例如铜、铝等的导电材料来形成。
[0014]引线的第一对108和第二对110远离封装体100地横向延伸。横向方向指的是平行于顶部表面104的方向。封装体100可以位于例如印刷电路板之类的基座(receptacle)之上，使得顶部表面104在垂直于横向方向的垂直方向上与基座隔开。引线远离基体102地横向延伸以允许与基座的电气连接。
[0015]第一对108包括第一引线112和第二引线114，第一引线112和第二引线114彼此远离地延伸，使得第一引线112横向延伸到基体102的第一边沿116之外并且第二引线114横向延伸到基体的与第一边沿116相对的第二边沿118之外。以类似的方式，第二对110包括第三引线120和第四引线122，第三引线120和第四引线122彼此远离地延伸，使得第三引线120横向延伸到第一边沿116之外并且第四引线122横向延伸到第二边沿118之外。第一对108和第二对110彼此相邻。也就是说，半导体器件封装体100被配置有至少四个引线，其中第一引线112和第三引线120在与第二引线114和第四引线122相反的方向上远离基体102而延伸。图1另外描绘了两个远离封装体100而延伸的附加引线124、126。这些附加引线124、126可以被用于向安装在芯片安装区域106上的器件提供DC信号。可选地，引线124、126可以连接到沿着靠近芯片安装区域106的侧边的顶部表面104延伸的导体，以使得DC信号和器件之间的电气连接的距离最小化。引线124、126为可选的并且可以在没有它们的情况下提供封装体100。
[0016]第一对108和第二对110的引线112、114、120和122中的每一个附接到基体102并且与基体102绝缘。根据一个实施例，在芯片安装区域106之外的区域中的顶部表面104上提供绝缘膜128。第一引线112、第二引线114、第三引线120以及第四引线122可以与绝缘膜128邻接并且与芯片安装区域106绝缘。
[0017]可以使用引线的第一对108和第二对110作为参考点，来将芯片安装区域106划分为两个独立的安装部分。布置第一对108和第二对110使得电气组件可以被放置在相反朝向的引线(112和114或是120和122)之间并且与这些引线电气连接。在第一对108和第二对110之间可以绘制参考线130，该参考线130将芯片安装区域106划分为第一芯片安装部分132和第二芯片安装部分134。如图1所示，参考线130沿着与基体102的第一边沿116和第二边沿118垂直的横向方向而延伸。参考线130位于将第一对108和第二对110相分离的水平间隙136中。水平间隙136位于第一引线112和第三引线120的内边沿侧138之间以及第二引线114和第四引线122的内边沿侧138之间。这样，在参考线130左侧上的所有的芯片安装区域106 (从图1的视角来看)代表第一安装部分132。参考线130右侧上的所有的芯片安装区域106 (从图1的视角来看)代表第二安装部分134。
[0018]第一芯片安装部分132和第二芯片安装部分134具有不同的尺度，从而以空间有效的方式来在相反朝向的引线(112和114或是120以及122)之间容纳不同尺度的电气器件。此外，第一引线112和第二引线114具有与第三引线120和第四引线122不同的尺度。这种差异允许引线的每一对108、110与引线112、114、120、122连接到的器件在物理上对准，并且允许引线的每一对108、110具有与不同尺度的电气器件的尺度成比例的电流承载能力。
[0019]根据一个实施例，第一芯片安装部分132的区域小于第二芯片安装部分134的区域。此外，第一引线112和第二引线114具有与第三引线120和第四引线122相比更小的宽度。引线的宽度被测量为在垂直于参考线130的方向上的内边沿侧138和外边沿侧140之间的最大间隔距离。可代替地，第一芯片安装部分132的区域可以大于第二芯片安装部分134的区域，并且第一引线112和第二引线114可以具有与第三引线120和第四引线122相比更大的宽度。
[0020]图1进一步描绘了被附接到芯片安装区域106中的顶部表面104的第一放大器142和第二放大器144。第一放大器142包括被电气连接到第一引线112的第一端子146以及被电气连接到第二引线114的第二端子148。同样，第二放大器144包括被电气连接到第三引线120的第一端子150以及被电气连接到第四引线122的第二端子152。电气连接指的是在两个端子之间的直接电气连接，而没有在任一方向上打断电流流动的中间组件。第一放大器142可以完全布置在第一安装部分132内。也就是说，第一放大器142没有任何部分延伸进入第二安装部分134。类似地，第二放大器146可以完全布置在第二安装部分134 内。
[0021]根据一个实施例，第一放大器142和第二放大器144被配置为RF (射频)功率放大器。例如，第一放大器142和第二放大器144可以被配置为多尔蒂放大器，其中第一放大器142为主放大器并且其中第二放大器144为峰值放大器。主放大器可以由第一裸片154来形成并且峰值放大器可以由第二裸片156和第三裸片158来形成。也就是说，峰值放大器可以由两个具有共同输入/输出连接的裸片156、158来形成。封装体100可以容纳源极向下配置的裸片154、156、158。根据一个实施例，第一裸片154、第二裸片156和第三裸片158包括在底部侧上的被电气连接到芯片安装区域106的源极端子。也就是说，芯片安装区域106可以形成被电气连接到多尔蒂放大器中的所有裸片154、156、158的共同源极端子。第一裸片154的栅极端子，其可以是第二端子148，可以电气连接到第二引线114，并且第一裸片154的漏极端子，其可以是第一端子146，可以电气连接到第一引线112。第二裸片156和第三裸片158的栅极端子，其可以是第二端子152，可以电气连接到第四引线122，并且第二裸片156和第三裸片158的漏极端子，其可以是第一端子150，可以电气连接到第三引线120。
[0022]如可从图1中看到的，第一放大器142 (即主放大器)的裸片区域小于第二放大器144(即峰值放大器)的裸片区域。根据一个实施例，第一裸片154、第二裸片156和第三裸片158中的每一个在尺寸上基本相等，使得峰值放大器与主放大器的总体裸片区域之间的比率大约为2比I。也就是说，第二裸片156和第三裸片158总体所需要的安装空间量大致是第一裸片154所需要的安装空间尺寸的两倍。可替代地，峰值放大器可以用尺寸与主放大器的第一裸片154的尺寸不同的单一裸片来形成。这导致了峰值放大器和主放大器之间在裸片区域上的相似的差异。峰值放大器和主放大器的总裸片区域之间的比率可能依据应用需求而发生变化。进一步，主放大器可能要求较之峰值放大器而言更大的裸片区域。也就是说，峰值放大器和主放大器的总裸片区域之间的比率可以接近于I比2。
[0023]根据一个实施例，第一芯片安装部分132的区域对应于主放大器的裸片区域，并且第二芯片安装部分134的区域对应于峰值放大器的裸片区域。如在这里所使用的，术语“对应于”描述了两项的尺度之间的直接关系。例如，主放大器的裸片区域可以按照I比4的比率与第一芯片安装部分132的区域相互关联。主放大器的宽度可以大致