3以沿上下方向贯穿加热板2的方式设置。在加热板2上设有供这些支承销3贯穿的例如直径3_的贯穿口 25。
[0039]如图2示意性表示那样，这些支承销3的下端部与共用的升降构件31相连接，该升降构件31与配置于基座部11的侧方的升降马达32相连接。通过利用升降马达32来使升降构件31升降，能够使3根支承销3的上端的高度位置相一致并使这些支承销3相对于加热板2的上表面突出或没入。基板W在背面侧被这些3根支承销3的顶端部支承。升降马达32收纳在被配置于例如基座部11的侧方的箱17内。
[0040]在使所述升降构件31升降时，支承销3的顶端部在交接位置与加热板2的下方侧的位置之间移动，该交接位置设于加热板2的上方侧，在该交接位置与外部的基板输送机构(例如设有热处理组件I的涂敷显影装置的基板输送机构)之间交接基板W。在本例子中，交接位置设置在例如距加热板2的上表面16.5mm的上方侧位置。
[0041]另外，升降马达32能够使支承销3的顶端部在所述交接位置与加热板2的下方侧的位置之间的任意的位置处停止。其结果，支承着基板W的支承销3能够自由地调节从加热板2的上表面到基板W的距离。
[0042]升降构件31、升降马达32相当于支承销3的升降机构。
[0043]此处，当在加热板2上设有间隙销22、支承销3以及贯穿口 25时，加热板2的上表面的构造变得不均匀，这会成为阻碍对基板W进行面内均匀的加热的主要原因。关于这点，在本例子中，通过使间隙销22、支承销3、贯穿口 25较小(间隙销22为直径3_，支承销3为直径1_，贯穿口 25为直径3_)，从而抑制了在对基板W进行加热时的面内均匀性的降低。
[0044]另外，如图1所示，在加热板2的上表面上的用于载置基板W的载置区域的周围，以沿基板W的周向空开间隔的方式设有多个用于防止基板W的错位的圆板形状的基板引导件24。此外，在图1和图2以外的图中，省略了基板引导件24的描绘。
[0045]在以上说明的加热板2的周围设有自侧方包围基板W的加热空间的筒状壁部12。如图1所示，筒状壁部12由例如金属制的扁平的圆筒形状的构件构成，并以自侧方包围被支承销3支承的状态下的基板W、被载置在加热板2上的基板W的方式配置。
[0046]如图2所示，筒状壁部12的下端部与升降构件121相连接，该升降构件121与配置于基座部11的侧方的升降马达122相连接。并且，通过利用升降马达122使升降构件121升降，从而使筒状壁部12经由设于基座部11的上表面的环状的开口部111 (参照图1)在基座部11的下方侧的位置与将支承销3、加热板2上的基板W包围的位置之间进行升降(参照图11?图14)。
[0047]此外，在本例子中，如上所述，用于使支承销3升降的升降马达32、用于使筒状壁部12升降的升降马达122均收纳在共用的箱17内(图1)，但为了便于说明，在图2中，将这些升降马达32、升降马达122描绘在了彼此分开的位置。
[0048]在使筒状壁部12上升时，筒状壁部12的上端部到达比支承销3的交接位置靠上方侧的位置，从而成为将基板W的整个移动区域包围的状态，该基板W被支承销3支承，在交接位置与加热板2的载置面之间输送。
[0049]并且，如图1、图2所示，在上升到将基板W的移动区域包围的位置的筒状壁部12的上方侧，以将筒状壁部12的上表面侧的开口封堵的方式设有盖部13。盖部13由例如金属制的圆板形状的构件构成，盖部13的上表面与用于对由筒状壁部12、盖部13、基座部11围成的处理空间内进行排气的排气管16相连接。排气管16的末端部与未图示的排气机构相连接，从而能够对所述处理空间内进行排气并对基板W进行加热。
[0050]如图1所示，盖部13的隔着中心部相对的两处的端部被以沿着基座部11的长度方向延伸的方式配置的两根横梁部15保持。各横梁部15支承于以自基座部11的上表面朝向上方侧延伸的方式配置的两根支柱部14，由此，将盖部13以其下表面与加热板2相对的状态配置于该加热板2的上方侧。
[0051]此外，在图1以外的图中，省略了排气管16、横梁部15以及支柱部14的描绘。
[0052]具有以上说明的结构的基座部11、箱17、筒状壁部12、盖部13等均收纳在未图示的壳体内，并例如与涂敷显影装置的抗蚀液涂敷组件、显影组件的设置区域相邻地配置。
[0053]并且，如图2所示，热处理组件I与控制部4相连接。控制部4由具有CPU41和存储器(存储部)42的计算机构成，在存储器42内存储有编入了与热处理组件I的作用、SP与如下一系列控制有关的步骤(命令)组的程序:将被输送至热处理组件I而交接到支承销3上的基板W载置在加热板2上并对其进行加热，之后，再次使支承销3上升而将基板W输送至交接位置，并将处理后的基板W输出。该程序被存储在例如硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质内，并从存储介质安装到计算机中。
[0054]例如热处理组件I的控制部与用于对搭载有该热处理组件I的涂敷显影装置进行控制的控制计算机共用化。
[0055]并且，如图2所示，针对热处理组件I设有由触摸面板式的显示器等构成的界面部5，该界面部5用于自操作者接收后述的基板信息、处理条件的输入或者发出错误报告。
[0056]并且，本例子的热处理组件I具有抑制由在基板W的升温过程中产生的翘曲引起的加热不均而对基板W的整个面均匀地进行加热的功能。
[0057]以下，参照图2?图8说明该功能的详细内容。
[0058]对于在对基板W进行加热时产生的翘曲现象，发明人以使加热温度、基板W的厚度等种种变化的方式进行了研究。其结果，发现了以下新情况:(I)存在使基板W产生翘曲的加热温度和不使基板W产生翘曲的加热温度，(2)即使在通过使基板W产生翘曲的加热温度来对基板W进行加热的情况下，随着时间的经过，也能够消除翘曲而恢复到平坦的基板W。
[0059]此外，在以下说明的图3、图4中，将钽酸锂的薄基板作为评价基板。
[0060]图3的(a)?图3的(C)、图4的(a)?图4的(C)所示的预备实验的结果示出了:在将评价基板载置在已被设定为规定的加热温度的加热板2上之后的、评价基板的上表面的检测高度的经时变化。图3的(a)?图3的(C)示出了以使加热板2的温度种种变化的方式对没有涂敷抗蚀膜等的、厚度200 μm的评价基板进行加热的结果，图4的(a)?图4的(c)示出了同样地对厚度400 μ m的评价基板进行加热的结果。
[0061]利用激光位移计检测已设定在评价基板的上表面侧的自周缘向中心偏移2mm的位置处的检测位置的高度作为高度位置。各图的横轴表示经过时间(秒)，纵轴表示检测高度(臟)。
[0062]根据图3的(a)?图3的(C)所示的厚度200 μm的评价基板的实验结果，在加热板2的设定温度为50°C的情况下，基本上没有检测到评价基板的翘曲(图3的(a))。
[0063]另一方面，当将加热板2的设定温度提高到60°C时，如图3的(b)所示，产生了最大为大约1.0mm的翘曲。在该情况下继续进行加热，结果，翘曲逐渐变小，自检测出翘曲起经过大约10秒后，评价基板恢复到大致平坦的状态。
[0064]并且，如图3的(C)所示，当使加热板2的设定温度为110°C的情况下，与设定温度为60°C的情况相比，翘曲的最大值(大约1.7_)、评价基板自开始翘曲起到恢复平坦为止的时间(大约40秒)均变大。
[0065]如上所述那样确认了如下情况:即使是厚度相同的评价基板，若加热板2的设定温度不同，则存在产生翘曲的情况和不产生翘曲的情况(以下，将产生翘曲的温度称作“开始翘曲温度”)，另外，即使在产生翘曲的情况下，翘曲的最大值(以下，称作“翘曲量”)、自开始翘曲起到恢复平坦为止的时间(以下，称作“恢复时间”)也不同。
[0066]接着，在使评价基板的厚度为400 μ m的情况下，即使使加热板2的设定温度为80°C，也基本上没有检测到翘曲(图4的(a))。
[0067]另一方面，当将加热板2的设定温度提高到90°C时，如图4的(b)所示，检测到评价基板的翘曲，由此可知，在以每10°C为单位使加热板2的设定温度变化时(以下，在本实施方式中均相同)的开始翘曲温度是90°C。另外，此时的翘曲量为大约0.7_，其恢复时间为大约30秒。并且，当使加热板2的设定温度为110°C时，如图4的(c)所示翘曲量为大约0.9mm，恢复时间为大约46秒。
[0068]由