶格常数和从鳍状物顶部延伸到衬底的相对的附加鳍状物侧壁部分；附加桥层，其包括第一晶格常数和分别与相对的附加鳍状物侧壁部分直接接触的相对的附加桥层侧壁部分；以及附加EPI层，其包括第二晶格常数和分别与相对的附加桥层侧壁部分直接接触的相对的附加EPI侧壁部分，其中，EPI层具有第一极性，附加EPI层具有与第一极性相反的第二极性，并且EPI层和附加EPI层包括在CMOS器件中。在实施例中，桥侧壁层与鳍状物结构的距离相等。
[0030]实施例包括:包括第一沟槽和与第一沟槽接近的第二沟槽的层间电介质；包括沿第一沟槽的侧壁形成的第一层的至少一个半导体沟道，第一层包括II1- V族材料层和IV族材料层的其中之一；以及包括沿第二沟槽的侧壁形成的第二层的至少一个半导体沟道，第二层包括II1- V族材料层和IV族材料层的其中之一；其中，两个沟道均用于CMOS晶体管器件中并且第一和第二层是外延层(EPI)。在实施例中，第一层具有与第二层相反的极性。实施例包括:衬底，其上形成层间电介质；其中，第一层具有第一晶格常数，第二层具有第二晶格常数，并且衬底具有与第一和第二晶格常数的至少其中之一不同的第三晶格常数。在实施例中，第一和第二沟槽形成在鳍状物上并且直接形成在鳍状物之上。实施例包括:沿第一沟槽的另一个侧壁形成的第三层，第三层包括II1- V族材料层和IV族材料层的其中之一；沿第二沟槽的另一个侧壁形成的第四层，第四层包括II1- V族材料层和IV族材料层的其中之一；其中，第一层和第三层通常与第一沟槽的距离相等，并且第二层和第四层通常与第二沟槽的距离相等。在实施例中，第一层包括II1- V族材料层；并且第二层包括IV族材料层O
[0031]实施例包括:鳍状物结构，其包括第一晶格常数以及鳍状物顶部和从鳍状物顶部向衬底延伸的相对的鳍状物侧壁部分；外延(EPI)层，其包括与第一晶格常数不同的第二晶格常数，外延层包括分别与相对的鳍状物侧壁部分直接接触的相对的EPI侧壁部分；其中，(a)EPI层包括IV材料和II1- V材料的其中之一，(b)鳍状物结构包括硅，并且(C)EPI层包括在晶体管的沟道中。在实施例中，鳍状物包括与鳍状物顶部相邻的应变集中部分，并且EPI层沿EPI层与鳍状物结构之间的整个边界无缺陷。
[0032]实施例包括:层间电介质，其位于衬底上并且包括形成在附加沟槽和鳍状物的其中之一上并且直接形成于其之上；以及外延(EPI)层，其沿沟槽的侧壁形成，包括IV族材料和II1- V族材料的其中之一；其中，EPI层与衬底具有不同晶格常数。在实施例中，EPI层包括II1-V族材料。在实施例中，沟槽形成在鳍状物上并且直接形成在鳍状物之上。在实施例中，EPI层整个包括在沟槽的侧壁与附加沟槽和鳍状物的其中之一的侧壁之间。在实施例中，附加EPI层沿沟槽的附加侧壁形成，其包括IV族材料和II1- V族材料中的另一个；其中，附加EPI层与衬底具有不同晶格常数。在实施例中，EPI层和附加EPI层通常与沟槽的距离相等。
[0033]实施例包括一种设备，设备包括:第一沟槽结构，其包括向衬底延伸的相对的第一侧壁部分；桥层，其包括形成在第一侧壁部分的其中之一上的桥层侧壁部分；第二沟槽结构，其包括向衬底延伸的相对的第二侧壁部分；以及EPI层，其包括分别形成在第二侧壁部分的其中之一上的EPI层侧壁部分；其中，桥层侧壁部分包括在第一晶体管沟道中。在实施例中，EPI层侧壁部分包括在具有与第一晶体管沟道相反的极性的第二晶体管沟道中。在实施例中，EPI层侧壁部分包括在第二晶体管沟道中，并且桥层具有与EPI层相反的极性。在实施例中，EPI层与桥层具有不相等的晶格常数。在实施例中，第一和第二沟槽结构均耦合到硅鳍状物。在实施例中，桥层包括形成在第一侧壁部分的其中之一上的附加桥层侧壁部分；EPI层包括形成在第二侧壁部分的其中之一上的附加EPI层侧壁部分；并且第一侧壁部分与第一沟槽结构的距离相等，并且第二侧壁部分与第二沟槽结构的距离相等。
[0034]已经出于说明和描述的目的呈现了本发明的实施例的前述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制于所公开的精确形式。该描述和以下权利要求包括术语，例如左、右、顶部、底部、之上、之下、上层、下层、第一、第二等，它们仅用于描述的目的并且不能被解释为进行限制。例如，指定相对垂直位置的术语指如下情况:衬底或集成电路的器件侧(或有源表面)是该衬底的“顶”表面；衬底事实上可以采用任何取向，以使得在标准参考地面框架中衬底的“顶部”侧可以低于“底部”侧，并且仍然落在术语“顶部”的意义内。本文中(包括在权利要求中)使用的术语“在…上”不指示在第二层“上”的第一层直接位于第二层上并且与第二层直接接触，除非特别说明；第一层与第一层上的第二层之间可以存在第三层或其它结构。可以采用多个位置和取向来制作、使用或运送本文中描述的器件或物品的实施例。相关领域中的技术人员可以领会，根据以上教导，许多修改和变型都是可能的。本领域中的技术人员将认识到对图中所示的各种部件的各种等同组合和替换。因此，本发明的范围不由该【具体实施方式】限制，而是由所附权利要求限制。
【主权项】
1.一种设备，包括: 鳍状物结构，其包括鳍状物顶部和从所述鳍状物顶部向衬底延伸的相对的鳍状物侧壁部分； 桥层，其包括分别与所述相对的鳍状物侧壁部分直接接触的相对的桥层侧壁部分；以及 外延(EPI)层，其包括分别与所述相对的桥层侧壁部分直接接触的相对的EPI侧壁部分; 其中，所述桥层与所述鳍状物结构之间的晶格常数差小于所述桥层与所述EPI层之间的晶格常数差。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述EPI层包括包含IV族材料和II1-V族材料的其中之一的EPI材料，所述鳍状物结构包括包含硅的鳍状物结构材料，并且所述桥层包括不同于所述鳍状物结构材料和所述EPI材料中的