仅多层缓冲层131B当中的折射率与第一基板110B和覆盖层 134B相同或基本上相同的层（例如，氧化硅层）可向外延伸到透射区域TA，而其它层（例 如，氮化硅层）被容纳在发射区域EA内。
[0079] 图lc是示出根据本发明的实施方式的示例性透明有机发光显示装置100C的横截 面图。应该注意的是，在本公开的附图中，相同的元件用相同的标号指代。因此，图la和图 lc所示的用相同的标号指代的元件应该被理解为相同的元件，因此其重复的描述将被省 略。
[0080] 第二基板115C是被配置为支撑和保护透明有机发光显示装置100C的各种元件并 且被设置为面向第一基板110C的基板。第二基板115C是位于透明有机发光显示装置100C 的顶部的支撑板，并且可被称作上基板、保护基板、滤色器基板、封盖、封盖基板和上支撑构 件等。第二基板115C可包括透明绝缘材料，第二基板115C可由与第一基板110C基本上相 同的材料形成。因此，第二基板115C可具有与第一基板110C基本上相同的折射率。
[0081] 黑底可形成在第二基板115C上。黑底可形成在子像素区域之间的边界中。黑底 可由铬（Cr)或另一不透明金属形成，或者由树脂形成。黑底可将形成在子像素区域中的子 像素区域和滤色器170C分离。
[0082] 当透明有机发光显示装置100C采用RGBW型有机发光元件时，滤色器170C形成在 第二基板115C上。滤色器170C可形成在第二基板115C上的各个子像素区域中。当滤色 器170C形成在红色子像素区域中时，滤色器170C可以是红色滤色器。当滤色器170C形成 在绿色子像素区域中时，滤色器170C可以是绿色滤色器。当滤色器170C形成在蓝色子像 素区域中时，滤色器170C可以是蓝色滤色器。如上所述，有机发光层144C被配置为发射白 光并且被滤色器170C滤光。例如，由有机发光层144C发射的白光被红色滤色器滤光以被 转变成红光，被绿色滤色器滤光以被转变成绿光，被蓝色滤色器滤光以被转变成蓝光。如图 lc所示，当透明有机发光显示装置100C是顶部发射型有机发光显示装置时，滤色器170C被 设置在有机发光层144C的上侧。
[0083] 滤色器170C形成在与第二基板115C的发射区域EA对应的区域中。如图lc所示， 当透明有机发光显示装置100C是顶部发射型有机发光显示装置，并且有机发光层144C发 射白光时，由有机发光层144C发射的白光穿过滤色器170C以被转变成特定颜色的光。然 而，由于透射区域TA不是发射特定颜色的光的区域，而是透射透明有机发光显示装置100C 的外部光的区域，所以当滤色器170C被设置在透射区域TA中时，外部光的颜色向滤色器 170C所表示的颜色色移。因此，滤色器170C没有形成在透射区域TA中，而是仅形成在发射 区域EA中。
[0084] 尽管图lc中未示出，在一些实施方式中，偏振膜可设置在第二基板115C上。具体 地讲，偏振膜可设置在第二基板115C的与形成有滤色器170C的表面相对的表面上。偏振 膜可改进从有机发光层144C发射的光的线性以防止散射或干涉并且改进色觉。另外，偏振 膜可选择性地透射外部光，并且降低外部光的反射以改进有机发光显示装置的可见性。
[0085] 在图lc所示的示例性实施方式中，封装层160C形成在第一基板110C与第二基板 115C之间。更具体地讲，在发射区域EA内，封装层160C形成在有机发光元件140C与滤色 器170C之间。另外，在透射区域TA中，封装层160C形成在覆盖层134C与第二基板115C之 间。封装层160C可保护透明有机发光显示装置100C的诸如TFT和有机发光元件140C的 内部元件免受来自外部环境的水分、空气和冲击的影响。封装层160C可被称作封装层、封 装构件、密封层或密封构件。例如，作为封装层160C，可使用端面密封。
[0086] 封装层160C的折射率与覆盖层134C基本上相同。因此，在与透射区域TA对应 的区域中，第一基板110C、覆盖层134C、封装层160C和第二基板115C的折射率可基本上 相同。用于折射率匹配的封装层160C的材料可包括（但不限于）甘油、1，2-丙二醇、丙三 醇、三甲基丙烷、三乙醇胺、乙二醇、1，3-丙二醇、1，4- 丁二醇、1，8-辛二醇、1，2- 丁二醇、 2, 3-丁二醇、1,2-戊二醇、乙基己二醇、p-甲烷-3, 8-二醇以及1-甲基-2, 4-戊二醇。封 装层的材料不限于此，可使用折射率与第一基板110C基本上相同的另一粘合剂材料。
[0087] 在透明有机发光显示装置100C中，构成设置在第一基板110C和第二基板115C的 透射区域TA中的覆盖层134C和封装层160C的绝缘材料的折射率与第一基板110C和第二 基板115C基本上相同。因此，诸如与透明有机发光显示装置100C的透射区域TA对应的区 域中的光的全反射的扭曲可被最小化。
[0088] 在一些实施方式中，透明树脂层可形成在第二基板115C的未形成滤色器170C的 区域中，即，第二基板115C的与第一基板110C的透射区域TA对应的区域中。如上所述，优 选的是外部光以最小的扭曲穿过透明有机发光显示装置100C的透射区域TA。因此，透明树 脂层可与透射区域TA对应地形成在第二基板115C中，并且透明树脂层可被形成为与滤色 器170C相同的厚度。透明树脂层可由折射率与第二基板115C和封装层160C基本上相同 的材料形成。
[0089] 图Id是示出根据本发明的实施方式的透明有机发光显示装置的横截面图。参照 图ld，第一基板110D、覆盖层134D、有机发光元件140D、堤层135D、封装层160D、滤色器 170D和第二基板11?与图lc所描绘的各个元件基本上相同，因此重复的描述将被省略。
[0090] 在图Id所示的实施方式中，与图lc所示的实施方式中所使用的共面TFT相对，使 用反向交叠TFT。缓冲层131D形成在第一基板110D上。如上所述，缓冲层131D是可选元 件，其可根据第一基板110D的类型和/或显示装置100D中使用的TFT的类型而被包括在 显示装置中。
[0091] 当显示装置中采用反向交叠TFT时，由于与有源层121D的界面特性，在晶体管效 率方面，基于氮化硅的缓冲层比基于氧化硅的缓冲层更有利。然而，由氮化硅形成的缓冲层 131D可能由于相对于其它元件（例如，第一基板和第二基板（假设玻璃）、覆盖层、层间绝 缘层、封装层）的相对大的折射率差异而使穿过显示装置100D的外部光扭曲。因此，缓冲 层131D仅形成在发射区域EA内以改进透射区域TA的透射率并且使显示装置100D的亮度 劣化最小化。
[0092] 如前所述，缓冲层131D可利用多个层来形成，所述多个层可包括一个或更多个氧 化硅层以及一个或更多个氮化硅层。由于基于氮化硅的缓冲层有可能改进TFT效率（反向 交叠TFT)，所以多层缓冲层的最上层可由氮化硅形成。然而，在显示装置中多层缓冲层设置 的位置仍与采用共面TFT的实施方式相同。即，由于氧化硅膜的折射率为1. 45并且氮化硅 膜的折射率为1. 88,所以当缓冲层131D的氧化硅膜和氮化硅膜二者均形成在透射区域TA 中时导致诸如光的全反射的光的扭曲。因此，如图Id所示，缓冲层131D可仅形成在发射区 域EA中，或者另选地，仅多层缓冲层的折射率与设置在透射区域TA中的其它元件相同的层 进一步延伸到透射区域TA中。
[0093] 如图Id所描绘的，栅电极122D可形成在第一基板110D上或缓冲层131D上。除了 根据薄膜晶体管的结构（即，反向交叠薄膜晶体管）形成在第一基板110D上的栅电极122D 的形成位置以外，栅电极122D与图la所示的基本上相同，因此重复的描述将被省略。
[0094] 栅绝缘层132D形成在栅电极122D上。栅绝缘层132D将有源层121D相对于栅电 极122D绝缘。除了形成在栅电极122D上和有源层121D下面以外，栅绝缘层132D的其它 方面与图la基本上相同。
[0095] 有源层121D形成在栅绝缘层132D上。有源层121D可形成在栅电极122D和栅绝 缘层132D上以与栅电极122D的部分区域接触。除了形成在栅绝缘层132D上以外，有源层 121D的其它方面与图la基本上相同。
[0096] 源电极123D和漏电极124D形成在栅绝缘层132D上。源电极123D被形成为与栅 绝缘层132D的部分区域以及形成在栅绝缘层132D上的有源层121D的部分区域接触。漏电 极124D被形成为与栅绝缘层132D的另一部分区域以及形成在栅绝缘层132D上的有源层 121D的另一部分区域接触。除了源电极123D和漏电极124D的形成位置以外，源电极123D 和漏电极124D的其它方面与图la基本上相同。尽管图Id中未示出，单独的减阻构件可设 置在有源层121D与源电极123D之间以及有源层121D与漏电极124D之间，以减小有源层 121D与源电极123D之间以及有源层121D与漏电极124D之间的接触电阻。
[0097] 图2a是示出根据本发明的实施方式的透明有机发光显示装置的横截面图。参照 图2a，透明有机发光显示装置200A包括第一基板210A、薄膜晶体管、栅绝缘层232A、层间绝 缘层233A、覆盖层234A、有机发光元件240A和堤层235A。第一基板210A、薄膜晶体管、栅 绝缘层232A、层间绝缘层233A、覆盖层234A、有机发光元件240A和堤层23?与图lc基本 上相同，因此重复的描述将被省略。
[0098] 透明有机发光显示装置200A包括形成在第一基板210A和第二基板215A之间的 第一绝缘层和第二绝缘层。在第一绝缘层和第二绝缘层当中，折射率与第一基板210A基本 上相同的绝缘层被设置在发射区域EA和透射区域TA二者中，而折射率与第一基板210A的 折射率的差异超过特定值的绝缘层仅被设置在发射区域EA内。为了描述方便，第一绝缘层 是指折射率与第一基板210A的折射率的差异超过特定值的绝缘层。另外，第二绝缘层是指 折射率与第一基板210A基本上相同的绝缘层。将参照图2b更详细地描述第一绝缘层和第 二绝缘层。
[0099] 现在参照图2b，图2b是光如何传播通过多个光学介质的形象表不。图2b(a)不出 当光穿过具有折射率^的介质传播到具有折射率n2的介质时光的折射，其中折射率n:大 于折射率112。图2b(b)示出当光穿过具有折射率n3的介质传播到具有折射率114的介质时 光的折射，其中折射率n3与折射率114基本上相同。在图2b(a)和图2b(b)中，假设入射光 的入射角（Q)大于临界角。
[0100] 参照图2b(a)，当光从具有高折射率的介质向具有低折射率的介质传播时，以大于 临界角的入射角投射的光在两个介质之间的界面处被反射。因此，当光从具有折射率^的 介质向具有折射率n2的介质传播时，光没有穿过具有折射率ni的介质与具有折射率n2的 介质之间的边界，而是朝着具有折射率^的介质被全反射。例如，具有折射率ni的介质可 以是包括氮化硅膜的缓冲层和层间绝缘层等，具有折射率112的介质可以是包括氧化硅膜的 缓冲层、层间绝缘层、第一基板、覆盖层和封装层。
[0101] 然而，如图2b(b)所示，当光向具有基本上相同的折射率的介质传播时，光没有被 反射，而是横穿两个介质之间的界面，然后最终穿过它们。例如，具有折射率％和n4的介质 可以是包括氧化硅膜的缓冲层、第一基板、覆盖层和封装层。因此，优选的是使沿着光路设 置的介质的折射率匹配，以使这种全反射最小化。
[0102] 返回参照图2a，第二绝缘层可以是折射率与第一基板210A基本上相同