3。
[0140]在接下来的端面电极电镀工序中，利用电镀法依次进行铜电镀、镍电镀和锡电镀，将铜膜33、镍膜34和锡膜35从堤部27形成至绝缘基板22的背面22b，并由上述镀膜33、34,35整体覆盖端面电极32和背面电极31。
[0141]如此，制造出图1和图8的(d)所示的片式熔断器21。
[0142]如上所述，按照本实施方式的片式熔断器21，在绝缘基板22上形成蓄热层23，在所述蓄热层23上形成由片式熔断器长度方向两侧的表面电极部24a和上述表面电极部24a之间的熔断器要素部24b构成的熔断器膜，并且在熔断器要素部24b上(图示例子中为熔断器要素部24b的锡膜26上)形成保护膜，在所述片式熔断器21中，以包围熔断器要素部24b周围的方式，在蓄热层23上和表面电极部24a上形成矩形的堤部27，并在堤部27的内侧形成第一保护膜28，所以在形成第一保护膜28时，可以由矩形的堤部27挡住作为用于形成所述第一保护膜28的材料的含有环氧基团的硅系树脂向周边流淌扩散。因此，第一保护膜28在端部28a处膜厚也不会变薄，可以确保足够的膜厚，因而可以防止熔断器要素部24b熔断时的冲击(压力)破坏包含端部28a在内的第一保护膜28。
[0143]对此，如果未形成堤部27，则如图9所示第一保护膜28的端部28a的膜厚变薄，所以尤其是所述端部28a容易被熔断器要素部24b熔断时的冲击(压力)破坏。
[0144]此外，按照本实施方式的片式熔断器21，由于堤部27中的片式熔断器长度方向两侧的部分27a，形成在比表面电极部24a中的片式熔断器长度方向内侧的端部24a_4更靠片式熔断器长度方向的外侧，所以堤部27中的片式熔断器长度方向两侧的部分27a不会覆盖熔断器要素部24b的端部。因此，不存在堤部27因熔断器要素部熔断时的冲击(压力)被破坏的可能性。
[0145]此外，按照本实施方式的片式熔断器21，由于表面电极部24a由片式熔断器长度方向外侧的第一电极部24a-l以及片式熔断器长度方向内侧的第二电极部24a-2构成，且第二电极部24a-2的宽度W2比第一电极部24a_l的宽度Wl窄，堤部27中的片式熔断器宽度方向两侧的部分27b形成在比第二电极部24a-2中的片式熔断器宽度方向两侧的端部24a-3更靠片式熔断器宽度方向的外侧并设置在蓄热层23上，而且蓄热层23和堤部由相同的材料(含有光敏基团的环氧系树脂)形成，所以堤部27中的片式熔断器宽度方向两侧的部分27b整体设置在蓄热层23上并与蓄热层23密合。因此，提高了堤部27的密合性，从而可靠地防止其剥离。
[0146]此外，按照本实施方式的片式熔断器21，第一保护膜28由含有环氧基团的硅系树脂形成，由所述含有环氧基团的硅系树脂形成的第一保护膜28比由环氧系树脂形成的以往的保护膜柔软而带有弹性，所以能够吸收熔断器要素部24b熔断时的冲击(压力)，因而不易被所述冲击破坏。
[0147]此外，按照本实施方式的片式熔断器21，由含有无机填料的硅系树脂在第一保护膜28上形成第二保护膜29，相比于由含有环氧基团的硅系树脂形成的第一保护膜28，所述由含有无机填料的硅系树脂形成的第二保护膜29更为坚硬且耐磨性及抗粘连性优异，不易挂在制造装置上并不易剥离。因此，片式熔断器21的生产性提高。另外，因为由硅系树脂形成的第二保护膜29相对于同样由硅系树脂形成的第一保护膜28的密合性强，所以不易剥离。而且，通过由含有无机填料的硅系树脂形成第二保护膜29，可以提高产品的强度。
[0148]此外，按照本实施方式的片式熔断器21，第二保护膜29的膜厚比第一保护膜28的膜厚薄，由于所述第二保护膜29通过用含有无机填料的硅系树脂形成且膜厚比第一保护膜28减薄来确保第一保护膜28的弹性，所以能吸收熔断器要素部24b熔断时的冲击(压力)吸收，防止被所述冲击破坏。
[0149]此外，按照本实施方式的片式熔断器21，第二保护膜29透明，且第一保护膜28和第二保护膜29之间设有由硅系树脂形成在第一保护膜28上的标记30，由于第一保护膜28、标记30和第二保护膜29整体由硅系树脂形成，所以相互的密合性强且不易剥离，而且对熔断器要素部24b熔断时的冲击(压力)的吸收性强从而不易被破坏。
[0150]另外，假如用环氧系树脂形成标记30时，则与用硅系树脂形成的第一保护膜28之间的密合性差，所以标记30存在剥落的可能性。此外，因为由环氧系树脂形成的标记30坚硬，容易被熔断器要素部24b熔断时的冲击(压力)破坏，所以会减小用含有环氧基团的硅系树脂形成第一保护膜28来提高对所述冲击的吸收性的效果。
[0151]此外，按照本实施方式的片式熔断器21的制造方法，包括:在蓄热层23上和表面电极部24a上形成矩形的堤部27的堤部形成工序(第一工序)；以及在堤部27的内侧形成第一保护膜28的第一保护膜形成工序(第二工序)，因而在由第一保护膜形成工序(第二工序)形成第一保护膜28时，可以由在堤部形成工序(第一工序)中形成的矩形的堤部27挡住用于形成所述第一保护膜28的材料(含有环氧基团的硅系树脂)流淌扩散到周边。因此，由于第一保护膜28在端部28a处膜厚也不会变薄，可以确保足够的膜厚，所以能够防止因熔断器要素部24a熔断时的冲击(压力)破坏包含端部28a在内的第一保护膜28。
[0152]此外，按照本实施方式的片式熔断器21的制造方法，由于在堤部形成工序(第一工序)中，在熔断器要素部24b上、表面电极部24a上和蓄热层23上粘贴片状的含有光敏基团的材料55，通过将所述片状的含有光敏基团的材料55用紫外线曝光显影(光刻)而形成矩形的堤部27，所以相比于由丝网印刷等形成堤部的情况，堤部27的厚度均匀，并且由于挡住形成第一保护膜28的含有环氧基团的硅系树脂材料流动的面亦即内侧面27c与绝缘基板22的表面22a垂直，因而可以更可靠地确保第一保护膜28的端部28a的膜厚。
[0153]在此，说明针对本实施方式的片式熔断器21进行的断路试验C的结果。
[0154]断路试验C是在76V、50A的条件下进行的断路试验。进行所述断路试验C的片式熔断器21在断路试验前的电阻值为0.032 Ω。实施断路试验C的结果如图10的(b)所示，断路时间为0.14ms，未观测到持续电弧。此外，从外观来说，断路后(熔断器要素部24b熔断后)保护膜28、29也没有被破坏，维持了断路前的片式熔断器21的外观(图2所示的状态)。
[0155]工业实用性
[0156]本发明涉及片式熔断器和片式熔断器的制造方法，可以有效应用于实现片式熔断器外观的维持和减少持续电弧等断路性能的提尚。
【主权项】
1.一种片式熔断器，在绝缘基板上形成蓄热层，在所述蓄热层上形成由片式熔断器长度方向两侧的表面电极部和所述表面电极部之间的熔断器要素部构成的熔断器膜，并在所述熔断器要素部上形成保护膜，所述片式熔断器的特征在于， 以包围所述熔断器要素部周围的方式，在所述蓄热层上和所述表面电极部上形成矩形的堤部， 在所述堤部的内侧形成所述保护膜。
2.根据权利要求1所述的片式熔断器，其特征在于，所述堤部中的片式熔断器长度方向两侧的部分，形成在比所述表面电极部中的片式熔断器长度方向内侧的端部更靠片式熔断器长度方向的外侧。
3.根据权利要求1或2所述的片式熔断器，其特征在于， 所述表面电极部包括片式熔断器长度方向外侧的第一电极部以及片式熔断器长度方向内侧的第二电极部，且所述第二电极部的宽度比所述第一电极部的宽度窄， 所述堤部中的片式熔断器宽度方向两侧的部分，形成在比所述第二电极部中的片式熔断器宽度方向两侧的端部更靠片式熔断器宽度方向的外侧，并设置在所述蓄热层上， 所述蓄热层和所述堤部由相同材料形成。
4.根据权利要求3所述的片式熔断器，其特征在于，所述蓄热层和所述堤部由相同的含有光敏基团的材料形成。
5.根据权利要求1?4中任意一项所述的片式熔断器，其特征在于，所述保护膜由含有环氧基团的硅系树脂形成。
6.根据权利要求5所述的片式熔断器，其特征在于，由含有无机填料的硅系树脂在所述保护膜上形成其他保护膜。
7.根据权利要求6所述的片式熔断器，其特征在于，所述其他保护膜的膜厚比所述保护膜的膜厚薄。
8.根据权利要求6或7所述的片式熔断器，其特征在于， 所述其他保护膜透明， 所述保护膜和所述其他保护膜之间设有标记，所述标记由硅系树脂形成在所述保护层上。
9.一种片式熔断器的制造方法，其特征在于，是权利要求1?8中任意一项所述的片式熔断器的制造方法，包括: 在所述蓄热层上和所述表面电极部上形成所述矩形的堤部的第一工序；以及 在所述堤部的内侧形成所述保护膜的第二工序。
10.根据权利要求9所述的片式熔断器的制造方法，其特征在于，在所述第一工序中，在所述熔断器要素部上、所述表面电极部上和所述蓄热层上粘贴片状的含有光敏基团的材料，通过将所述片状的含有光敏基团的材料用紫外线曝光显影，形成所述矩形的堤部。
【专利摘要】本发明提供片式熔断器和片式熔断器的制造方法，目的在于实现外观的维持和减少持续电弧等断路性能的提高。在所述片式熔断器(21)中，在绝缘基板(22)上形成蓄热层(23)，在所述蓄热层上形成由片式熔断器长度方向两侧的表面电极部(24a)和上述表面电极部之间的熔断器要素部(24b)构成的熔断器膜，并在熔断器要素部上形成有保护膜，其中，以包围熔断器要素部周围的方式在蓄热层上和表面电极部上形成矩形的堤部(27)，并在堤部的内侧形成第一保护膜(28)。此外，在堤部形成工序中，通过在熔断器要素部上、表面电极部上和蓄热层上粘贴片状的含有光敏基团的材料，并对所述片状的含有光敏基团的材料用紫外线曝光显影(光刻)，来形成矩形的堤部。
【IPC分类】H01H85-02, H01H37-76
【公开号】CN104813433
【申请号】CN201280075996
【发明人】山岸克哉, 清野英树
【申请人】釜屋电机株式会社
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2012年9月28日
【公告号】US20150270085, WO2014049809A1