可以用钴、铝、钒等元素取代部分铁。B表示硼元素。
[0042] 〈磁体制造工序Sl)>
[0043]本发明所述的制造方法优选包括磁体制造工序S1)，用以制造雾化喷敷工序S2) 中所述的磁体。在本发明中，磁体制造工序S1)优选包括如下工序：
[0044] S1-1)熔炼工序：对稀土磁体原料进行熔炼，使熔炼后的稀土磁体原料形成母合 金；
[0045] S1-2)制粉工序：将由熔炼工序S1-1)得到的母合金破碎成磁粉；
[0046] S1-3)成型工序：在取向磁场的作用下，将由制粉工序S1-2)得到的磁粉压制成烧 结坯体；和
[0047] S1-4)烧结工序：将由成型工序S1-3)得到的烧结坯体烧结定型，形成烧结稀土磁 体。
[0048] 根据本发明优选的实施方式，磁体制造工序S1)还可以包括如下工序：
[0049] S1-5)切割工序：对烧结稀土磁体进行切割。
[0050]熔炼工序S1-1)
[0051] 为了防止烧结磁体原料以及由其制得的母合金被氧化，本发明的熔炼工序S1-1) 最好在真空或惰性气氛中进行。在熔炼工序S1-1)中，对稀土磁体原料及其配比没有特别 的限制，可使用本领域公知的原料及配比。在熔炼工序S1-1)中，熔炼工艺优选采用铸锭工 艺或速凝片工艺（Strip Casting)。铸锭工艺是将恪炼后的R-Fe-B系稀土烧结磁体原料冷 却凝固并制成合金锭（母合金）。速凝片工艺是将熔炼后的稀土磁体原料迅速冷却凝固并 甩成合金片（母合金）。根据本发明一个优选的实施方式，熔炼工艺采用速凝片工艺。本发 明的速凝片工艺可以在真空中频速凝感应炉中进行。熔炼温度可以为1100~1600°C，优 选为1450~1500°C。本发明的合金片（母合金）厚度可以为0. 01~5mm，优选地为0. 1~ 1mm，更优选地为0. 25~0. 45mm。根据本发明的一个【具体实施方式】，将原料放入真空中频速 凝感应炉里，抽真空到小于IPa的条件下充入氩气（Ar)保护进行加热熔化形成合金液，然 后将合金液浇到旋转的冷却铜辊上，制备出厚度为〇. 25~0. 45mm合金片（母合金），合金 液温度控制在1450~1500°C之间。
[0052]制粉工序S1-2)
[0053] 本发明采用制粉工艺S1-2)获得粉料。为了防止母合金以及由其破碎制得的磁粉 被氧化，本发明的制粉工序S1-2)最好在真空或惰性气氛中进行。本发明的制粉工艺S1-2) 优选包括如下工序：
[0054] S1-2-1)粗破碎工序：将母合金破碎成粒度较大的粗磁粉；和
[0055] S1-2-2)磨粉工序：将由粗破碎工序S1-2-1)得到的粗磁粉磨成细磁粉（粉料）。
[0056] 在本发明中，由粗破碎工艺S1-2-1)得到的粗磁粉的平均粒度为50~500 ym，优 选为100~400 y m以下，更优选为200~300 y m。在本发明中，由磨粉工艺S1-2-2)得到 的细磁粉的平均粒度为20 y m以下，优选为10 y m以下，更优选为3~5 y m。
[0057] 在本发明的粗破碎工序S1-2-1)中，采用机械破碎工艺和/或氢破碎工艺 (Hydrogen Decrepitation)将母合金破碎成粗磁粉。机械破碎工艺是使用机械破碎装置将 母合金破碎成粗磁粉；所述机械破碎装置可以选自颚式破碎机或锤式破碎机。氢破碎工艺 是先使母合金低温吸氢，通过母合金与氢气反应引发母合金晶格的体积膨胀使母合金破碎 形成粗磁粉，然后加热所述粗磁粉进行高温脱氢。根据本发明一个优选的实施方式，本发明 的氢破碎工艺优选在氢破碎炉中进行。在本发明的氢破碎工艺中，将合金片在氢气压力下 破碎，然后抽真空脱氢。其中，破碎所用的氢气压力可以为0. 02~0. 2MPa，优选为0. 05~ 0.1 MPa ;抽真空脱氢的温度可以为400~800°C，优选为550~700°C。
[0058] 在本发明的磨粉工序S1-2-2)中，采用球磨工艺和/或气流磨工艺（Jet Milling) 将所述粗磁粉破碎成细磁粉。球磨工艺是采用机械球磨装置将所述粗磁粉破碎成细磁粉。 所述机械球磨装置可以选自滚动球磨、振动球磨或高能球磨。气流磨工艺是利用气流使粗 磁粉加速后相互碰撞而破碎。所述气流可以为氮气流，优选为高纯氮气流。所述高纯氮气 流中N 2含量可以在99. Owt %以上，优选在99. 9wt %以上。所述气流的压力可以为0. 1~ 2. OMPa，优选为0? 5~1. OMPa，更优选为0? 6~0? 7MPa。
[0059] 根据本发明一个优选的实施方式，首先，通过氢破碎工艺将母合金破碎成粗磁粉； 然后，通过气流磨工艺将所述粗磁粉破碎成细磁粉。例如，在氢碎炉里进行氢化合金片，通 过氢气压力下破碎和高温脱氢反应后合金片变成非常疏松的颗粒，然后通过气流磨制成平 均粒度为3~5ym的料粉。
[0060]成铟工序S1-3)
[0061] 本发明采用成型工序S1-3)获得生坯。为了防止磁粉被氧化，本发明的成型工序 S1-3)最好在真空或惰性气氛中进行。在成型工序S1-3)中，磁粉压制工艺优选采用模压压 制工艺和/或等静压压制工艺。本发明的等静压压制工艺可以在等静压机中进行。压制的 压力lOOMPa以上，更优选为200MPa以上；压制的时间为10~30s，优选为15~20s。根据 本发明一个优选的实施方式，首先，采用模压压制工艺对磁粉进行压制，然后，采用等静压 压制工艺对磁粉进行压制。在本发明的成型工序S1-3)中，取向磁场方向与磁粉压制方向 相互平行取向或相互垂直取向。取向磁场的强度没有特别的限制，可视实际需要而定。根 据本发明优选的实施方式，取向磁场的强度为至少1特斯拉（T)，优选为至少1. 5T，更优选 为至少1.8T。根据本发明的优选实施方式，本发明的成型工序S1-3)如下：将料粉在磁场 强度大于1.8T的磁场中取向并压制成型，然后退磁取出生坯，抽真空封装，再将封装好的 坯料在200MPa以上等静压压制15s以上。
[0062]烧结工序S1-4)
[0063] 为了防止烧结坯体被氧化，本发明的烧结工序S1-4)最好在真空或惰性气氛中 进行。根据本发明优选的实施方式，烧结工序S1-4)在真空烧结炉中进行。在本发明 中，烧结工序S1-4)的真空度可以为低于1.OPa，优选为低于5. 0X 10ipa，更优选为低于 5. 0X10 2Pa，例如1. 0X10 2Pa。烧结温度可以为500~1200°C，优选为700~1100°C，更优 选为1000~1050°C。在烧结工序S1-4)中，烧结时间可以为0. 5~10小时，优选为1~8 小时，更优选为3~5小时。根据本发明的优选实施方式，本发明的烧结工序S1-4)如下： 将成型的生还置于高真空烧结炉中，在1 X 103Pa~1 X 102Pa下，1000~1050°C烧结3~ 5h，然后充氩气风冷却至60°C以下出炉，得到烧结毛坯块（母材）。
[0064] 切割工序S1-5)
[0065] 在本发明的切割工序S1-5)中，切割工艺采用切片加工工艺和/或电火花线切 割工艺，切割成的薄片磁体的尺寸可以为10~60mmX 5~40mmX 1~10mm，优选为30~ 50mmX20 ~30mmX3 ~8mm。
[0066] 在本发明中，磁体制造工序S1)最好在雾化涂覆工序S2)之前进行。为了节约成 本，在磁体制造工序S1)中不进行时效处理。
[0067]〈涂覆工序S2) >
[0068] 本发明所述的方法包括涂覆工序S2):将含金属钙和稀土元素的涂覆物涂覆在磁 体的表面并烘干。所述涂覆物含有金属钙颗粒和含稀土元素的物质的颗粒。
[0069] 金属钙颗粒和含稀土元素的物质的颗粒的平均粒径都为0. 01~100 y m，较佳为 0. 1~50 ym。发明人发现，金属钙颗粒的粒径也不是越小越好，若颗粒过小，还原作用反而 会降低，这可能与环境（例如氧气）对钙颗粒的影响有关，金属钙颗粒的平均粒径优选为 0? 5~50 ym，更优选为1~10 ym，特别优选为1~3 ym ;含稀土元素的物质的颗粒的平均 粒径优选为〇? 1~50 y m，更优选为0? 1~10 y m，特别优选为0? 1~3 y m。本发明的金属 钙颗粒优选在无氧条件下细化破碎而成。本发明的含稀土元素的物质的颗粒优选在氦气下 破碎。用氦气作为气流磨介质，能破碎的粒度更细，更均勾。