并且形成 在透射区域TA中的覆盖层234A。第一绝缘层可以是折射率不与第一基板210A基本上相同 并且仅形成在发射区域EA中的栅绝缘层232A或层间绝缘层233A。因此，在透明有机发光 显示装置200A中，被形成为从发射区域EA延伸至透射区域TA的所有绝缘层利用折射率与 第一基板210A相同或者至少基本上相同的材料形成。这样，可改进透射区域TA处的光透 射率和显示装置200A的亮度。
[0103] 图2c和图2e是各自示出根据本发明的实施方式的透明有机发光显示装置的横 截面图。缓冲层（231C、231E)形成在第一基板（210C、210E)上以用于降低穿过第一基板 (210C、210E)的水分或其它杂质的渗透。缓冲层（231C、231E)可由基于显示装置中采用的 TFT的类型（特别是基于有源层（221C、221E)的界面特性）选择的材料形成。对于如图2c 所示的有源层221C与缓冲层231C接触的共面TFT，由氧化硅膜形成的缓冲层由于与有源层 221C的界面特性而提供更好的晶体管效率。另一方面，对于如图2e所示的反向交叠TFT， 由氮化硅膜形成的缓冲层232E由于与有源层221E的界面特性而提供更好的晶体管效率。 [0104] 假设第一基板由玻璃形成，则由氧化硅膜形成的缓冲层231C被认为具有与第一 基板210C基本上相同的折射率（例如，1. 5和1. 45)。另外，缓冲层231C具有与覆盖层234C基本上相同的折射率，而覆盖层234C具有与第一基板210C相同或基本上相同的折射率。由 于这些层的折射率彼此基本上匹配，所以这些层的界面处的光的全反射可被最小化。尽管 如图2c所示缓冲层231C可仅形成在发射区域EA中，形成在发射区域EA中的缓冲层231C 可出于各种原因（例如为了改进耐久性、防止水分/杂质渗透以及方便制造）而进一步延 伸到透射区域TA。
[0105] 参照图2d，缓冲层231E可按照层的层叠（例如，第一缓冲层236D和第二缓冲层 237D)来形成。各个层可由一种或更多种不同的材料形成。例如，第一缓冲层236D可由氮 化硅形成，第二缓冲层237D可由氧化硅形成。在形成缓冲层231D时所层叠的层的顺序可 仍基于显示装置200D中采用的TFT的类型。由于对于共面TFT而言在晶体管效率方面由 氧化硅形成的层更有利，所以由氧化硅形成的第二缓冲层237D被用作缓冲层231E的最上 层。相比之下，由于对于反向交叠TFT而言由氮化硅形成的层更有利，所以由氮化硅形成的 层应该是缓冲层的与TFT的有源层接触的层。
[0106] 应该注意的是，氮化硅层的折射率（即，1.88)比氧化硅层高很多。因此，由氮化硅 形成的层和由氧化硅形成的层不应该形成在显示装置的透射区域TA中。例如，如果第一基 板由玻璃（或者折射率差异超过〇. 1的其它材料）形成，则包含氮化硅的任何层不应进一 步延伸到透射区域TA中。
[0107] 图2f是示出根据本发明构思的另一实施方式的透明有机发光显示装置的横截 面图。图2f所示的第一基板210F、薄膜晶体管、缓冲层231E、栅绝缘层232F、层间绝缘层 233F、覆盖层234F、有机发光元件240F、堤层235F、滤色器270F和第二基板215F与图2d中 的那些基本上相同，因此重复的描述将被省略。
[0108] 在第二基板215F的透射区域TA中，没有形成滤色器270F，但是可形成透明树脂层 275F。透明树脂层275F被形成为与滤色器270F相同的厚度以去除第二基板215F上的台 阶。
[0109] 封装层260F形成在第一基板110F和第二基板115F之间。封装层260F可保护透 明有机发光显示装置200F的诸如薄膜晶体管和有机发光元件240F的内部元件免受来自外 部的水分、空气和冲击的影响。封装层260F可被称作封装件、封装构件、密封层或密封构 件。具体地讲，封装层260F可形成在第一基板210F中所形成的有机发光元件240F与覆盖 层234F以及第二基板215F中所形成的透明树脂层275E与滤色器270F之间。作为封装层 260F，可使用薄膜封装。
[0110] 图3a是示出根据本发明构思的另一实施方式的透明有机发光显示装置的横截面 图。参照图3a，透明有机发光显示装置300A包括第一基板310A、缓冲层331A、薄膜晶体管 320A、覆盖层334A、有机发光元件340A、滤色器370A和第二基板315A。第一基板310A、缓冲 层331A、覆盖层334A、滤色器370A和第二基板315A与图lc中的那些基本上相同，因此重 复的描述将被省略。尽管图3a中从概念上示出了薄膜晶体管320A和有机发光元件340A， 薄膜晶体管320A和有机发光元件340A与图lc中的那些基本上相同，因此其重复的描述将 被省略。
[0111] 多个绝缘层可形成在第一基板310A和第二基板315A的透射区域TA之间，所述多 个绝缘层可包括缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、覆盖层和钝化层当中的至少两个。参照图 3a，所述多个绝缘层包括缓冲层331A和覆盖层334A。
[0112] 包括在多个绝缘层中的缓冲层331A和覆盖层334A可具有基本上相同的折射率。 具体地讲，当第一基板310A包括玻璃时，第一基板310A的折射率为1. 5。当缓冲层331A包 括氧化硅膜时，缓冲层331A的折射率为1. 45。当覆盖层334A可由PAC形成时，覆盖层334A 的折射率为1. 5。因此，由于缓冲层331A和覆盖层334A的折射率与第一基板310A基本上 一致，所以在透明有机发光显示装置300A的透射区域TA中，诸如在第一基板310A与覆盖 层334A之间以及缓冲层331A与覆盖层334A之间的界面中的光的全反射的扭曲可被最小 化。
[0113] 图3b是示出根据本发明构思的另一实施方式的透明有机发光显示装置的横截面 图。当除了字母以外，标号中的数字相同时，图3a和图3b所示的元件基本上相同，因此其 重复的描述将被省略。
[0114] 多个绝缘层可形成在第一基板310B和第二基板315B的透射区域TA之间，所述多 个绝缘层可包括缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、覆盖层和钝化层当中的至少两个。参照图 3b，所述多个绝缘层包括层间绝缘层333B和覆盖层334B。
[0115] 包括在多个绝缘层中的层间绝缘层333B和覆盖层334B可具有与第一基板310B 基本上一致的折射率。具体地讲，当第一基板310B包括玻璃时，第一基板310B的折射率为 1. 5。当层间绝缘层333B包括氧化硅膜时，层间绝缘层333B的折射率为1. 45。当覆盖层 334A可由PAC形成时，覆盖层334A的折射率为1. 5。因此，由于层间绝缘层333B和覆盖层 334A的折射率与第一基板310B基本上一致，所以在透明有机发光显示装置300B的透射区 域TA中，诸如在第一基板310B与覆盖层134B之间以及层间绝缘层333B与覆盖层331B之 间的界面中的光的全反射的扭曲可被最小化。
[0116] 图3c是示出根据本发明构思的另一实施方式的透明有机发光显示装置的横截面 图。当除了字母以外，标号中的数字相同时，图3a、图3b和图3c所示的元件基本上相同，因 此其重复的描述将被省略。
[0117] 多个绝缘层可形成在第一基板310C和第二基板315C的透射区域TA之间，所述多 个绝缘层可包括缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、覆盖层和钝化层当中的至少两个。参照图 3c，所述多个绝缘层包括缓冲层331C、层间绝缘层333C和覆盖层334C。
[0118] 包括在多个绝缘层中的缓冲层331C、层间绝缘层333C和覆盖层334C可具有与第 一基板310C基本上一致的折射率。具体地讲，当第一基板310C包括玻璃时，第一基板310C的折射率为1. 5。当缓冲层331C包括氧化硅膜时，缓冲层331C的折射率为1. 45。当层间 绝缘层333C包括氧化硅膜时，层间绝缘层333C的折射率为1. 45。当覆盖层334C可由PAC 形成时，覆盖层334C的折射率为1. 5。因此，由于缓冲层331C、层间绝缘层333C和覆盖层 334C的折射率与第一基板310C基本上一致，所以在透明有机发光显示装置300C的透射区 域TA中，诸如第一基板310C、缓冲层331、层间绝缘层333C和覆盖层334C之间的界面中的 光的全反射的扭曲可被最小化。
[0119] 图4是示出根据本发明构思的实施方式的透明有机发光显示装置的制造方法的 流程图。图5a至图5d是示出在示例性透明发光显示装置的示例性制造方法的各个步骤期 间透明有机发光显示装置的示例性实施方式的各个部分的横截面图。
[0120] 首先，提供包括具有第一区域和第二区域的子像素区域的支撑基板（S40)，并且形 成包括第一绝缘层的薄膜晶体管（S41)。将参照图5a和图5b详细描述支撑基板的制备以 及包括第一绝缘层的薄膜晶体管的形成。
[0121] 参照图5a，提供以第一区域EA作为发射区域EA并且以第二区域TA作为透射区域 TA的支撑基板510作为支撑基板510,并且将缓冲层的材料538形成在第一基板510上。缓 冲层的材料538可形成在第一区域EA和第二区域TA二者中。在缓冲层的材料538之后， 在第一区域EA中顺序地形成有源层521、栅绝缘层532和栅电极522,然后在栅电极522上 形成层间绝缘层的材料539。
[0122] 参照图5b，将形成在第二区域TA中的缓冲层的材料538和层间绝缘层的材料539 图案化以去除形成在第二区域TA中的缓冲层的材料538和层间绝缘层的材料539,并且形 成绝缘层，该绝缘层包括形成在第一区域EA中的缓冲层531和层间绝缘层533。包括在薄 膜晶体管中的第一绝缘层可以是缓冲层531和层间绝缘层533。去除形成在第二区域TA中 的缓冲层的材料538和层间绝缘层的材料539可包括对形成在第二区域TA中的缓冲层的 材料538和层间绝缘层的材料539进行干蚀刻。去除形成在第二区域TA中的缓冲层的材 料538和层间绝缘层的材料539可包括在形成在第二区域TA中的缓冲层的材料538和层 间绝缘层的材料539中形成开口。在去除形成在第二区域TA中的缓冲层的材料538和层 间绝缘层的材料539之后，可形成电连接到有源层521的源电极523和漏电极524。支撑基 板510、薄膜晶体管、缓冲层531和层间绝缘层533与图lc中的那些基本上相同，因此其重 复的描述可被省略。
[0123] 随后，在第一区域和第二区域上形成第二绝缘层（S42)。将参照图5c详细描述第 二绝缘层的形成。
[0124] 参照图5c，作为第二绝缘层的覆盖层534形成在包括源电极523和漏电极524的 支撑基板510的整个表面上。形成覆盖层534可包括在第一区域EA中的绝缘层上形成覆 盖层534以及在第二区域TA中形成将与支撑基板510接触的覆盖层534。本文中，在第二 区域TA中形成覆盖层534包括形成覆盖层534以填充形成在缓冲层的材料538以及材料 539中的开口。覆盖层534与图lc所示的基本上相同，因此其重复的描述可被省略。
[0125] 随后，在覆盖层上形成有机发光元件（S43)。将参照图5d详细描述有机发光元件 的形成。
[0126] 参照图5d，形成有机发光元件540包括在覆盖层534中形成连接阳极541和源电 极523的接触孔，并且在第一区域EA的覆盖层534上顺序地形成包括反射层542和透明导 电层543的阳极541、有机发光层544和阴极545。有机发光元件540与图lc所示的基本 上相同，因此其重复的描述可被省略。
[0127] 随后，形成第二基板515以面对第一基板510,并且在第二基