到所述第三引线的第一端子以及被电气连接到所述第四引线的第二端子， 其中所述第一对和所述第二对通过在所述第一引线和所述第三引线的内边沿侧之间以及在所述第二引线和所述第四引线的内边沿侧之间的水平间隙而彼此隔开， 其中在所述水平间隙中的与所述基体的第一边沿和第二边沿垂直地延伸的参考线将所述芯片安装区域划分为第一芯片安装部分和第二芯片安装部分， 其中所述第一芯片安装部分的区域小于所述第二芯片安装部分的区域，并且其中与所述第三引线和所述第四引线相比，所述第一引线和所述第二引线具有更小的宽度。2.根据权利要求1的半导体器件封装体，其中所述第一放大器和所述第二放大器被配置为RF功率放大器。3.根据权利要求2的半导体器件封装体，其中所述第一放大器和所述第二放大器被配置为多尔蒂放大器，其中所述第一放大器为主放大器并且其中所述第二放大器为峰值放大器。4.根据权利要求3的半导体器件封装体，其中所述主放大器包括被布置在所述第一芯片安装部分之内的第一裸片，并且其中所述峰值放大器包括被布置在所述第二芯片安装部分之内的第二裸片和第三裸片。5.根据权利要求4的半导体器件封装体，其中所述第一裸片、所述第二裸片和所述第三裸片中的每一个包括被电气连接到所述芯片安装区域的源极端子，其中所述第一裸片包括被电气连接到所述第二引线的栅极端子以及被电气连接到所述第一引线的漏极端子，并且其中所述第二裸片和所述第三裸片包括被电气连接到所述第四引线的栅极端子和被电气连接到所述第三引线的漏极端子。6.根据权利要求5的半导体器件封装体，进一步包括: 第一输入匹配网络，被电气连接到所述第一裸片的栅极端子； 第二输入匹配网络，被电气连接到所述第二裸片和所述第三裸片的栅极端子； 第一输出匹配网络，被电气连接到所述第一裸片的漏极端子；以及 第二输出匹配网络，被电气连接到所述第二裸片和所述第三裸片的漏极端子。7.根据权利要求6的半导体器件封装体，其中所述第一输入匹配网络包括与所述第二引线以及所述第一裸片的栅极端子电气连接的第一电容器，并且其中所述第二输入匹配网络包括与所述第四引线以及所述第二裸片和所述第三裸片的栅极端子电气连接的第二电容器和第三电容器。8.根据权利要求6的半导体器件封装体，其中在所述第一输入匹配网络和所述第二输入匹配网络与所述第一裸片、所述第二裸片和所述第三裸片各自的栅极端子和漏极端子之间的电气连接包括键合导线。9.根据权利要求8的半导体器件封装体，进一步包括盖体，所述盖体邻接所述顶部表面从而在所述芯片安装区域上方提供内部空腔，其中所述第一输入匹配网络、所述第二输入匹配网络、所述第一输出匹配网络和所述第二输出匹配网络被布置在所述内部空腔之内。10.根据权利要求4的半导体器件封装体，其中所述第一裸片、所述第二裸片和所述第三裸片中的每一个在尺寸上基本上相等，使得所述峰值放大器的总裸片区域和所述主放大器的总裸片区域之间的比率大致为2比I，并且使得所述第二芯片安装部分和所述第一芯片安装部分的区域之间的比率大致为2比I。11.根据权利要求10的半导体器件封装体，其中所述第三引线和所述第四引线的宽度与所述第一引线和所述第二引线的宽度之间的比率大致为2比I。12.—种经封装的多尔蒂放大器，包括: 固态金属基体，包括顶部表面； 导电的芯片安装区域，在所述顶部表面上，所述芯片安装区域被划分为第一芯片安装部分和第二芯片安装部分； 主放大器，被附接到完全在第一区域内的顶部表面； 峰值放大器，被附接到完全在第二区域内的顶部表面； 第一传导引线和第二传导引线，被电气连接到所述主放大器的栅极端子和漏极端子，所述第一引线和所述第二引线在相反方向上远离所述基体地横向延伸；以及 第三传导引线和第四传导引线，被电气连接到所述峰值放大器的栅极端子和漏极端子，所述第三引线和所述第四引线在相反方向上远离所述基体地横向延伸， 其中所述主放大器的裸片区域小于所述峰值放大器的裸片区域，其中所述主放大器的裸片宽度小于所述峰值放大器的裸片宽度， 其中所述第一芯片安装部分的区域对应于所述主放大器的裸片区域， 其中所述第二芯片安装部分的区域对应于所述峰值放大器的裸片区域， 其中所述第一引线和所述第二引线的宽度对应于所述主放大器的裸片宽度，并且 其中所述第三引线和所述第四引线的宽度对应于所述峰值放大器的裸片宽度。13.根据权利要求12的经封装的多尔蒂放大器，其中所述主放大器包括第一裸片，并且所述主放大器的裸片宽度对应于所述第一裸片的宽度，以及其中所述峰值放大器包括第二裸片和第三裸片，并且所述峰值放大器的裸片宽度对应于所述第二裸片和所述第三裸片的总体宽度。14.根据权利要求13的经封装的多尔蒂放大器，其中所述峰值放大器的裸片宽度与所述主放大器的裸片宽度的比率大致为2比1，并且其中所述第三引线和所述第四引线的宽度与所述第一引线和所述第二引线的宽度的比率大致为2比I。15.根据权利要求14的经封装的多尔蒂放大器，其中第二部分的区域与第一部分的区域的比率大致为2比I。16.一种经封装的RF功率放大器，包括: 固态金属基体，包括顶部表面； 导电的芯片安装区域，在所述顶部表面上，所述芯片安装区域被划分为第一芯片安装部分和第二芯片安装部分； 第一放大器，被附接到完全在所述第一区域内的所述顶部表面； 第二放大器，被附接到完全在所述第二区域内的所述顶部表面； 第一传导引线和第二传导引线，被电气连接到所述第一放大器的栅极端子和漏极端子，所述第一引线和所述第二引线在相反方向上远离所述基体地横向延伸；以及 第三传导引线和第四传导引线，被电气连接到所述第二放大器的栅极端子和漏极端子，所述第三引线和所述第四引线在相反方向上远离所述基体地横向延伸， 其中所述第一放大器的裸片区域小于所述第二放大器的裸片区域，其中所述第一放大器的裸片宽度小于所述第二放大器的裸片宽度， 其中所述第一芯片安装部分的区域对应于所述第一放大器的裸片区域， 其中所述第二芯片安装部分的区域对应于所述第二放大器的裸片区域， 其中所述第一引线和所述第二引线的宽度对应于所述第一放大器的裸片宽度，并且 其中所述第三引线和所述第四引线的宽度对应于所述第二放大器的裸片宽度。
【专利摘要】本公开涉及具有不对称芯片安装区域和引线宽度的半导体器件封装体。提供一种半导体器件封装体，包括具有顶部表面的固态金属基体以及在顶部表面上的导电的芯片安装区域。传导引线的第一对和第二对被附接到基体并且在相反方向上彼此远离地延伸。第一放大器和第二放大器被附接到顶部表面并且电气连接到引线的第一对和第二对。第一对和第二对通过引线的内边沿侧之间的水平间隙而隔开。在水平间隙中的与基体的边沿垂直地延伸的参考线将芯片安装区域划分为第一芯片安装部分和第二芯片安装部分。第一芯片安装部分的区域小于第二芯片安装部分的区域。与第三引线和第四引线相比，第一引线和第二引线具有更小的宽度。
【IPC分类】H01L23/48, H01L21/60
【公开号】CN105097739
【申请号】CN201510267361
【发明人】A·科姆波施, H·胡戈, S·I·周, S·沃德
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年5月22日
【公告号】DE102015107970A1, US9209116, US20150340306