容纳单元及包括该容纳单元的基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种处理基板的装置，更详细而言，涉及一种用于容纳电子装置的容纳单元及包括该容纳单元的基板处理装置。
【背景技术】
[0002]一般来讲，半导体元件是通过在晶片上以薄膜形式沉积多种物质并对其形成图案而制造的。为此，需要执行沉积工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、干洗工艺、清洗工艺等诸多阶段的互相不同的工艺。
[0003]近年来，随着半导体设备的微细化及高集成化，要求工艺的高精密化、复杂化以及晶片的大口径化等，从通过复合工艺的增加或单型化来提高生产量的观点，人们使用能够统括处理半导体设备的制造工艺的集束(Cluster)型半导体制造装置。
[0004]集束型的半导体制造装置包括工艺设备和向工艺设备搬入和搬出晶片的设备前方端部模块(Equipment Front End Module，EFEM)。工艺设备包括传送室、真空隔绝室以及多个工艺室，真空隔绝室和多个工艺室配置在传送室的周围。
[0005]所述工艺设备或多个工艺室通过位于一侧或下部的多个电子装置来运转。这些电子装置置于外壳等容纳容器内，从而控制整体工艺设备或各个工艺室。配置了电子装置的装备可以通过门来进行开闭操作，以进行维修等管理，此时为了防止发生电安全事故而进行接地。
[0006]图1示出了在具备电子装置的框架中门I和框架2的内部被接地(ground)连接的状态。如此，通过接地连接来防止在电装置中发生的漏电现象。然而，如上述结构的连接，在接地性能的安全性、框架内部空间的利用或操作人员的操作空间的确保方面存在不足的部分。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于，提供一种通过强化接地性能来能够提供更加稳定的作业环境的容纳容器及包括该容纳容器的基板处理装置。
[0008]而且，本发明的目的在于，提供一种有助于内部空间的利用和维修管理时的作业空间的确保的容纳容器及包括该容纳容器的基板处理装置。
[0009]本发明要解决的技术问题不局限于此，本领域技术人员能够从以下的记载内容明确地理解未言及的其他技术问题。
[0010]本发明提供一种基板处理装置。根据本发明的一实施例的基板处理装置，包括:多个工艺室，用于执行对基板的处理工艺；容纳单元，容纳用于使所述工艺室运行的电子装置。所述容纳单元包括:本体，在一面上具有开口 ；门，用于以推拉式开闭所述开口 ；铰合部，具备与所述本体固定结合的第一铰合片和与所述门固定结合的第二铰合片；导线，一端电连接于所述本体，另一端电连接于所述门。所述本体和所述门之一接地，所述导线以通过所述铰合部的方式被配置。
[0011]根据一实施例，在所述第一铰合片形成有第一孔和第一槽，在所述第二铰合片形成有第二孔和第二槽，所述第一孔、所述第一槽、所述第二槽及所述第二孔顺次配置，所述导线插入所述第一槽和所述第二槽中，并通过所述第一孔和所述第二孔。
[0012]根据一实施例，当所述第一铰合片和所述第二铰合片位于同一平面上时，使所述第一孔、所述第一槽、所述第二槽及所述第二孔被顺次排列。
[0013]根据一实施例，所述导线通过形成于所述第一铰合片的第一孔和形成于所述第二铰合片的第二孔。
[0014]根据一实施例，在所述第一铰合片形成有第一槽，在所述第二铰合片形成有第二槽，所述导线插入所述第一槽和所述第二槽内。
[0015]另外，本发明提供一种容纳单元。根据本发明的一实施例的容纳单元，本体，在一面上具有开口 ；门，用于以推拉式开闭所述开口 ；铰合部，具备与所述本体固定结合的第一铰合片和与所述门固定结合的第二铰合片；导线，一端电连接于所述本体，另一端电连接于所述门。所述本体和所述门之一接地，所述导线以通过所述铰合部的方式被配置。
[0016]根据一实施例，在所述第一铰合片形成有第一孔和第一槽，在所述第二铰合片形成有第二孔和第二槽，所述第一孔、所述第一槽、所述第二槽及所述第二孔顺次配置，所述导线插入所述第一槽和所述第二槽中，并通过所述第一孔和所述第二孔。
[0017]根据一实施例，当所述第一铰合片和所述第二铰合片位于同一平面上时，使所述第一孔、所述第一槽、所述第二槽及所述第二孔被顺次排列。
[0018]根据一实施例，所述导线通过形成于所述第一铰合片的第一孔和形成于所述第二铰合片的第二孔。
[0019]根据一实施例，在所述第一铰合片形成有第一槽，在所述第二铰合片形成有第二槽，所述导线插入所述第一槽和所述第二槽内。
[0020]根据本发明的实施例的容纳单元以及包括所述容纳单元的基板处理装置，通过强化接地性能能够提供更加稳定的作业环境。
[0021]另外，根据本发明的实施例的容纳单元以及包括所述容纳单元的基板处理装置，有助于内部空间的利用和维修管理时的作业空间的确保。
[0022]本发明的效果不局限于以上所述的效果，本领域技术人员能够从权利要求书的记载内容明确理解未言及的其他效果。
【附图说明】
[0023]本说明书的以下附图用于例示本发明的优选实施例，附图与上述的
【发明内容】
一起起到使得进一步理解本发明的技术思想的作用，因此本发明不应该仅限定于这些附图所记载的事项而被解释。
[0024]图1是示出了通常的接地连接的一例的图。
[0025]图2是简略示出了根据本发明一实施例的基板处理装置的俯视图。
[0026]图3是从B方向观看图2的工艺室和容纳单元的图。
[0027]图4是图2的容纳单元的立体图。
[0028]图5是图4的A部分的第一实施例。
[0029]图6是图4的A部分的第二实施例。
[0030]图7是图4的A部分的第三实施例。
[0031]图8是图4的A部分的第四实施例。
[0032]图9是图5的其他实施例。
[0033]附图标记说明
[0034]10:基板处理装置100:工艺室
[0035]200:容纳单元210:本体
[0036]220:门230:铰合部
[0037]231:第一铰合片231a:第一孔
[0038]231b:第一槽232:第二铰合片
[0039]232a:第二孔232b:第二槽
[0040]240:导线300:加载台
[0041]400:设备前方端部模块 500:真空隔绝室
[0042]600:工艺处理室700:传送室
【具体实施方式】
[0043]以下，参照附图详细说明本发明的优选实施例。为了进行明确的说明，在各附图中简略或夸张示出了一部分。请注意，关于对附图中的构成要素赋予附图标记，即使在不同的附图上表示，对同一构成要素尽可能地赋予了相同的附图标记。另外，在本发明的说明中，如果判断为对相关的公知结构或性能的具体说明有可能使本发明的要旨变得不清楚，则省略其详细说明。
[0044]图2是简略示出了根据本发明一实施例的基板处理装置的俯视图，图3是从B方向观看图2的工艺室和容纳单元的图，图4是图2的容纳单元的立体图。
[0045]参照图2至图4，基板处理装置10包括载台(load port)，300、设备前方端部模块(equipment front end module，EFEM400)、真空隔绝室 500 以及工艺处理室 600。
[0046]加载台300、设备前方端部模块400、真空隔绝室500以及工艺处理室600顺次配置成一列。以下，将配置加载台100、设备前方端部模块400、真空隔绝室500以及工艺处理室600的方向称之为第一方向X，将从上部观看时，垂直于第一方向X的方向称之为第二方向Y。另外，将垂直于第一方向和第二方向X，Y的方向称之为第三方向Z。
[0047]工艺处理室600沿着第一方向X配置在真空隔绝室500的后方。工艺处理室600包括多个工艺室100、容纳单元200以及传送室700。
[0048]加载台300配置在基板处理装置10的前端部，并具备多个支撑部310。各个支撑部310沿着第二方向Y配置成一列。在各个支撑部310设置搬运器320例如，卡匣、FOUP等。在搬运器320的内部收纳将要提供给工艺处理的基板W及结束工艺处理的基板W。
[0049]设备前方端部模块400位于加载台300的后方。设备前方端部模块400包括框架410和搬运机械手420。框架410配置在加载台300和真空隔绝室500之间，并在内部形成有空间。框架410配置成其长度方向与第二方向Y相一致。搬运机械手420配置在框架410的内部。搬运机械手420沿着向第二方向Y配置的搬运轨道430而移动。搬运机械手420在搬运器320和真空隔绝室500之间搬运基板W。
[0050]真空隔绝室500配置在设备前方端部模块400的后方。真空隔绝室500提供如下空间，即:将要提供给工艺处理的基板W在搬运至工艺室100之前等待的空间；以及结束了工艺处理的基板W在搬运至设备前方端部模块400之前等待的空间。真空隔绝室500的内部转换成真空及大气压。真空隔绝室500防止外部的污染物质进入至传送室700和工艺室100。在真空隔绝室500和传送室700之间、以及在真空隔绝室500和设备前方端部模块400之间设置门440，720。在设备前方端部模块400和真空隔绝室500之间移动基板W时，设置在真空隔绝室500和传送室700之间的门720被关闭；在真空隔绝室500和传送室700之间移动基板W时，设置在真空隔绝室500和设备前方端部模块400之间的门440被关闭。
[0051]从上部观看时，传送室700具有多边形本体。传送室700的内部保持真空。在传送室700的侧部，真空隔绝室500和多个工艺室100沿着传送室700的周围而被配置。在与真空隔绝室500相邻的侧壁上形成使基板W进出的通路710。通路710用于连接传送室700和真空隔绝室500。
[0052]在传送室700的内部配置处理机械手730。处理机械手730在真空隔绝室500和多个工艺室100之间搬运基板W。处理机械手730将在真空隔绝室500等待的基板W搬运至工艺室100，或者将在工艺室100结束工艺处理的基板W搬运至真空隔绝室500。另外，在多个工艺室100之间顺次搬运基板W。
[0053]若根据实施例，从上部观看时，传送室700具有四边形的本体。在与设备前方端部模块400相邻的一侧壁上配置真空隔绝室500，而在剩余的侧壁上连续配置多个工艺室100。除上述形状外，传送室700根据所需要的工艺模块可以以多种形式提供。
[0054]工艺室100对基板W执行规定的工艺。例如，工艺室100可执行诸如灰化、沉积、蚀刻及烘焙等工艺。在各个工艺室100可以执行相同工艺。选择性地，在多个工艺室100之间可以顺次执行对基板的一连串工艺。
[0055]工艺室100执行基板W的处理工艺。工艺室100具备外壳110和支撑构件120。外壳110在内部提供用于执行工艺的空间。外壳110的内部保持真空。支撑构件120设置在外壳110内部，用于在执行工艺时支撑基板W。支撑构