W载置在加热板2上而对基板W进行加热，由此，能够抑制处理时间的增大，从而能够迅速地进行处理。
[0128]此处，使用本实施方式的热处理组件I进行加热的基板W的种类并不限定于以钽酸锂为基板材料的基板。同样地，对于由从包括钽酸锂、砷化镓、铌酸锂在内的基板材料组中选择的基板材料构成的基板W，通过使用热处理组件I来对其进行阶段性的升温，能够抑制翘曲的影响并进行均匀的加热。从物理性质的观点来观察这些基板材料时，若是热传导率为55W/(m.°C)以下的基板材料，则有可能在加热时产生翘曲的问题，因此，通过使用本例子的热处理组件I来进行加热，能够获得抑制翘曲影响的效果。
[0129]另外，并不必须对要进行基板W的加热的处理空间内进行排气，也可以在大气气氛下、非活性气体气氛下进行加热。并且，并不限定于使用图1所示的筒状壁部12、盖部13来构成处理空间的例子，处理空间例如也可以是如下结构:将加热板2设置在形成有基板W的输入输出口的壳体内，利用开闭器来对所述输入输出口进行开闭。
[0130]另外，对于加热板2的设定温度，其并不限于将加热板2预先升温到载置基板W而对基板W进行处理时的温度，也可以与基板W的下降相对应地使加热板2的温度发生变化。例如能够想到如下情况:随着基板W在第I阶段?第3阶段中下降，使加热板2的温度逐渐上升。
[0131]除此之外，对于为了获知产生了翘曲的基板W经过了恢复时间的时刻的方法，其并不限定于根据预先掌握的、基板W的温度与恢复时间之间的关系来进行推定的方法。例如也可以是，利用激光位移计来实时地对在加热板2的上方由支承销3支承的基板W的翘曲进行监视。例如，通过对基板W的中心部侧和基板W的周缘部侧的多处的高度位置进行检测并求出这些位置之间的差，能够确定基板W产生翘曲。
[0132]在该情况下，也可以采用如下方法:使基板W自交接位置缓慢下降，在检测出产生翘曲之后的、恢复到平坦的时刻，提高基板W的下降速度而将基板W载置在加热板2上。对于处理结果受到热历程的影响较小的类型的基板W，这样的方法是有效的。
[0133]并不必须如该例子那样使由支承销3支承的基板W在规定的间隙高度位置(所述第1、第2高度位置)停止并对基板W进行加热，也可以一边使基板W连续地下降一边对基板W进行加热。本申请所述的“在升温的过程中产生翘曲且之后恢复到平坦的基板”也包含具有因热量而产生的变形特性的主要含有硅的硅基板、例如厚度100 μπι以下的较薄的基板。
[0134]附图标iP,说曰月
[0135]W、基板；1、热处理组件；2、加热板；3、支承销；31、升降构件；32、升降马达；4、控制部；431、翘曲数据；432、升温特性数据；433、热历程设定数据。
【主权项】
1.一种热处理装置，其用于对基板进行加热，其特征在于， 该热处理装置包括: 加热板，其用于载置在升温的过程中产生翘曲且之后恢复到平坦的基板，并被调节至用于对该基板进行加热的加热温度； 支承构件，其以能够相对于所述加热板突出或没入的方式设置，用于自基板的下表面侧支承基板； 升降机构，其用于使所述支承构件在交接位置与上述加热板的下方侧的位置之间升降，该交接位置设于该加热板的上方侧，在该交接位置相对于所述支承构件进行基板的交接；以及 控制部，其使所述升降机构工作而进行所述支承构件的位置控制，以便在使基板自所述交接位置下降的期间内，在所述加热板的上方侧，利用来自该加热板的热量使基板升温到产生翘曲的温度，接着，在经过基板恢复到平坦的恢复时间之后，将该基板载置于加热板。2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于， 所述控制部对所述升降机构进行控制，以便使所述支承构件在使基板升温到产生所述翘曲的温度以上的温度的第I高度位置处停止下降，作为处理对象的基板产生翘曲，在经过所述恢复时间之后，再次使所述支承构件下降。3.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于， 所述第I高度位置被设定在距加热板的距离大于在该第I高度位置处基板所产生的翘曲的在高度方向上的最大变形高度的位置。4.根据权利要求2或3所述的热处理装置，其特征在于， 所述控制部控制所述升降机构，以便在比所述第I高度位置靠上方侧的第2高度位置处使所述支承构件停止下降，在对作为处理对象的基板进行预备加热之后，再次使所述支承构件下降。5.根据权利要求1至4中任一项所述的热处理装置，其特征在于， 所述控制部根据按照基板的种类而预先取得的、基板产生翘曲的温度与所述恢复时间之间的对应关系来推定作为处理对象的基板经过了所述恢复时间的时刻。6.根据权利要求1至5中任一项所述的热处理装置，其特征在于， 所述控制部根据按照基板的种类而预先取得的、自被调节至所述加热温度的加热板起到基板为止的距离与该基板的温度的经时变化之间的关系来推定作为处理对象的基板的温度，将所推定出的作为处理对象的基板的温度用于使所述支承构件下降时的位置控制。7.根据权利要求1至6中任一项所述的热处理装置，其特征在于， 所述控制部根据加热时序来决定使所述支承构件升降的位置和时刻，该加热时序以这样的方式设定:使从在所述交接位置处将基板交接到支承构件起到在将基板载置于所述加热板的载置面之后使基板自该载置面上升为止的这段期间内的基板的温度的时间积分值成为预先设定的值。8.根据权利要求7所述的热处理装置，其特征在于， 所述基板的温度的时间积分值是根据按照基板的种类而预先取得的、自所述加热板起到基板为止的距离与该基板的平均的升温速度之间的关系求出的。9.根据权利要求1至8中任一项所述的热处理装置，其特征在于， 所述基板由从包括钽酸锂、砷化镓、铌酸锂在内的基板材料组中选择的基板材料构成。10.根据权利要求1至9中任一项所述的热处理装置，其特征在于， 所述基板由热传导率为55W/(m.V )以下的基板材料构成。11.一种热处理方法，在该热处理方法中，将基板载置于加热板而对基板进行加热，其特征在于， 该热处理方法包括以下工序: 在被设定于所述加热板的上方侧的交接位置处，将基板支承于以能够相对于所述加热板突出或没入的方式设置的支承构件； 在使所述支承构件下降而使基板移动的期间内，在所述加热板的上方侧，利用来自该加热板的热量使基板升温而使该基板产生翘曲； 在所述加热板的上方侧，在产生所述翘曲之后，等待经过基板恢复到平坦的恢复时间；以及 在经过所述恢复时间之后，使所述支承构件向所述加热板的下方侧下降并将该基板载置于加热板。12.根据权利要求11所述的热处理方法，其特征在于， 使所述基板产生翘曲的工序和等待经过恢复时间的工序是在使基板升温到产生翘曲的温度以上的温度的第I高度位置处使所述支承构件停止下降的情况下进行的。13.根据权利要求12所述的热处理方法，其特征在于， 所述第I高度位置被设定在距加热板的距离大于在该第I高度位置处基板所产生的翘曲的在高度方向上的最大变形高度的位置。14.根据权利要求12或13所述的热处理方法，其特征在于， 该热处理方法包括以下工序，即，在比所述第I高度位置靠上方侧的第2高度位置处使所述支承构件停止下降，在对作为处理对象的基板进行预备加热之后，再次使所述支承构件下降。15.根据权利要求11至14中任一项所述的热处理方法，其特征在于， 所述基板由从包括钽酸锂、砷化镓、铌酸锂在内的基板材料组中选择的基板材料构成。16.根据权利要求11至15中任一项所述的热处理方法，其特征在于， 所述基板由热传导率为55W/(m.V )以下的基板材料构成。
【专利摘要】本发明提供能够对在升温的过程产生翘曲的基板均匀且迅速地进行加热的热处理装置和热处理方法。在热处理装置(1)中，被调节至加热温度的加热板(2)用于载置在升温的过程中产生翘曲且之后恢复到平坦的基板(W)，支承构件(3)自基板(W)的下表面侧支承基板(W)并利用升降机构(31、32)在上方侧的交接位置与加热板(2)的下方侧的位置之间升降。控制部(4)进行控制，以便在使基板(W)自交接位置下降的期间内，在加热板(2)的上方侧，利用来自该加热板(2)的热量使基板(W)升温到产生翘曲的温度，接着，在经过基板(W)恢复到平坦的恢复时间之后，将该基板(W)载置于加热板(2)。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN105097612
【申请号】CN201510232817
【发明人】境宏之, 上田直晃, 岩坂英昭, 川路辰也
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年5月8日