、该N型扩散掺杂层的该N型端面、该N+型扩散杂层的该N+型端面及该电极层的该显露 面。
2. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，各该PN接面结构包含一光接收表面， 且该光接收表面包含该P+型扩散掺杂层的该P+型端面，该P型扩散掺杂层的该P型端面， 该N型扩散掺杂层的该N型端面以及该N+型扩散掺杂层的该N+型端面。
3. 如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，该光接收表面是一不平整表面。
4. 如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，各该电极层的该显露面及各该具有 PN接面结构的该光接收表面之间具有一高度差。
5. 如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，该显露面的位置低于该光接收表面。
6. 如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，各该电极层包含由该显露面所形成 的一凹槽，且该凹槽的深度大于该高度差。
7. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，各该电极层包含由该显露面所形成 的一凹槽，且该凹槽由该钝化层加以填充。
8. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该P+型扩散掺杂层的掺杂浓度介于 IO19原子/立方公分至IO 21原子/立方公分之间。
9. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该P+型扩散掺杂层的厚度介于0. 3 y m S 3 ym ^L|'b]〇
10. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该P型扩散掺杂层的掺杂浓度介于 1〇16原子/立方公分至1〇 2°原子/立方公分之间。
11. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该P型扩散掺杂层的厚度介于I U m 至50 ym之间。
12. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该N型扩散掺杂层的掺杂浓度介于 1〇16原子/立方公分至1〇 2°原子/立方公分之间。
13. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该N型扩散掺杂层的厚度系介于1 y m至50 y m之间。
14. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该N+型扩散掺杂层的掺杂浓度介于 1〇19原子/立方公分至1〇 21原子/立方公分之间。
15. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该N+型扩散掺杂层的厚度介于0. 3 y m S 3 ym ^L|'b]〇
16. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，各该PN接面结构亦包含一 P-型扩 散掺杂层，其配置并连接于该P型扩散掺杂层及该N型扩散掺杂层之间。
17. 如权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，该P-型扩散掺杂层具有一 P-型端 面，且该P-型端面由该钝化层所覆盖。
18. 如权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，该P-型扩散掺杂层的掺杂浓度介 于IO14原子/立方公分至IO 18原子/立方公分之间。
19. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，各该PN接面结构亦包含一 N-型扩 散掺杂层，其配置并连接于该P型扩散掺杂层及该N型扩散掺杂层之间。
20. 如权利要求19所述的太阳能电池，其特征在于，该N-型扩散掺杂层具有一 N-型端 面，且该N-型端面由该钝化层所覆盖。
21. 如权利要求19所述的太阳能电池，其特征在于，该N-型扩散掺杂层的掺杂浓度系 介于1〇14原子/立方公分至1〇 18原子/立方公分之间。
22. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该PN接面结构选自硅、砷化镓、锗、 磷化铟镓及其混和物其中之一。
23. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该钝化层借由原子层沉积制程而形 成。
24. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该钝化层是可透光的。
25. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该钝化层选自氧化铪、氧化镧、二氧 化娃、二氧化钛、氧化锌、氧化错、氧化铝、氧化钽、氧化铟、二氧化锡、氧化铟锡、氧化铁、五 氧化二铌、氧化镁、氧化铒、氮化钨、氮化铪、氮化锆、氮化铝以及氮化钛其中之一。
26. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该垂直多接面电池包含一第一端 面、与该第一端面相反的一第二端面、以及分别配置于该第一端面与该第二端面的至少两 导电电极，且该导电电极由该钝化层所覆盖。
27. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该垂直多接面电池包含一第一端 面、与该第一端面相反的一第二端面、以及分别配置于该第一端面与该第二端面的至少两 导电电极，且该第一端面与该第二端面由该钝化层所覆盖。
28. 如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，亦包括覆盖部份该钝化层的一抗反 射层，其中该抗反射层是可透光的。
29. -种太阳能电池的制程方法，其特征在于，包含： 提供一垂直多接面电池，其具有多个PN接面结构及多个电极层，其中该PN接面结构彼 此相互间隔，且各PN接面结构包含一 P+型扩散掺杂层、一P型扩散掺杂层、一N型扩散掺 杂层与一 N+型扩散掺杂层，其中该P+型扩散掺杂层具有一 P+型端面，且该P型扩散掺杂 层连接至该P+型端面并具有一 P型端面，该N型扩散掺杂层连接至该P型扩散掺杂层并具 有一 N型端面，及该N+型扩散掺杂层连接至该N型扩散掺杂层并具有一 N+型端面，且各电 极层配置并连接于两邻近PN接面结构之间，其具有一显露面；以及 形成一钝化层于该垂直多接面电池，覆盖于该P+型扩散掺杂层的该P+型端面、该P型 扩散掺杂层的该P型端面、该N型扩散掺杂层的该N型端面、该N+型扩散杂层的该N+型端 面、及该电极层的该显露面。
30. 如权利要求29所述的太阳能电池的制程方法，其特征在于，该钝化层借由原子层 沉积制程而形成。
31. 如权利要求29所述的太阳能电池的制程方法，其特征在于，该垂直多接面电池包 含一第一端面、与该第一端面相反的一第二端面、以及分别配置于该第一端面与该第二端 面的至少两导电电极，且该导电电极由该钝化层所覆盖。
32. 如权利要求29所述的太阳能电池的制程方法，其特征在于，该垂直多接面电池包 含一第一端面、与该第一端面相反的一第二端面、以及分别配置于该第一端面与该第二端 面的至少两导电电极，且更包含形成该钝化层来覆盖该第一端面与该第二端面。
33. 如权利要求29所述的太阳能电池的制程方法，其特征在于，各该电极层包含由该 显露面所形成的一凹槽，且更包含形成该钝化层来填充该凹槽。
34. 如权利要求29所述的太阳能电池的制程方法，其特征在于，各该PN接面结构亦包 含一 P-型扩散掺杂层，其配置并连接于该P型扩散掺杂层及该N型扩散掺杂层之间，且更 包含形成该钝化层来覆盖该P-型扩散掺杂层的一 P-型端面。
35. 如权利要求29所述的太阳能电池的制程方法，其特征在于，各该PN接面结构亦包 含一 N-型扩散掺杂层，其配置并连接于该P型扩散掺杂层及该N型扩散掺杂层之间，且更 包含形成该钝化层来覆盖该N-型扩散掺杂层的一 N-型端面。
36. 如权利要求29所述的太阳能电池的制程方法，其特征在于，该钝化层是可透光的。
37. 如权利要求29所述的太阳能电池的制程方法，其特征在于，亦包括形成一抗反射 层来覆盖部份该钝化层，其中该抗反射层是可透光的。
【专利摘要】本发明公开了一种太阳能电池包含一垂直多接面电池与一钝化层。该垂直多接面电池具有彼此相互间隔的多个PN接面结构及多个电极层。各PN接面结构包含一P+型扩散掺杂层、一P型扩散掺杂层、一N型扩散掺杂层与一N+型扩散掺杂层。各电极层系配置并连接于两邻近PN接面结构之间，且具有一显露面。该钝化层覆盖于该P+型扩散掺杂层的该P+型端面、该P型扩散掺杂层的该P型端面、该N型扩散掺杂层的该N型端面、该N+型扩散杂层的该N+型端面、及该电极层的该显露面。一种制造该太阳能电池的制程方法包含提供一垂直多接面电池与在该垂直多接面电池上形成一钝化层。
【IPC分类】H01L31-0216, H01L31-18
【公开号】CN104867990
【申请号】CN201510045608
【发明人】杨美环, 童钧彦, 许晋維, 吴振良, 陈坤贤, 赵伟胜, 彭英杰, 黄德智, 庄明战
【申请人】美环能股份有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年1月29日