具有不对称芯片安装区域和引线宽度的半导体器件封装体的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明一般地涉及半导体器件封装，并且更具体地涉及将器件封装体的芯片安装区域和引线宽度定制为多路放大器的不同裸片尺寸。
【背景技术】
[0002]半导体封装体普遍地应用在集成电路应用中。一个普通的半导体器件封装体布置包括用作散热器的基底以及可以放置在基底上方使得在基底的上方形成内部空腔的盖体。例如半导体芯片的集成电路以及其他的电气组件可以被放置在空腔内并且电气连接到从基体向外延伸的传导引线。传导引线实现封装体和例如印刷电路板之类的基座之间的电气连接。由此，经封装的布置允许电路和外部设备之间容易的电气连接，而同时保护半导体芯片以及电气连接不受例如湿气、粉尘等的损害性环境条件的影响。
[0003]封装体设计师一直致力于寻求改进封装设计。一个显著的设计考虑因素是封装体的总占地面积。降低封装体的总占地面积可以有益地降低并入经封装的器件的物体的尺寸以及/或者成本。两个实质性影响封装体的总占地面积的参数是基底的尺寸和引线的尺寸。也就是说，可以通过降低这些特征的尺寸来降低封装体的总占地面积。然而，降低这些特征的尺寸引入了其他的设计复杂度。基底必须保持足够的尺寸来容纳半导体器件的裸片区域。此外，引线必须保持足够的横截区域来容纳与经封装的电气器件相关联的电流。这样，经封装的器件的物理和电气要求约束了降低封装体的总占地面积的能力。
【发明内容】
[0004]根据一个实施例，公开了一种半导体器件封装体。所述半导体器件封装体包括具有顶部表面的固态金属基体以及在顶部表面上的导电的芯片安装区域。第一对传导引线附接到基体并且与基体绝缘。所述第一对包括第一引线和第二引线，该第一引线和第二引线彼此远离地延伸，使得第一引线横向延伸到基体的第一边沿之外并且第二引线横向延伸到基体的与第一边沿相对的第二边沿之外。第二对传导引线附接到基体并且与基体绝缘。所述第二对包括第三引线和第四引线，该第三引线和第四引线彼此远离地延伸，使得第三引线横向延伸到第一边沿之外并且第四引线横向延伸到第二边沿之外。第一放大器附接到顶部表面并且包括被电气连接到第一引线的第一端子以及被电气连接到第二引线的第二端子。第二放大器附接到顶部表面并且包括被电气连接到第三引线的第一端子以及被电气连接到第四引线的第四端子。通过在第一引线和第三引线的内边沿侧之间以及在第二引线和第四引线的内边沿侧之间的水平间隙，第一对与第二对被隔开。在水平间隙中的垂直于基体的第一边沿和第二边沿延伸的参考线将芯片安装区域划分为第一芯片安装部分和第二芯片安装部分。第一芯片安装部分的区域小于第二芯片安装部分的区域。与第三引线和第四引线相比，第一引线和第二引线具有更小的宽度。
[0005]根据另一个实施例，提供经封装的多尔蒂(Doherty)放大器。所述放大器包括具有顶部表面的固态金属基体以及在顶部表面上的导电的芯片安装区域。芯片安装区域被划分为第一芯片安装部分和第二芯片安装部分。主放大器附接到第一区域内的顶部表面。峰值放大器附接到第二区域内的顶部表面。第一传导引线和第二传导引线电气连接到主放大器的栅极端子和漏极端子。第一引线和第二引线在相反方向上远离基体地横向延伸。第三传导引线和第四传导引线电气连接到峰值放大器的栅极端子和漏极端子。第三引线和第四引线在相反方向上远离基体地横向延伸。主放大器的裸片区域小于峰值放大器的裸片区域。主放大器的裸片宽度小于峰值放大器的裸片宽度。第一芯片安装部分的区域对应于主放大器的裸片区域，并且第二芯片安装部分的区域对应于峰值放大器的裸片区域。第一引线和第二引线的宽度对应于主放大器的裸片宽度，并且第三引线和第四引线的宽度对应于峰值放大器的裸片宽度。
[0006]根据另一个实施例，提供一种经封装的RF功率放大器。所述放大器包括具有顶部表面的固态金属基体以及在顶部表面上的导电的芯片安装区域。所述芯片安装区域被划分为第一芯片安装部分和第二芯片安装部分。第一放大器附接到第一区域内的顶部表面。第二放大器附接到第二区域内的顶部表面。第一传导引线和第二传导引线电气连接到第一放大器的栅极端子和漏极端子。第一引线和第二引线在相反方向上远离基体地横向延伸。第三传导引线和第四传导引线电气连接到第二放大器的栅极端子和漏极端子。第三引线和第四引线在相反方向上远离基体地横向延伸。第一放大器的裸片区域小于第二放大器的裸片区域。第一放大器的裸片宽度小于第二放大器的裸片宽度。第一芯片安装部分的区域对应于第一放大器的裸片区域，并且第二芯片安装部分的区域对应于第二放大器的裸片区域。第一引线和第二引线的宽度对应于第一放大器的裸片宽度，并且第三引线和第四引线的宽度对应于第二放大器的裸片宽度。
[0007]在阅读了下面的详细描述并且浏览了附图之后，本领域的技术人员将会认识到附加的特征和优势。
【附图说明】
[0008]附图中的元素并不必然彼此成比例。相同的参考标号指代相对应的相似的部分。除非彼此排斥，否则各种示例性的实施例的特征可以组合。在附图中对实施例进行描绘并且在随后的描述中对实施例进行详述。
[0009]图1描绘了根据一个实施例的被电气连接有多路放大器的半导体器件封装体的自顶向下透视图。
[0010]图2包括图2A和图2B，描绘了根据一个实施例的具有附接到表面的盖体从而在多路放大器之上提供内部空腔的半导体器件封装体的自顶向下透视图和侧面透视图。
【具体实施方式】
[0011]此处所描述的实施例提供一种半导体封装体，其可被用于有效地容纳两个或多个具有基本不同的区域占用和/或电流承载需求的集成电路。这种布置的一个例子是多尔蒂(Doherty)放大器，其为多路放大器。多尔蒂放大器配置包括峰值放大器和主放大器。在较低的功率操作范围下，主放大器是可操作的，而峰值放大器是关断的。在特定功率阈值之上，峰值放大器变得可操作。由于两个放大器在不同功率范围下操作，通常在主放大器和峰值放大器的芯片区域之间存在差异。例如，峰值放大器的芯片区域可以是主放大器的芯片区域的两倍尺寸。此外，功率范围的差异可能导致两个放大器之间的不同电流需求。这样，对于其中一个放大器的优选引线尺寸可能对于另一个放大器而言不太优良。
[0012]具有优势地，这里所描述的实施例提供一种与两种不同集成电路的区域占用和电流承载需求成比例地对裸片安装区域和引线尺寸进行不对称分配的半导体封装体。也就是，两个集成电路的裸片安装区域和引线尺寸不相等。例如，在具有大于主放大器的峰值放大器的多尔蒂放大器中，裸片安装区域和引线尺寸是不同的并且对应于峰值放大器和主放大器的各自的需求。结果是，相较于无视不同尺寸放大器的尺度而对称地分配裸片安装区域和引线尺寸的封装体设计而言，经封装的多尔蒂放大器的总体占地面积可以被降低。
[0013]参照图1，描绘了半导体器件封装体100的一个实施例。封装体100包括具有顶部表面104的固态金属基体102。该固态金属基体102可以由铜、铝以及提供热传导的类似材料来形成。根据一个实施例，固态金属基体102被配置为散热器，从而使热量远离布置在顶部表面104之上的器件而耗散掉。可替代地，固态金属基体102可以由热绝缘材料来形成。在顶部表面104上形成导电的芯片安装区域106。导电的芯片安装区域106可以由