与第一芯片安装部分132的宽度相同，而主放大器的高度可以大致为第一芯片安装部分132的高度的四分之一。如果需要更大的主放大器，则通过按比例地增加第一芯片安装部分132的区域(例如通过增加宽度)来保持I比4的比例。其他的对应比率是可能的，只要在各项的尺度之间具有依赖关系。
[0024]根据一个实施例，第二芯片安装部分134和第一芯片安装部分132的区域之间的比率等于或是基本上接近主放大器和峰值放大器的区域之间的比率。例如，第一裸片154、第二裸片156以及第三裸片158中的每一个可以在尺寸上基本上相等，使得峰值放大器和主放大器的总裸片区域之间的比率接近2比I。同样地，第二芯片安装部分134和第一芯片安装部分132的区域之间的比率可以大致为2比I。
[0025]根据一个实施例，第一引线112和第二引线114的宽度对应于主放大器的裸片宽度。此外，第三引线120和第四引线122的宽度可以对应于峰值放大器的裸片宽度。主放大器的裸片宽度可以小于峰值放大器的裸片宽度。根据一个实施例，主放大器的裸片宽度对应于第一裸片154的宽度，并且峰值放大器的裸片宽度对应于第二裸片156和第三裸片158的总体宽度。
[0026]此外，引线宽度的比率可以对应于或是等于裸片宽度的比率。这种关系假设在每一对108、110中的引线112、114以及120、122 二者具有彼此相等的宽度。当第一裸片、第二裸片和第三裸片具有基本上相等的尺度时，峰值放大器的裸片宽度和主放大器的裸片宽度的比率接近2比I。类似地，第三引线120和第四引线122的宽度与第一引线112和第二引线114的宽度的比率大致为2比I。
[0027]具有优势地，上面所描述的引线宽度和芯片安装区域106的定制提供了针对不同尺寸的放大器142、144的尺度而定制的半导体封装体100。由于相关联的关系，芯片安装区域106可以降低到最小尺寸，因为在第一芯片安装部分132和第二芯片安装部分134中的任一个中都没有浪费的空间。进一步，随着针对具有较高功率要求的放大器提供较宽的引线(例如，120和122)而针对具有较低功率要求的放大器提供较窄的引线(例如，112和114)，引线的尺寸得以优化。结果是，经封装的器件的总体占地面积可以降低。
[0028]除了半导体裸片154、156、158夕卜，图1所描绘的封装体100包括输入匹配网络和输出匹配网络。更特别地，第一输入匹配网络160电气连接到第一裸片154的栅极端子148，并且第二输入匹配网络162电气连接到第二裸片156和第三裸片158的栅极端子152。第一输入匹配网络160可以用与第二引线114以及第一裸片的栅极端子148电气连接的第一电容器166形成。类似地，第二输入匹配网络162可以用与第四引线122以及第二裸片156和第三裸片158的栅极端子152电气连接的第二电容器168和第三电容器170来形成。第一输出匹配网络164电气连接到第一裸片154的漏极端子146，并且第二输出匹配网络172电气连接到第二裸片156和第三裸片158的漏极端子150。
[0029]第一输入匹配网络160和第一输出匹配网络164可以完全布置在第一芯片安装部分132之内，并且第二输入匹配网络162和第二输出匹配网络172可以完全布置在第二芯片安装部分134之内。输入匹配网络160、162中的元件的尺度(例如，第一电容器166、第二电容器168和第三电容器170)可以与第一放大器142和第二放大器144的尺度相关联。这样，就可以保持上面所描述的芯片安装部分132、134和引线宽度的尺度与第一放大器142和第二放大器144的尺度之间的关联性的优势。
[0030]这里所描述的电气连接可以通过铜导体来提供。根据一个实施例，在第一输入匹配网络160和第二输入匹配网络162、第一输出匹配网络164和第二输出匹配网络172、以及第一裸片154、第二裸片156和第三裸片158的各自的栅极端子和漏极端子146、148、150、152之间的电气连接由键合导线174来形成。键合导线174可以被配置为提供输入匹配网络和输出匹配网络160、162、164、172所需要的电感的电感器。
[0031]参照图2，半导体封装体100被描绘为具有邻接顶部表面104的盖体176。图2A描绘了从顶部-底部视角的封装体100并且图2B描绘了侧视视角的封装体100。盖体176提供环绕并且保护电气连接的内部空腔。该内部空腔可以保持为未填充(即，空气填充)或是可选地可以填充有公知的使器件绝缘并受到保护的灌封化合物。第一裸片154、第二裸片156和第三裸片158、第一输入匹配网络160、第二输入匹配网络162、第一输出匹配网络164、第二输出匹配网络172以及键合导线174被布置在内部空腔之内并且由盖体176覆盖。也就是说，图2所描绘的半导体封装体100不是利用与器件邻接的模塑材料的经模制的封装体。
[0032]术语“基本上”涵盖精确地与要求一致以及由于工艺变动、组装或其它可能导致与理想产生偏差的因素而与要求具有微小偏差的元素的关系或物理特征。术语“大致”涵盖在数值上接近于但并非必然完全相同的元素的关系或物理特征，从而本领域的普通技术人员可以根据这里所描述的功能和说明来利用这里所描述的元素。
[0033]空间上相关的术语例如“之下”、“下面”、“较低”、“之上”、“较高”以及类似，用于便于描述从而阐释一个元素相对于第二元素的定位。这些术语意在涵盖除了在图中所描绘的这些定向之外的器件的不同定向。进一步，例如“第一”、“第二”等的术语也用来描述各种元素、区域、部分等，并且也非意在限制。贯穿本描述，类似的术语指代类似的元素。
[0034]如在这里所使用的，术语“具有”、“包含”、“包括”、“含有”等为开放式术语，其指示所列举的元素或特征的存在，然而并不排除附加的元素或特征。冠词“一”、“一个”以及“该”意在包括复数和单数，除非在上下文中另外明确指出。
[0035]应当理解的是，这里所描述的各种实施例的特征可以彼此组合，除非另外特别指出。
[0036]虽然在此示出并且描述了特定的实施例，但是本领域的普通技术人员将认识到的是，可以有各种替代和/或等同实施来代替所示出并描述的特定的实施例，而不会背离本发明的范围。本申请意在覆盖这里所讨论的特定的实施例的任何调整或变化。因此，其意在本发明仅受权利要求及其等同方案限制。
【主权项】
1.一种半导体器件封装体，包括: 固态金属基体，包括顶部表面； 导电的芯片安装区域，在所述顶部表面上； 传导引线的第一对，被附接到所述基体并且与所述基体绝缘，所述第一对包括第一引线和第二引线，所述第一引线和所述第二引线彼此远离地延伸，使得所述第一引线横向延伸到所述基体的第一边沿之外并且所述第二引线横向延伸到所述基体的与所述第一边沿相对的第二边沿之外； 传导引线的第二对，被附接到所述基体并且与所述基体绝缘，所述第二对包括第三引线和第四引线，所述第三引线和所述第四引线彼此远离地延伸，使得所述第三引线横向延伸到所述第一边沿之外并且所述第四引线横向延伸到所述第二边沿之外； 第一放大器，被附接到所述顶部表面，并且包括被电气连接到所述第一引线的第一端子以及被电气连接到所述第二引线的第二端子；以及 第二放大器，被附接到所述顶部表面，并且包括被电气连接