比以往更高精度且高效率地进行色度的调整的发光装置的制造方法以及制造装置。
[0059]以下，对于实施例涉及的发光装置的制造方法以及制造装置，参照附图进行说明。而且，以下说明的实施例，都示出本发明的优选的一个具体例子。因此，以下的实施例所示的、数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置及连接形态等是，一个例子，而不是限定本发明的宗旨。因此，对于以下的实施例的构成要素中的、示出本发明的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素而被说明。
[0060]而且，各个图是模式图，并不一定是严密示出的图。并且，在各个图中，对于实质上相同的结构，附上相同的符号，会有省略或简略化重复的说明的情况。
[0061](实施例1)
[0062]首先，说明实施例1涉及的发光装置。图1是示出实施例1涉及的设置有发光装置的基板的图。图2是以A-A线来切断图1示出的发光装置的截面图。
[0063]如图1示出，发光装置100，例如，安装在基板10上，用于照明用光源、以及照明装置。在图1中，基板10是，在中央设置有开口的俯视形状为圆形的基板，在基板10上的圆周方向上排列设置有多个发光装置100。而且，设置有发光装置100的基板10，具体而言，用于灯泡形的LED灯(照明用光源)。
[0064]发光装置100是，所谓SMD (Surface Mount Device)型的发光装置，发出白光。如图2示出，发光装置100具备，LED芯片110 (发光元件)、由包含荧光体130的透光性树脂构成的颜色变换部120 (荧光体层120a以及树脂层120b)、封装体140、引线框架150、以及接合线160。
[0065]LED芯片110是，作为发光元件的一个例子的、发出单色的可见光的裸芯片，由小片连接材料(小片接合材料)小片接合安装在封装体140的凹部的底面。对于LED芯片110，例如，可以利用发出蓝光的蓝色发光LED芯片。对于蓝色发光LED芯片，例如，可以利用由InGaN系的材料构成的、中心波长为440nm至470nm的氮化镓系的半导体发光元件。
[0066]颜色变换部120是，包含作为光波长变换材料的荧光体130的透光性树脂，对来自LED芯片110的光进行波长变换，并且，密封LED芯片110来保护LED芯片110。构成颜色变换部120的透光性树脂，填充在封装体140的凹部，装入到该凹部的开口面。构成颜色变换部120的透光性树脂是，具体而言，二甲基硅树脂、苯基硅树脂、倍半硅氧烷树脂、环氧树脂、氟树脂、丙烯树脂、聚碳酸脂树脂等。
[0067]在实施例1中，颜色变换部120具有荧光体层120a、以及树脂层120b。荧光体层120a是，至少覆盖LED芯片110的光射出侧(上部)的、由包含荧光体130的透光性树脂构成的层。树脂层120b是，被设置在荧光体层120a的上方的由透光性树脂构成的层，不包含荧光体130。而且，也可以不设置树脂层120b。
[0068]而且，颜色变换部120也可以，被形成为薄板状或板状，被设置为堵塞封装体140的凹部的开口面。在此情况下，颜色变换部120，以与LED芯片110之间设置空隙的状态，由粘合剂等固定在封装体140的开口面。
[0069]荧光体130是，被LED芯片110发出的光激励而发出黄色荧光的黄色荧光体。在LED芯片110为蓝色发光LED的情况下，荧光体130是，YAG(钇铝石榴石)系的黄色荧光体。而且，荧光体130也可以是，正硅酸盐系荧光体、以及氧氮化物荧光体。荧光体130，大致为球状，颜色变换部120内包含有多个荧光体130。
[0070]一般而言，荧光体被与自己辐射的光相比更短波长的光激励。因此，从荧光体130发出的光(第二光)成为，与来自发光元件I1的福射光(第一光)相比更长波长的光。具体而言，荧光体130发出，波长比450nm长的黄色荧光。
[0071]如此，荧光体130，被LED芯片110的蓝光激励而放出黄色荧光，因此，从发光装置100 (颜色变换部120)，因激励后的黄色荧光和蓝光而放出具有比较宽范围的波段(例如400nm至680nm左右)的谱分布的白光。
[0072]封装体140是，将非透光性树脂(白树脂等)成形而成的容器，具备逆圆锥梯形状的凹部(空腔)。凹部的内侧面是倾斜面，被构成为使来自LED芯片110的光向上方反射。封装体140，具体而言，由酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、BT树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)等的树脂形成。而且，封装体140也可以，由陶瓷形成。
[0073]引线框架150是，一对正负的电极。引线框架150，用于将LED芯片110、和被设置在基板10上的外部电极(不图示)连接，例如，由铁、磷青铜、铜合金等的金属部件构成。引线框架150，通过接合线160与LED芯片110连接。
[0074]接着，说明发光装置100的制造装置。图3是示出发光装置100的制造装置的模式图。
[0075]如图3示出，制造装置200具备，照射部210、色度测量部220、状态测量部225 (测量部)、载置台240、控制部250、显示装置260、输入装置270、调整部280、第一相机221、以及第二相机222。并且，照射部210具有，激光振荡器210a、以及光学系统210b，调整部280具有，第一机构280a、以及第二机构280b。而且，也可以代替第一相机221及第二相机222，而利用具有第一相机221以及第二相机222的功能的一个相机。
[0076]照射部210，通过照射能够透过颜色变换部120的激光230来直接加工荧光体，对从发光装置100发出的光的色度进行调整。照射部210，具体而言，将由激光振荡器210a发出的激光，经由光学系统210b照射到发光装置100，从而直接加工荧光体。
[0077]照射部210 (激光振荡器210a)是，例如，YAG激光器(振荡波长1064nm)、飞秒激光器(振荡波长780nm)、以及微微秒激光器(振荡波长1040nm)等。这样的激光器发出的激光230，由于透过硅系等的树脂，因此，直接照射到荧光体130。也就是说，照射部210，不给构成颜色变换部120的透光性树脂带来热损害而能够加工荧光体130。其中，若利用作为照射部210 (激光振荡器210a)的飞秒激光器以及微微秒激光器等的短脉冲激光器(超短脉冲激光器)，则能够加工相对于构成颜色变换部120的透光性树脂而热影响少的荧光体130。
[0078]光学系统210b，由进行激光的聚光的聚光透镜和多面反射镜那样的扫描光学系统的组合而成，如图3示出，被配置在与用于设置发光装置100的载置台240相对的位置。
[0079]图4是照射部210的外观图。如图4示出，照射部210，向放置在载置台240的发光装置100照射激光230。发光装置100，可以以安装在基板10的状态来放置在载置台240，发光装置100也可以以单体放置在载置台240。
[0080]照射部210，利用光学系统210b在颜色变换部120中设定激光230的焦点位置，仅对该焦点位置周边的荧光体130，由激光230的照射进行加工。非常高的能量投入(集中)到激光230的焦点位置，因此，焦点位置的温度，达到例如数千k(开尔文)以上，焦点位置的压力，达到IGPa左右。其结果为，照射部210，能够直接加工存在于激光230的焦点位置周边的荧光体130。
[0081]控制部250，控制激光振荡器210a发出激光的定时、激光振荡器210a发出的激光的强度(能量)以及波长等。
[0082]调整部280，对激光振荡器210a、光学系统210b、以及发光装置100的相对位置关系进行调整，从而对激光230的照射位置与发光装置100的相对位置关系进行调整。
[0083]在实施例1中，调整部280，在固定激光振荡器210a的位置的状态下，由第一机构280a驱动光学系统210b以及载置台240，从而对激光230的照射位置与发光装置100的相对位置关系进行调整。
[0084]第一机构280a是，在激光230的光轴方向(图3的Z轴方向)以及与光轴方向正交的方向(图3的X轴方向或Y轴方向)上，使针与发光装置100对应的激光230的焦点的相对位置变化的机构。
[0085]第一机构280a，具体而言，使光学系统210b的聚光透镜在Z轴方向上移动，从而使激光230的焦点位置在Z轴方向上变化。并且，第一机构280a，使载置台240在X轴方向或Y轴方向上平行移动，从而使激光230的焦点位置在X轴方向、Y轴方向上变化。
[0086]据此，照射部210，能够使激光230对焦于颜色变换部120中的荧光体130。
[0087]并且，在实施例1中，调整部280还具有，使激光230的光轴相对于发光装置100的倾斜度变化的第二机