片式熔断器和片式熔断器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及片式熔断器和片式熔断器的制造方法。
【背景技术】
[0002]作为在电子设备的印刷布线基板的表面安装的一种部件，以往已知作为小型熔断器的片式熔断器。利用所述片式熔断器来防止所述印刷布线基板的电子电路被过电流破坏。
[0003]图12表示了以往的片式熔断器I的断面图。如图12所示，由环氧系树脂在作为氧化铝基板的绝缘基板2的表面2a上形成蓄热层(粘接层)3，并在所述蓄热层3上形成铜的熔断器膜4。S卩，通过在绝缘基板2和熔断器膜4之间设置蓄热层3，使熔断器膜4不与绝缘基板2接触。因此，对片式熔断器I通电时由熔断器要素部4b产生的热量不会向绝缘基板2释放，而是蓄积于蓄热层3。
[0004]熔断器膜4包括:片式熔断器I的长度方向(图12的左右方向:以下简称为片式熔断器长度方向)两侧的表面电极部4a ;以及上述表面电极部4a之间的熔断器要素部(熔断体)4b。相比于表面电极部4a，熔断器要素部4b的宽度窄，熔断器要素部4b是在过电流流过片式熔断器I时被其自身产生的热量熔断的熔断部。熔断器要素部4b设有用于防止扩散的镀膜5、用于促进熔断的镀膜6。镀膜5为镍膜，通过电镀法形成在铜的熔断器膜4上。镀膜6为锡膜，通过电镀法形成在镍膜5上。
[0005]而且，在熔断器要素部4b (锡膜6)上，由环氧系树脂形成作为内层的第一保护膜7。此外，在所述第一保护膜7上由环氧系树脂形成作为第一外层的第二保护膜8，在所述第二保护膜8上由环氧系树脂形成作为第二外层的第三保护膜9。在第三保护膜9的表面9a上通过激光打标而形成标记10。所述标记10表示片式熔断器I的额定电流等。
[0006]在绝缘基板2的背面2b中的片式熔断器长度方向两侧的部分2b_l上，由银系树脂形成背面电极11。在绝缘基板2中的片式熔断器长度方向两侧的端面2c上，由银系树脂形成端面电极12。端面电极12从表面电极部4a形成至背面电极11，将表面电极部4a和背面电极11电连接。
[0007]此外，端面电极12上设有镀膜13、14、15。镀膜13为铜膜，通过电镀法形成在端面电极12上。镀膜14为镍膜，通过电镀法形成在铜膜13上。镀膜15为锡膜，通过电镀法形成在镍膜14上。上述镀膜13、14、15从表面电极部4a形成至绝缘基板2的背面2b，整体覆盖端面电极12和背面电极11。
[0008]另外，作为公开了片式熔断器的现有技术文献，例如有下述专利文献I?3。
[0009]专利文献1:日本专利公开公报特开平10-308160号
[0010]专利文献2:日本专利公开公报特开平10-308161号
[0011]专利文献3:日本专利公开公报特开昭63-141233号
[0012]近年来，伴随针对电子设备进一步小型化和提高可靠性等要求，也要求片式熔断器进一步提高断路性能。片式熔断器的断路性能包括断路前后的外观变化和断路时的持续电弧等。断路性能高的片式熔断器是指，即使断路后也能抑制产生飞散物并维持断路前的外观，且断路时的持续电弧的时间短。
[0013]为了确认上述断路性能，针对上述以往的片式熔断器I改变试验条件进行了下述断路试验A、B。
[0014]断路试验A是在32V、50A条件下进行的断路试验。进行所述断路试验A的片式熔断器I在断路试验前的电阻值是0.029 Ω。实施断路试验A的结果省略了图示，断路时间为0.38ms。而且，发现了少量持续电弧，且从外观来说，熔断器要素部4b熔断时的冲击(压力)导致保护膜7、8、9的一部分被破坏并飞散，所述保护膜7、8、9的破坏部的周边成为附着有熔断器要素部4b的熔融物4b-l的状态。因为由环氧系树脂形成的保护膜7、8、9比较硬，所以容易被上述冲击破坏。
[0015]断路试验B是在76V、50A条件下进行的断路试验。进行所述断路试验B的片式熔断器I在断路试验前的电阻值为0.029 Ω。实施断路试验B的结果如图10的(a)所示，断路时间为0.55ms，出现了 0.2ms程度的长持续电弧。此外，从外观来说，如图11所示，熔断器要素部4b熔断时的冲击(压力)导致保护膜7、8、9的一部分被破坏并飞散，所述保护膜7,8,9的破坏部16的周边成为附着有熔断器要素部4b的熔融物4b-l的状态。
【发明内容】
[0016]因此，本发明鉴于上述问题，提供如下的片式熔断器和片式熔断器的制造方法，可以实现外观的维持和减少持续电弧等断路性能的提尚。
[0017]用于解决上述问题的第一发明的片式熔断器在绝缘基板上形成蓄热层，在所述蓄热层上形成由片式熔断器长度方向两侧的表面电极部和所述表面电极部之间的熔断器要素部构成的熔断器膜，并在所述熔断器要素部上形成保护膜，其中，以包围所述熔断器要素部周围的方式，在所述蓄热层上和所述表面电极部上形成矩形的堤部，在所述堤部的内侧形成所述保护膜。
[0018]此外，第二发明的片式熔断器在第一发明的片式熔断器的基础上，所述堤部中的片式熔断器长度方向两侧的部分，形成在比所述表面电极部中的片式熔断器长度方向内侧的端部更靠片式熔断器长度方向的外侧。
[0019]此外，第三发明的片式熔断器在第一或第二发明的片式熔断器的基础上，所述表面电极部包括片式熔断器长度方向外侧的第一电极部以及片式熔断器长度方向内侧的第二电极部，且所述第二电极部的宽度比所述第一电极部的宽度窄，所述堤部中的片式熔断器宽度方向两侧的部分，形成在比所述第二电极部中的片式熔断器宽度方向两侧的端部更靠片式熔断器宽度方向的外侧，并设置在所述蓄热层上，所述蓄热层和所述堤部由相同材料形成。
[0020]此外，第四发明的片式熔断器在第三发明的片式熔断器的基础上，所述蓄热层和所述堤部由相同的含有光敏基团的材料形成。
[0021]此外，第五发明的片式熔断器在第一?第四发明中任意一个片式熔断器的基础上，所述保护膜由含有环氧基团的硅系树脂形成。
[0022]此外，第六发明的片式熔断器在第五发明的片式熔断器的基础上，由含有无机填料的硅系树脂在所述保护膜上形成其他保护膜。
[0023]此外，第七发明的片式熔断器在第六发明的片式熔断器的基础上，所述其他保护膜的膜厚比所述保护膜的膜厚薄。
[0024]此外，第八发明的片式熔断器在第六或第七发明的片式熔断器的基础上，所述其他保护膜透明，所述保护膜和所述其他保护膜之间设有标记，所述标记由硅系树脂形成在所述保护层上。
[0025]此外，第九发明的片式熔断器的制造方法是第一?第八发明中任意一个片式熔断器的制造方法，包括:在所述蓄热层上和所述表面电极部上形成所述矩形的堤部的第一工序；以及在所述堤部的内侧形成所述保护膜的第二工序。
[0026]此外，第十发明的片式熔断器的制造方法在第九发明的片式熔断器的制造方法的基础上，在所述第一工序中，在所述熔断器要素部上、所述表面电极部上和所述蓄热层上粘贴片状的含有光敏基团的材料，通过将所述片状的含有光敏基团的材料用紫外线曝光显影(光刻)，形成所述矩形的堤部。
[0027]按照第一发明的片式熔断器，在绝缘基板上形成蓄热层，在所述蓄热层上形成由片式熔断器长度方向两侧的表面电极部和所述表面电极部之间的熔断器要素部构成的熔断器膜，并在所述熔断器要素部上形成保护膜，其中，以包围所述熔断器要素部周围的方式，在所述蓄热层上和所述表面电极部上形成矩形的堤部，并在所述堤部的内侧形成所述保护膜，所以在形成保护膜时，可以由矩形的堤部挡住用于形成所述保护膜的材料(例如含有环氧基团的硅系树脂)流淌扩散到周边。因此，保护膜得到充分确保。而且由于保护膜在端部处膜厚也不会变薄，可以确保足够的膜厚，所以能防止因熔断器要素部熔断时的冲击(压力)而破坏所述保护膜。
[0028]按照第二发明的片式熔断器，在第一发明的片式熔断器的基础上，所述堤部中的片式熔断器长度方向两侧的部分，形成在比所述表面电极部中的片式熔断器长度方向内侧的端部更靠片式熔断器长度方向的外侧，所以堤部中的片式熔断器长度方向两侧的部分不会覆盖熔断器要素部的端部。因此，不存在因熔断器要素部熔断时的冲击(压力)破坏堤部的可能性。
[0029]按照第三发明的片式熔断器，在第一或第二发明的片式熔断器的基础上，所述表面电极部包括片式熔断器长度方向外侧的第一电极部以及片式熔断器长度方向内侧的第二电极部，且所述第二电极部的宽度比所述第一电极部的宽度窄，所述堤部中的片式熔断器宽度方向两侧的部分，形成在比所述第二电极部中的片式熔断器宽度方向两侧的端部更靠片式熔断器宽度方向的外侧，并设置在所述蓄热层上，且所述蓄热层和所述堤部由相同材料形成，所以堤部中的片式熔断器宽度方向两侧的部分整体设置在蓄热层上并与蓄热层密合。因此，提高了堤部的密合性，从而可靠地防止其剥离。
[0030]按照第四发明的片式熔断器，在第三发明的片式熔断器的基础上，所述蓄热层和所述堤部由相同的含有光敏基团的材料形成，所以由含有光敏基团的材料形成的堤部与由相同的含有光敏基团的材料形成的蓄热层可靠地密合。
[0031]按照第五发明的片式熔断器，在第一?第四发明中任意一个片式熔断器的基础上，所述保护膜由含有环氧基团的硅系树脂形成，由于由所述含有环氧基团的硅系树脂形成的保护膜比由环氧系树脂形成的以往的保护膜柔软而带有弹性，所以能够吸收熔断器要素部熔断时的冲击(压力)，从而不易被所述冲击破坏。
[0032]按照第六发明的片式熔断器，在第五发明的片式熔断器的基础上，由含有无机填料的硅系树脂在所述保护膜上形成其他保护膜，相比于由含有环氧基团的硅系树脂形成的保护膜，所述由含有无机填料的硅系树脂形成的其他保护膜更为坚硬且耐磨性及抗粘连性优异，不易挂在制造装置上且不易剥离。因此，提高了片式熔断器的生产性。另外，因为由硅系树脂形成的其他保护膜相对于同样由硅系树脂形成的保护膜的密合性强，所以不易剥离。而且，通过由含有无机填料的硅系树脂形成其他保护膜，可以提高产品的强度。
[0033]按照第七发明的片式熔断器，在第六发明的片式熔断器的基础上，所述其他保护膜的膜厚比所述保护膜的膜厚薄，通过使所述其他保护膜用含有无机填料的硅系树脂形成，不仅坚硬且比保护膜的膜厚薄，从而确保了所述