方法进行进一步具体说明。
[0049]如图2所示，半导体产品经过生产设备后，进入本发明实施例步骤I。
[0050]步骤1、YE站点对经过生产设备后的半导体产品进行抽样，之后进入步骤2。
[0051]本步骤I中，YE站点对半导体产品的抽样是依据所设定的YE抽样率进行的，其中在本发明的YE在线检测管控方法实施例中，YE抽样率的设定是随着每一次(或者若干次)设备缺陷风险检测的结果进行调整的，详见后续说明。
[0052]步骤2、获取所抽样的半导体产品的产品信息，以确定所抽样的半导体产品是否为生产计划中已列为的最高优先级产品。
[0053]本步骤2中，依据所获取的产品信息可以获知半导体产品是否为生产计划中已列为的最闻优先级广品。
[0054]如果是生产计划中已列为的最高优先级产品，则所抽样的半导体产品不进入步骤3，而是将所述抽样的半导体产品作为最高检测优先级(例如第一检测优先级)率先进入步骤5，以进行YE在线缺陷检测。如果不是生产计划中已列为的最高优先级产品，则所抽样的半导体产品进入步骤3。
[0055]产品信息可包括PRI (生产优先等级)、生产设备ID (编号)、生产区域等。其中，PRI,即Pr1rity，生产派工优先级，即生产中根据订单，出货日期等给与在线产品的生产优先级，不同于YE检测是可跳过的，生产优先等级高的产品，可获得生产过程中优先生产的安排。通过这些产品信息可以获知生产半导体产品的生产设备，进而可知道该生产设备特性以及该生产设备的历史缺陷统计，进而便于进行设备缺陷风险等级量化评估。生产设备特性以及生产设备的历史缺陷统计等信息需要进行保存并根据需要进行更新，以利于设备缺陷风险等级量化评估。
[0056]步骤3、对所抽样的半导体产品所经过的生产设备进行缺陷风险等级量化评估，之后进入步骤4。
[0057]本步骤3中，设备缺陷风险等级是根据历史缺陷良率损失、影响晶圆数量、发生几率、缺陷种类和生产设备缺陷检测率进行量化评估的。
[0058]其中，历史缺陷良率损失为:过去一段期间内所评估出的设备曾经发生过的缺陷案例造成的良率损失，历史缺陷良率损失是一个统计值。若无历史记录，可用同型同制程设备的记录代替。
[0059]影响晶圆数量为:缺陷案例发生时，发生该种缺陷的晶圆数量。
[0060]发生几率为:多长时间发生一次缺陷案例，或者处理多少晶圆发生一次缺陷案例坐寸ο
[0061]缺陷种类为:所评估设备曾经发生的缺陷类型，杀伤率高的类型得到更高的风险等级。
[0062]生产设备缺陷检测率为:经过缺陷检测过的产品与生产设备所生产的产品的比率。
[0063]所评估出的设备缺陷风险等级为一量化值，其计算参数包括缺陷水平、缺陷杀伤率、缺陷发生率、影响晶圆数量水平和检测难度等级。
[0064]其中，对于某种类型缺陷来说:
[0065]缺陷水平为缺陷在晶圆上所影响的芯片所占的比率，为运算方便，实际运用中可以把从0%?100%分成若干等级(比如分为10级，0%?10%为I级、10%?20%为2级、……、90%?100%为10级)进行计算。
[0066]缺陷杀伤率为:种类缺陷杀伤芯片的概率，即缺陷导致芯片故障的概率，并非所有缺陷都会导致芯片故障(即杀伤)。与缺陷水平类似，缺陷杀伤率也进行分(比如将0%?
100%的概率分为10级，0%?10%为I级、10%?20%为2级、......,90%?100%为10级)
级，下同。
[0067]缺陷发生率为发生缺陷的时间概率或者发生缺陷的数量概率,即多长时间发生一次缺陷，或者处理多少晶圆发生一次缺陷等，例如几个小时或者几天发生一次缺陷，或者处理几十片、几百片、几千片或者几万片晶圆发生一次缺陷。
[0068]影响晶圆数量水平为:类似上述缺陷案例发生时，发生该类型缺陷的晶圆数量。
[0069]检测难度等级为:该缺陷被检测到的难度。检测难度等级和缺陷类型和尺寸以及使用的检测机台相关，由工程师结合生产实际进行评估，检测难度等级可分为第I等级、第2等级、……、第10等级，等级越高检测难度越大，实际生产用，工程师直接根据缺陷类型、缺陷尺寸等对检测难度等级进行设定。
[0070]上述缺陷水平、缺陷杀伤率、缺陷发生率、影响晶圆数量水平、检测难度等级均由百分比形式进行表示。
[0071]所述设备缺陷风险等级可表示为:
[0072]Risk F(X)=F(缺陷水平，缺陷杀伤率，缺陷发生率，影响晶圆数量水平，检测难度等级)
[0073]其中，X变量代表缺陷水平、缺陷杀伤率、缺陷发生率、影响晶圆数量水平、检测难度等级这些参数。
[0074]Risk F(X)为缺陷风险等级，作为一个具体实施例:
[0075]Risk F(X) =缺陷水平X缺陷杀伤率X缺陷发生率X影响晶圆数量水平X检测难度等级
[0076]作为一个实例，缺陷水平、缺陷杀伤率、缺陷发生率、影响晶圆数量水平和检测难度等级这些参数，可采用等级数来作为运算的参数。例如缺陷水平可分为I?10级、缺陷杀伤率可分为I?10级、缺陷发生率可分为I?10级、影响晶圆数量水平可分为I?10级、检测难度等级可分为I?10级，risk f (X)为这些参数等级的乘积。需要指出的是，以上仅作为实施例进行说明，并非只有乘积这一种运算方式来获得设备缺陷风险等级RiskF(X)，依据本发明的精神和原则之内所采用的其他获得设备缺陷风险等级的运算方式，也在本发明的保护范围之内。
[0077]步骤4、根据所获得的设备缺陷风险等级，确定所抽样的半导体产品的YE在线缺陷检测优先级，之后进入步骤5。
[0078]本步骤4中，YE在线缺陷检测优先级包括多个不同等级的检测优先级，以及普通检测级。其中，普通检测级的优先级低于所述多个不同等级的检测优先级。多个不同等级例如第二检测优先级、第三检测优先级、……、第N检测优先级，优先级从第二检测优先级到第N检测优先级依次降低。
[0079]本步骤4中，确定所抽样的半导体产品的YE在线缺陷检测优先级，例如按照上述步骤3中的Risk F(x)公式所计算出的缺陷风险等级数值高的具有高的优先级，缺陷风险等级数值低的具有低的优先级，对风险等级数值再进行进一步划分，例如，可设为RiskF(x)大于100为第二优先级，Risk F(x)在100至60之间为第三优先级，Risk F(x)在60以下的为普通级。最高优先级不通过Risk F(X)的大小设定，而是通过上述步骤2中的方法获取，此处不再赘述。
[0080]步骤5、按照YE在线缺陷检测优先级的顺序对半导体产品进行YE在线缺陷检测，之后进入步骤6。
[0081]本步骤5中，进行YE在线缺陷检测可采用本领域已有的YE在线缺陷检测手段进行，此处不再赘述。
[0082]步骤6、分析YE在线缺陷检测结果是否合格，如果合格则执行步骤7，如果不合格，则执行步骤7、步骤8和步骤9。
[0083]步骤7、更新生产设备缺陷检测率，之后将半导体产品送出YE检测站点。
[0084]其中，所述检测率为某个设备在某段时间所处理过的产品中被检测过的数量所占比率。本步骤7中，作为一个具体实施例，若获得检测结果之前，该生产设备的检测率为1/10(或者10%)，则无论检测结果合格或者不合格，更新后的生产设备缺陷检测率都为2/10(或者20%)。所述检测率中，分子为检测的产品数量，分母为生产设备处理的产品数量，例如，生产设备处理的产品数量为10，其中进行检测的产品数量为1，则生产设备的检测率即为1/10。检测率可取过去一段时间内的值，例如可取过去12小时内的检测率的值或者可取过去24小时内的检测率的值。
[0085]步骤8、更新设备缺陷风险等级评估参数。
[0086]当YE在线缺陷检测结果不合格时，说明了生产设备的状态可能出现了变化，如果不进行设备缺陷风险等级评估参数的更新，则不能适应新的生产设备的状态，所以需要执行步骤8，以对设备缺陷风险等级评估参数进行更新。
[0087]本步骤8中，新的设备缺陷风险等级评估参数的更行过程如下:
[0088]如果缺陷检测结果不合格，则对该次结果进行评估:缺陷水平、缺陷杀伤率、缺陷发生率、影响晶圆数量水平和它们的原值比较是否升高，如果有某项值升高则用该项的新值代替原值。通过缺陷检测，可以获得新的缺陷水平、缺陷杀伤率、缺陷发生率、影响晶圆数量水平值，其中，缺陷水平和缺陷杀伤率是现有的缺陷检测中能够获得的结果，正常生产情况下，不合格时的异常产品大多集中发生于一个时间段内，对