有机发光显示器及制造有机发光显示器的方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求2014年2月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No. 10-2014-0022513的优先权和权益，通过引用将其全部内容结合于此。
技术领域
[0003] 本发明的实施方式的方面涉及有机发光显示器及制造有机发光显示器的方法。
【背景技术】
[0004] 有机发光显示器是使用（利用）有机发光二极管的平板显示器，并且与其他平板 显示器相比，具有广泛使用（应用）温度范围、较强的耐冲击性或耐振动性、宽视角、以及由 于快速响应速度的清晰运动照片的期望特征。因此，作为下一代平板显示器，有机发光显示 器已成为公众注意的焦点。
[0005] 有机发光二极管的发光量由薄膜晶体管控制。有机发光二极管包括：阳电极，电耦 接到基板（其上形成有薄膜晶体管）上的薄膜晶体管；有机发射层；以及阴电极，形成在包 括有机发射层的基板的前表面上。
[0006] 当有机发光二极管形成在基板上时，粒子（particle)可附接至有机发光二极管。 例如，当粒子（在基板上形成阳电极的过程中产生的）附接至阳电极的表面上时，在后续过 程中有机发射层和阴电极形成在阳电极上同时环绕粒子。
[0007] 通过在阳极和阴电极之间穿透（连接），粒子允许（可能引起）阳极和阴电极短 路，并且因此可能引起（形成）潜在的暗斑（darkspot)。因此，执行去除粒子的修复过程 (repairprocess)〇
[0008] 在修复过程中，通过向阳电极和阴电极（粒子附接至其）施加反向电压产生热，并 且随后通过氧气气氛下暴露阳电极和阴电极在环绕粒子的阴电极的表面上形成氧化膜，从 而粒子与粒子未附接至其的部分（阴电极的）绝缘（insulate)。
【发明内容】
[0009] 本发明实施方式的方面涉及有机发光显示器以及制造有机发光显示器的方法，其 通过最小化或减少暗斑缺陷的出现来改善图像质量。
[0010] 根据本发明的实施方式，有机发光显示器包括：基板，其上具有至少一个薄膜晶体 管；第一电极，电耦接至基板上的薄膜晶体管；有机发射层，在第一电极上；第二电极，在有 机发射层上；绝缘层，在第二电极上；以及辅助电极，在绝缘层上并电耦接至第二电极。
[0011] 第一电极可以是透明电极，并且第二电极可以是反射电极。
[0012] 第二电极和辅助电极可包括相同的导电材料。
[0013] 绝缘层在除了形成有机发射层的区域之外的其他区域中可包括至少一个开口，第 二电极的一部分通过该至少一个开口暴露至外部。
[0014] 绝缘层和辅助电极可在基板的前表面上。
[0015] 绝缘层和辅助电极可仅在基板上的除了形成有机发射层的区域之外的区域中。
[0016] 第二电极的厚度可以为70至200A，并且辅助电极的厚度可为1500至3000A。
[0017] 根据本发明的另一实施方式，有机发光显示器包括：基板，其上具有至少一个薄膜 晶体管；第一电极，电耦接至基板上的薄膜晶体管；有机发射层，在第一电极上；第二电极， 在有机发射层上；以及辅助电极，在第二电极上并电耦接至第二电极。
[0018] 第一电极可以是透明电极，并且第二电极可以是反射电极。
[0019] 第二电极和辅助电极可包括相同的导电材料。
[0020] 辅助电极可仅在基板上的除了形成有机发射层的区域之外的其他区域中。
[0021] 根据本发明的实施方式，制造有机发光显示器的方法包括：在基板上形成至少一 个薄膜晶体管；形成电耦接至基板上的薄膜晶体管的第一电极；在第一电极上形成有机发 射层；在有机发射层上形成第二电极；在第二电极上形成绝缘层，绝缘层被图案化为包括 至少一个开口，第二电极的一部分通过该至少一个开口暴露至外部；以及在绝缘层上形成 辅助电极，辅助电极通过开口电耦接至第二电极。
[0022] 形成绝缘层和形成辅助电极可包括：在具有形成在其上的第二电极的基板的前表 面上形成绝缘材料层；通过图案化绝缘材料层的与有机发射层不重叠的部分来形成包括至 少一个开口的绝缘层，第二电极的一部分通过该至少一个开口暴露至外部；以及在绝缘层 的前表面上形成辅助电极以便通过至少一个开口电耦接至第二电极。
[0023] 形成绝缘层和形成辅助电极可包括：在具有形成在其上的第二电极的基板的前表 面上形成绝缘材料层；通过图案化绝缘材料层的与有机发射层不重叠的部分来形成包括至 少一个第一开口的绝缘层，第二电极的一部分通过该至少一个第一开口暴露至外部，并且 通过图案化绝缘材料层的与有机发射层重叠的部分来进一步形成第二开口，第二电极的一 部分通过该第二开口暴露至外部；在第二开口上布置掩膜；在除了第二开口之外的绝缘层 上形成辅助电极，辅助电极通过至少一个第一开口电耦接至第二电极；以及去除掩模。
[0024] 第一电极可以是透明电极，并且第二电极可以是反射电极。
[0025] 第二电极和辅助电极可包括相同的导电材料。
[0026] 根据本发明的另一实施方式，一种制造有机发光显示器的方法包括：在基板上形 成至少一个薄膜晶体管；形成电耦接至基板上的薄膜晶体管的第一电极；在第一电极上形 成有机发射层；在包括有机发射层的基板的前表面上形成第二电极；以及在第二电极上的 除了与有机发射层重叠的区域之外的区域中形成辅助电极，辅助电极电耦接至第二电极。
[0027] 形成辅助电极可包括：在第二电极上的与有机发射层重叠的区域中布置掩模；在 第二电极上的除了由掩模遮挡的有机发射层之外的其他区域上形成辅助电极，辅助电极电 耦接至第二电极；以及去除掩模。
[0028] 第一电极可以是透明电极，并且第二电极可以是反射电极。
[0029] 第二电极和辅助电极可包括相同的导电材料。
【附图说明】
[0030] 在下文中将参考附图更全面地描述实例实施方式；然而，它们可体现为不同的形 式体现并不应当被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使本公 开是彻底和完整的，并且将实例实施方式的范围充分地传达给本领域技术人员。
[0031] 在附图中，为了清楚的说明，可夸大尺寸。将理解当元件被称为"在"两个元件"之 间"时，其可以是两个元件之间的唯一的元件，或者也可存在一个或多个中间元件。在全文 中，相同的参考标号表示相同的元件。
[0032] 图1是示意性示出根据本发明实施方式的有机发光显示器的截面图。
[0033] 图2至图8是顺序地示出制造图1的有机发光显示器的过程的截面图。
[0034] 图9是示出附接至有机发光二极管的粒子在图1的有机发光显示器中被绝缘的状 态的截面图。
[0035] 图10至图15是顺序地示出修复（或制备）图9的有机发光显示器的过程的截面 图。
[0036] 图16是示意性示出根据本发明的另一实施方式的有机发光显示器的截面图。
[0037] 图17是示意性示出根据本发明的又一实施方式的有机发光显示器的截面图。
【具体实施方式】
[0038] 在以下的详细说明中，仅通过简单图示的方式示出并描述了本发明的某些实例实 施方式。如本领域技术人员将认识到的，在完全不偏离本发明的精神或范围的前提下，可以 各种不同的方式修改所描述的实施方式。因此，附图和说明书本质上应被视为是说明性的， 而不是限制性的。此外，当元件被称为"在"另一元件"上"时，其可直接在另一元件上，或 者间接地（其间插入一个或多个中间元件）在另一元件上。而且，当元件被称为"连接至" 另一元件时，其可直接连接至另一元件，或者间接地连接至另一元件（其间插入一个或多 个中间元件）。在下文中，相同的参考标号表示相同的元件。在附图中，为清晰起见，夸大了 层的厚度或尺寸，并且没必要按比例绘制。
[0039] 图1是示意性示出根据本发明的实施方式的有机发光显示器的截面图。
[0040] 参考图1，根据该实施方式的有机发光显示器100包括：基板110 ;缓冲层120,形 成在基板110上；半导体层130,形成在缓冲层120上，半导体层130包括源极区130b/有 源区130a/漏极区130c;形成在半导体层130上的第一绝缘层140 ;形成在第一绝缘层140 上栅电极150,形成在栅电极150上的第二绝缘层160,形成在第二绝缘层160上的源电极 170a和漏极电极170b，以及形成在源电极170a和漏极电极170b上的第三绝缘层175。
[0041] 根据该实施方式的有机发光显示器100进一步包括：第一电极180,形成在第三绝 缘层175上；设置有开口的像素限定层185,第一电极180的一个区域通过该开口暴露；有 机发射层190,形成在像素限定层185上；第二电极195a，形成在