保护膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种保护膜，包括所述保护膜的导电层压体，W及包括所述保护膜的 偏光板。
【背景技术】
[0002] 本发明设及一种保护膜。所述保护膜可W应用于导电层压体或偏光板。
[0003] 透明电极用于多种领域中，例如各种显示设备、光电转换器（如太阳能电池等）、 触摸板等的电极，且通过在透明基板（如玻璃、透明膜等）上形成透明导电薄层来制造。所 述导电薄层需要保护膜在工艺中防止对所述薄层的损害（如污染、刮擦等）。
[0004] 此外，所述偏光板也需要所述保护膜在由所述偏光板制造为LCD组件的过程期间 保护所述偏光板W防外部的碰撞或摩擦，W及污染。
[0005] 需要上述保护膜具有起初将所述保护膜固定于粘附物的程度的压敏粘合性，W及 在工艺完成之后允许将所述保护膜从所述粘附物剥离而不会损伤所述粘附物的低剥离强 度。此外，所述保护膜中包含的压敏粘合剂需要聚合稳定性和足够的适用期。有一种形成 大量的交联W实现低剥离强度的方法，但是上述方法可导致聚合稳定性或适用期等降低的 问题。此外，当向所述保护膜引入添加剂时，剥离是容易的，但可能产生所述添加剂迁移至 所述粘附物的问题，从而导致了光学物理性能等的下降。
[0006] 作为在先专利的专利文件1提出了一种用于防止对所述导电薄层的损害（如污 染、刮擦等）的保护膜。
[0007][技术文献]
[000引[专利文件]
[0009](专利文件1)日本专利申请第4342775号。
【发明内容】
[0010] [技术问题]
[0011] 本发明旨在一种保护膜，包括所述保护膜的导电层压体，W及包括所述保护膜的 偏光板，并提供保护膜，所述保护膜具有控制为低的剥离强度，因而有助于保护膜的移除， 并且所述保护膜具有优异的聚合稳定性和适用期，可W防止由于添加剂而导致的所述添加 剂转移至粘附物的问题。
[001引[技术方案]
[0013] 根据本发明的一个方面，提供了一种保护膜。所述保护膜可应用于导电层压体，并 可用于防止在导电层压体的制造过程中对导电层的损害（如污染、刮擦等）。此外，本发明 的一个实施方式的保护膜可应用于偏光板，并可在由所述偏光板制造为LCD组件的过程期 间保护所述偏光板W防外部的碰撞或摩擦，W及污染。
[0014] 一种示例性的保护膜包括含有压敏粘合剂基础树脂的压敏粘合剂层。所述压敏粘 合剂基础树脂可包含聚有机硅氧烷作为聚合单元。即可将所述聚有机硅氧烷引入所述树脂 中作为聚合单元。
[0015]在本发明的一个实施方式中，所述聚有机硅氧烷的聚合单元可衍生自W下式1的 化合物。作为本说明书中所用的"衍生自"，例如，可指的是，在聚有机硅氧烷的聚合单元形 成聚合物之前，聚有机硅氧烷可由能够成为聚合物的单元的具体化合物形成。
[0016][式U
[0017]
[001引在式1中，n可W是0-1500范围内的整数。在本发明的实施方式中，n可W是 5-1300、10-1000、15-800、20-500、25-400、30-300、35-200 或 40-180 范围内的整数。当控制 所述聚有机硅氧烷的链长时，所述聚有机硅氧烷可适当包含于所述压敏粘合剂基础树脂中 作为聚合单元，从而可获得适于所述保护膜的低剥离强度和聚合稳定性。此外，R可代表相 同或不相同的组分，且可分别代表氨、烷基、烷氧基、締基或诀基。在W上描述中，例如，R可 为含有1至30个碳原子的烷基，更具体地，为甲基、己基或丙基。
[0019] 除非另有规定，本说明书中所用术语"烷基"可指的是具有1至20个碳原子、1至 16个碳原子、1至12个碳原子、1至8个碳原子或1至4个碳原子的直链或支链烷基，或具 有3至20个碳原子、3至16个碳原子或4至12个碳原子的环烷基。所述烷基可W任意地 被一个或多个取代基所取代。
[0020] 除非另有规定，本说明书中所用术语"烷氧基"可指的是具有1至8个碳原子或1 至4个碳原子的烷氧基。所述烷氧基可具有直链、支链或环形。此外，所述烷氧基可W任意 地被一个或多个取代基所取代。
[0021] 此外，除非另有规定，本说明书中所用的"締基"可指的是具有2至20个碳原子、2 至16个碳原子、2至12个碳原子、2至8个碳原子或2至4个碳原子的締基。所述締基可 具有直链、支链或环形。此外，所述締基可W任意地由一个或多个取代基所取代。
[0022] 此外，除非另有规定，本说明书中所用的"诀基"可指的是具有2至20个碳原子、2 至16个碳原子、2至12个碳原子、2至8个碳原子或2至4个碳原子的诀基。
[0023] 此外，式1的P可W是可聚合官能团。即可通过所述可聚合官能团将所述聚有机 硅氧烷引入所述树脂中。此外，可不需特别限定地采用能够被聚合的任意官能团作为所述 可聚合官能团，例如，所述可聚合官能团可W是締基、环氧基、氯基、駿基、丙締酷基、甲基丙 締酷基、丙締酷氧基或甲基丙締酷氧基。
[0024]此外，在本发明的一个实施方式中，所述可聚合官能团可仅与聚有机硅氧烷链的 一端结合。即可将可聚合官能团形成于两端的聚有机硅氧烷排除在式1的化合物之外。在 W上描述中，当可聚合双键存在于两端时，在聚合期间进行交联，从而可能形成在溶剂中不 溶的沉淀，或者可能会难W从反应器收集树脂。即交联可在涂布后熟化的条件下形成，且可 不在制备树脂的工艺中形成。
[0025]合成所述聚有机硅氧烷的方法不作特别的限定，例如，可包括；通过氨化硅烷化使 具有可与所述压敏粘合剂基础树脂交联的官能团的己締化合物与具有SiH基的娃酬树脂 反应，从而将可聚合官能团引入所述娃酬树脂的方法；硅氧烷化合物与具有可聚合官能团 的硅氧烷化合物的缩合反应的方法，等等。
[0026]在本发明的实施方式中，所述聚有机硅氧烷可具有，例如，3000-20000g/mo1、 3500-18000g/mol、4000-16000g/mol或 4500-14000g/mol的官能团当量作为如上所述的一 端。当所述官能团当量小于3000g/mol时，则在将要获得的压敏粘合剂基础树脂聚合时不 能将所述聚有机硅氧烷充足地引入所述压敏粘合剂基础树脂，且粘附物可能被污染或者剥 离性能可能不会充分展现出来。此外，当所述官能团当量大于20000g/mol时，则可能不会 获得足够的粘着力，且交联可在聚合期间进行，从而可能形成在溶剂中不溶的沉淀，或者可 能会难W从反应器收集所述树脂。
[0027] 此外，所述聚有机硅氧烷的重均分子量不作特别的限定，且可优选在300-100000 的范围内。当所述分子量在300W下时，将要获得的压敏粘合剂基础树脂的耐热性可能会 不足，且当所述分子量在100000W上时，所述聚有机硅氧烷可能会难W与所述压敏粘合剂 基础树脂混合。在本发明的实施方式中，所述分子量，例如，可在400-50000、400-30000或 500-20000的范围内。此外，所述聚有机硅氧烷可在25°C下具有30-500mmVs(平方毫米/ 秒）、40-400mm2/s、50-300mm2/s或550-200mm2/s的粘度。所述分子量或粘度可能随所述聚 有机硅氧烷的链长而不同，且当控制所述聚有机硅氧烷的链长在上述范围内时，所述聚有 机硅氧烷可