切割刀70抵于白光晶粒I边缘时，便可将白光晶粒I侧表面及承载部3上之间连接的荧光层20切断。若荧光层20仍未完全断裂，当吸取头60吸取白光晶粒I并上升时，白光晶粒I侧表面及承载部3上之间连接的荧光层20受拉力而可完全断裂，使被吸取的白光晶粒I与其余白光晶粒I分离，成单独白光晶粒I。切割荧光层20可使得白光晶粒I边缘的荧光层20的断裂面较好，且不易因拉扯造成荧光层20的破裂、损坏。
[0046]步骤S06:如图7所示，利用吸取装置5将已分割的白光晶粒I进行检测，目测白光晶粒I的外观，并利用仪器点测白光晶粒1，可测得荧光层20设置于晶粒10上的色温及发光效率。传统于裸晶阶段的测试，仅能于晶粒10尚未铺设荧光层20时测试其光学特性，故相较传统裸晶阶段的测试，本发明所提供的白光晶粒制造方法，可点测出较为准确的晶粒点测数据及优劣，并可提早淘汰不良的白光晶粒1，避免进入固晶、封装阶段后增加更多损失。通过上述步骤，白光晶粒I已经过多次检测，因此所发出光线的各项数据较为精准，较可控制其品质。
[0047]并且，通过此阶段的检测，即可得知铺设有荧光层20的白光晶粒I所发出的光是否为本次制造所需，如所测数值不符合，则可将荧光层20洗掉，重新铺设新的荧光层20。测试后的白光晶粒I的信息可传送至一控制单元(图未示)，如:电脑…，以供制造者掌握白光晶粒I信息。
[0048]步骤S07:放置该白光晶粒I于一存放区4,此存放区4既可为一基板41。或可为白光晶粒I的暂时存放区4，集中白光晶粒I以便于后续的检测、固晶等步骤。
[0049]步骤S08:固定白光晶粒于一基板41上。将前述已检测、分类的白光晶粒I固晶，并可进入封装阶段。白光晶粒I进入封装阶段后可再次检测，因此白光晶粒I由最初晶粒10的阶段至封装阶段，其可经过多次检测，令其发光落点较为准确。
[0050]参图2所示，本发明所提供的另一白光晶粒的制造方法，将上述步骤S06、S07调换。
[0051]上述即为白光晶粒I的制造方法，以下说明吸取装置5的结构。
[0052]参图5、图6、图7所示，切割刀70设置于移动轴50的一端，使两个切割刀70之间的距离与白光晶粒I的宽度相同。使得移动轴50向下移动时可直接抵于荧光层20。
[0053]参图8、图9及图10所示，本发明另一实施例所提供的吸取装置5，其切割刀70的一端枢接于移动轴50的一端，使该组切割刀70之间可调整开合角度，使得切割刀70于抵靠荧光层20之后，该组切割刀70之间可相互远离(意即远离白光晶粒1)，以避免切割刀70于白光晶粒I移动过程中，造成白光晶粒I的损坏。于切割刀70抵于荧光层20时，该对切害I]刀70尖端之间的间距为白光晶粒I的宽度，切割刀70尖端与吸取头60的吸取端之间的距尚应为白光晶粒I的厚度。
[0054]参图12及图13所示，本发明还提供另一实施例的吸取装置5，于此实施例中，切割刀70可移动地设置于移动轴50上。如图8所示，当欲利用切割刀70切割荧光层20时，切割刀70尖端与吸取头60的吸取端之间的距离同样为白光晶粒I的厚度。如图9所示，当白光晶粒I已分离成独立的白光晶粒I时，即荧光层20切断后，切割刀70沿移动轴50的轴向朝上移动，使切割刀70远离已被吸取头60吸附的白光晶粒I。切割刀70于移动轴50上的移动机构并不限定，可利用弹簧、电磁控制等结构控制切割刀70移动。
[0055]综上所述，本发明所提供制造白光晶粒的方法及吸取装置至少具有以下优点:利用喷洒荧光胶的方式涂布荧光层于晶粒上，使得荧光层可均匀分布于晶粒的上表面及侧表面；利用吸取的方式分离白光晶粒，以提高制造的速度；利用同时切割吸取白光晶粒，以减少吸取装置的定位次数，提高制造的速度，并使白光晶粒的断裂面较漂亮；利用分离后的白光晶粒具有荧光层及晶粒，使得白光晶粒检测较为准确；利用于多个阶段分选晶粒，使得芯片规格较精准，品质较易管控，且晶粒可重复加工已达标准；利用吸取装置同时设有切割刀及吸取头，使得白光晶粒可同时被切割及吸取，减少定位次数；利用切割刀可移动地设置于移动轴上，可避免移动时，切割刀与白光晶粒碰触。
[0056]以上所述仅是本发明的实施例，其并非用以局限本发明的专利范围。
【主权项】
1.一种白光晶粒制造方法，其特征在于，所述白光晶粒制造方法包括以下步骤: 提供一晶粒阵列，所述晶粒阵列包括多个分离的晶粒，所述晶粒阵列配置于一承载片上； 将一荧光胶覆盖于所述晶粒的表面及所述承载片的部分表面； 将所述荧光胶固化成一荧光层，每一个所述晶粒与形成于所述晶粒上的所述荧光层共同形成一白光晶粒； 利用一吸取装置分离所述白光晶粒与所述承载片，所述吸取装置包括一吸取头，所述吸取头吸取所述白光晶粒；以及 将所述白光晶粒放置于一存放区。2.根据权利要求1所述的白光晶粒制造方法，其特征在于，在固化所述荧光胶的步骤中，以烘烤方式对所述荧光胶进行固化。3.根据权利要求1所述的白光晶粒制造方法，其特征在于，所述承载片是由能承受100摄氏度以上的材质制成。4.根据权利要求1所述的白光晶粒制造方法，其特征在于，在利用所述吸取装置分离所述白光晶粒与所述承载片的步骤之后，对所述白光晶粒进行检测。5.根据权利要求4所述的白光晶粒制造方法，其特征在于，在利用所述吸取装置的步骤之前，将所述吸取装置移动至欲吸取的所述白光晶粒的正上方；在对所述白光晶粒进行检测的步骤之后，将所述白光晶粒固定于一基板上。6.根据权利要求1所述的白光晶粒制造方法，其特征在于，所述吸取装置还包括一组设置于所述吸取头的周围的切割刀，当所述吸取头吸取所述白光晶粒时，所述切割刀的尖端同时抵靠于所述白光晶粒的边缘的所述荧光层。7.根据权利要求6所述的白光晶粒制造方法，其特征在于，所述切割刀于抵靠所述荧光层后，所述切割刀远离所述白光晶粒。8.根据权利要求7所述的白光晶粒制造方法，其特征在于，所述切割刀之间的间距与所述白光晶粒的宽度相同，所述切割刀的尖端与所述吸取头的吸取端之间的距离等同于所述白光晶粒的厚度。9.根据权利要求8所述的白光晶粒制造方法，其特征在于，所述切割刀能移动地设置于一移动轴上。10.根据权利要求9所述的白光晶粒制造方法，其特征在于，所述切割刀的一端枢接于所述移动轴的一端。
【专利摘要】一种白光晶粒制造方法，其步骤包括：提供一晶粒阵列，晶粒阵列包括多个分离的晶粒，晶粒阵列配置于一承载片上；将一荧光胶覆盖于这些晶粒的表面及部分承载片的表面；固化荧光胶成一荧光层，荧光层与晶粒共同形成一白光晶粒；利用一吸取装置，吸取装置包括一吸取头，吸取头吸取白光晶粒，分离白光晶粒与承载片；将白光晶粒放置于一存放区。
【IPC分类】H01L33/00, H01L33/50
【公开号】CN104934506
【申请号】CN201410103218
【发明人】黄建中, 吴志明, 陈逸勋, 柯丽娟
【申请人】弘凯光电(深圳)有限公司, 弘凯光电股份有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2014年3月19日