的中断相对于彼此错开地设置。借助这种设置能够实现，对具有操控电路的载体也在各个像素的尤其借助于有源矩阵操控电路的单独的可操控性的情况下相对于在显示设备I运行时由有源区域20朝向载体5的方向放射的辐射进行保护。所述辐射由至少一个金属化层沿横向方向连续地、即在每个部位上阻止进入到载体5中，并且还能够至少部分地朝向辐射出射面的方向转向。因此避免，载体5、尤其在有源区域之下并且沿横向方向在有源区域之间经受所产生的辐射。由此，使由辐射引起的故障或操控电路54的退化的风险最小化。
[0057]第一金属化层31具有多个留空部310。在留空部中构成贯通接触部320，经由所述贯通接触部，相应的像素的第二金属化层32与相关的第二连接面52导电地连接。在显示设备的俯视图中，贯通接触部310完全地由第二金属化层32遮盖。留空部310优选环形地构成。已证实的是，由此使半导体本体2未由连接层7机械支撑的面积最小化。因此，例如相对于线形的留空部减小了形成裂缝的风险。显而易见，对于留空部也考虑其他的几何基本形状，例如多边形的、例如矩形的、尤其正方形的或六边形的基本形状。
[0058]在示出的实施例中，第二金属化层32为每个像素2a、2b形成与相关的开关55的第二连接面52的导电的连接。第一半导体层21连续地借助于第一金属化层31电接触，使得第一金属化层形成用于显示设备的所有像素2a、2b的共同的接触部并且直接与引线57连接。
[0059]共同的接触部能够在一个或多个部位处与引线57连接或直接从显示设备I中引出。
[0060]在第一金属化层31和第二金属化层32之间设置有第一绝缘层41，例如氧化娃层。绝缘层用于在第一金属化层31和第二金属化层32之间的电绝缘以及第一金属化层与第二半导体层22和有源区域20在凹部25的区域中的电绝缘。半导体层序列2的、尤其有源区域20的侧面由第二绝缘层42覆盖。侧面能够如在图1A中示出的那样具有正的侧面角。在此情况下，半导体层序列的横向扩展朝向载体的方向增加。但是，替选地，也能够设有负的侧面角。
[0061]在显示设备I运行时，像素2a、2b能够经由开关55彼此独立地并且尤其同时地运行。因此，与像素成行地且成列地与接触导线连接的设计方案不同地，能够提高像素的数量，而为此在预设的重复频率的情况下不必减少每像素的开关时间。因此，为了像素的相同的亮度，不必提高穿过像素的电流。虽然像素的单独的可操控性，借助于如所描述的重叠的金属化层确保，在运行中所产生的辐射不能进入到载体5中并且在那造成操控电路54的损坏或故障。
[0062]在示出的实施例中，半导体层序列2在像素2a、2b之上连续地延伸。因此，有源区域20构成为连续的区域。在所述实施例中，像素的横向扩展基本上经由第二金属化层32的横向尺寸得出。因此，第二金属化层的通过在像素之间的中断部彼此分开的区域确定像素的形状。像素能够如在图1B中示出的那样具有正方形的基本形状。但是，与此不同地，也能够应用其他的基本形状，尤其至少局部弯曲的或多边形的、例如三角形的、矩形的或六边形的基本形状。
[0063]在像素2a、2b的第二金属化层32的区域之间的中断部的区域中，第一金属化层31在显示设备I的俯视图中连续地伸展，使得载体5的主面50在像素之间在任何部位都不可见。因此，有效地阻止在运行中产生的辐射进入到具有操控电路54的载体5中。
[0064]第一连接面51和第二连接面52的设计方案与第一金属化层31和贯通接触部320的设计方案是对称的，使得第一连接面51与第一金属化层并且第二连接面与贯通接触部能够以简单的方式在制造时经由连接层7彼此连接。
[0065]凹部25的数量能够与像素的大小和第一半导体层的横向传导率相关地在大的范围中变化。因此，与示出的实施例不同地，每个像素不必具有自身的凹部25或甚至多个自身的凹部25。更确切地说，多个并排设置的像素也能够具有共同的凹部25。在极端情况下，单个凹部能够对于整个显示设备是足够的。
[0066]各个像素2a、2b的边长能够在大的范围中变化。例如，边长能够在I μπι和Imm之间，其中包含边界值。对于像素化的前照灯的构成方案，例如对于机动车辆中的适应性前灯照明系统(adaptive front lighting system, AFS)，边长例如优选在 20 μ m 和 150 μ m 之间，其中包含边界值。对于投影显示，边长优选在I μ m和5 μ m之间，其中包含边界值。
[0067]相邻的像素之间的不发射的间距能够在0.5 μ m和20 μ m之间，其中包含边界值。
[0068]在半导体层序列的辐射出射面29上构成有辐射转换元件6。在示出的实施例中，辐射转换元件构成为连续的元件，所述元件具有多个区段6a、6b。每个像素与刚好一个区段相关联。在相邻的区段之间分别构成有分离连接片61。借助于分离连接片，能够将区段6a、6b光学地彼此隔离。因此，提高在像素2a、2b之间的光学分离。尤其，与转换元件的厚度和/或与转换元件中的散射中心的密度相关地，也能够弃用分离连接片。
[0069]对于设为用于示出全色的静止的或运动的图像的显示设备1，区段6a、6b能够设为用于产生具有带有彼此不同的峰值波长的次级波长的辐射。例如能够借助于三个区段6a、6b形成用于产生在红色的、绿色的和蓝色的光谱范围中的三重色。显而易见，也可考虑的是，辐射转换元件6不连续地构成并且将辐射转换元件以机械地彼此分离的单个区段的形式施加到相应的像素2a、2b上。
[0070]辐射转换元件6能够以预制的形式固定在辐射出射面29上或直接构成在辐射出射面上。此外，辐射转换元件例如能够借助于陶瓷颗粒、量子点或有机分子形成。其能够嵌入到基质材料中，例如聚合物基质材料，例如硅树脂或环氧化物或具有硅树脂或环氧化物的杂化材料。替选地，辐射转换元件也能够形成为陶瓷的辐射转换元件，其中设为用于辐射转换的颗粒例如仅通过烧结形成陶瓷或借助于其他材料组合成陶瓷。
[0071]为像素化的前照灯也能够相同类型地构成辐射转换元件6的区段6a、6b。例如，区段能够设为用于在有源区域20中产生的蓝色辐射到黄色光谱范围中的次级辐射的辐射转换，使得对于肉眼而言放射呈现白色的光。
[0072]替选地，辐射转换元件6能够构成为连续的元件，所述元件延伸超过像素2a、2b。辐射转换元件尤其能够一件式地构成。
[0073]与所描述的实施例不同地，第二金属化层32也能够构成为用于像素2a、2b的共同的接触部。在该情况下，像素经由第一金属化层31分别与相关的开关导电地连接。
[0074]因此，在所描述的实施例中，第一金属化层和第二金属化层不仅用于电接触像素、而且也用于对具有操控电路54的载体5相对于由有源区域20和辐射转换元件6放射的辐射进行连续的保护。
[0075]与所描述的实施例不同地，操控电路54也能够与载体5分开地构成。例如，操控电路能够借助于一个或多个设置在具有半导体层序列2的至少一个半导体本体和载体之间的层形成。在将具有半导体层序列的半导体本体固定在载体5上之前，例如能够借助于沉积法，如借助于PECVD (等离子体增强化学气相沉积)将层沉积在具有半导体层序列2的半导体本体上。例如，操控电路54能够具有多晶半导体材料、例如多晶硅。为了制造半导体材料，能够沉积无定形材料并且随后再结晶。与无定形半导体材料相比，多晶的或单晶的半导体材料能够具有大幅提尚的载流子移动性。例如，通过无定形娃的再结晶能够实现为用于单晶材料的值的一半或更多的载流子迀移率。因此，通过使用多晶半导体材料来代替无定形半导体材料，能够简化地构成操控电路中的开关，所述开关也能够切换为了产生辐射在显示设备的像素中所需要的电流。再结晶例如能够借助于激光束来进行，所述激光束在扫描法中在无定形的层的表面之上引导。能够整面地或仅局部地进行再结晶。也能够在多级工艺中进行再结晶。能够放弃用于将载体与集成到载体中的操控电路固定的调整的接入口 ο
[0076]在该情况下，替选于半导体材料，也能够将电绝缘的材料、例如陶瓷应用于载体。在该情况下，连接层7设置在操控电路54和载体5之间并且也能够电绝缘地构成。金属化层31、32设置在半导体本体2和操控电路之间进而对操控电路相对于在半导体本体中产生的并且朝向操控电路的方向放射的辐射进行保护。
[0077]在图2中示意地示出的第二实施例基本上对应于结合图1A和IB描述的第一实施例。与其不同地，将相邻的像素2a、2b借助于沟槽26彼此分离。沟槽从辐射出射面29至少穿过有源区域、优选穿过整个半导体层序列2延伸。有源区域20b的在沟槽26之间设置的区段20a、20b分别形成像素2a、2b。像素2a、2b能够借