另一侧，有间隔地镀有正极电镀层12，正极电镀层12上焊接有正极引出件10，正极引出件10又与钽芯片正极钽丝9焊接在一起；敞口陶瓷箱体I的敞口部位有焊接金属化层7，敞口陶瓷箱体I的敞口通过金属盖板8与焊接金属化层7焊接进行封装。
[0023]进一步地，所述的负极电镀层3通过贯通于敞口陶瓷箱体I的负极导电贯通柱4连接到位于陶瓷箱体外的负极引脚5，形成负极引出连接件。
[0024]进一步地，所述的正极电镀层12通过贯通于敞口陶瓷箱体的正极导电贯通柱13连接到位于陶瓷箱体外的正极引脚14，形成正极引出连接件。
[0025]实施例二
实施例二与实施例一的结构基本一样，只是所述的正极导电贯通柱和负极导电贯通柱与敞口陶瓷箱体是采取致密孔配合，在敞口陶瓷箱体位于正极电镀层和负极电镀层处，分别开有安装正极导电贯通柱和负极导电贯通柱的通孔，正极导电贯通柱和负极导电贯通柱分别安装在通孔内，并通过密封胶封装，以防外部脏污渗入敞口陶瓷箱体内。
[0026]所述的敞口陶瓷箱体的敞口部位与金属盖板为阶梯连接结构，盖板盖在筒体后通过焊接进行封装，阶梯连接结构易于固定盖板位置，保证焊接密封性。
[0027]实施例三
实施例三与实施例二的结构基本一样，只是所述的正极引出件为一个上下都带有折边的“]”形支架，且上折边比下折边的折边要短；上折边与钽芯片内引出正极钽丝焊接在一起，形成对正极钽丝的支撑和连接作用；下折边与敞口陶瓷箱体内正极电镀层焊接在一起，并将钽电容正极通过正极电镀层和正极导电贯通柱连接到位于陶瓷箱体外的正极引脚。
[0028]上述所列实施例，只是结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整的描述；显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0029]通过上述实施例可以看出，本发明还涉及一种陶瓷封装结构片式钽电容器的封装方法，将钽芯片置于敞口陶瓷箱体内，敞口陶瓷箱体底部一侧的表面上附着有负极电镀层，钽芯片通过粘结导电胶固定在负极电镀层上；在敞口陶瓷箱体内面底部与负极电镀层相对的另一侧，有间隔地镀有正极电镀层，正极电镀层上焊接有正极引出件，正极引出件又与钽芯片正极钽丝焊接在一起；敞口陶瓷箱体的敞口部位有焊接金属化层，敞口陶瓷箱体的敞口通过金属盖板与焊接金属化层焊接进行封装。
[0030]进一步地，所述的负极电镀层通过贯通于敞口陶瓷箱体的负极导电贯通柱连接到位于陶瓷箱体外的负极引脚，形成负极引出连接件；所述的正极电镀层通过贯通于敞口陶瓷箱体的正极导电贯通柱连接到位于陶瓷箱体外的正极引脚，形成正极引出连接件。
[0031]进一步地，所述的正极导电贯通柱和负极导电贯通柱与敞口陶瓷箱体是采取致密孔配合，在敞口陶瓷箱体位于正极电镀层和负极电镀层处，分别开有安装正极导电贯通柱和负极导电贯通柱的通孔，正极导电贯通柱和负极导电贯通柱分别安装在通孔内，并通过密封胶封装，以防外部脏污渗入敞口陶瓷箱体内。
[0032]进一步地，所述的敞口陶瓷箱体的敞口部位与金属盖板为阶梯连接结构，盖板盖在筒体后通过焊接进行封装，阶梯连接结构易于固定盖板位置，保证焊接密封性。
[0033]本发明的优点在于:
1、陶瓷外壳采用灌注导电材料贯穿底部进行导通正极或负极结构，底部导通结构缩短了内部导通长度减少产品的等效串联电阻；
2、外壳内部正负极电镀一层金属材料作为芯子连接结构；
3、外壳引脚电镀一层材料作为正负极引出结构；
4、负极采用银浆将芯子与负极内电极进行粘结连接；
5、正极采用焊接正极托片与正极内电极进行焊接连接；
7、芯子正极钽丝与正极托片进行焊接连接；
8、外壳盖板设计台阶结构全密封焊接。
【主权项】
1.一种陶瓷封装结构片式钽电容器，其特征在于:采用陶瓷封装结构，钽芯片安装在敞口陶瓷箱体的内面底部的一侧，在敞口陶瓷箱体内面底部与钽芯片接触的部位，镀有负极电镀层，钽芯片通过粘结导电胶粘结在敞口陶瓷箱体内面底部负极电镀层上；在敞口陶瓷箱体内面底部与负极电镀层相对的另一侧，有间隔地镀有正极电镀层，正极电镀层上焊接有正极引出件，正极引出件又与钽芯片正极钽丝焊接在一起；敞口陶瓷箱体的敞口部位有焊接金属化层，敞口陶瓷箱体的敞口通过金属盖板与焊接金属化层焊接进行封装。2.如权利要求1所述的陶瓷封装结构片式钽电容器，其特征在于:所述的负极电镀层通过贯通于敞口陶瓷箱体的负极导电贯通柱连接到位于陶瓷箱体外的负极引脚，形成负极引出连接件。3.如权利要求1所述的陶瓷封装结构片式钽电容器，其特征在于:所述的正极电镀层通过贯通于敞口陶瓷箱体的正极导电贯通柱连接到位于陶瓷箱体外的正极引脚，形成正极引出连接件。4.如权利要求2或3所述的陶瓷封装结构片式钽电容器，其特征在于:所述的正极导电贯通柱和负极导电贯通柱与敞口陶瓷箱体是采取致密孔配合，在敞口陶瓷箱体位于正极电镀层和负极电镀层处，分别开有安装正极导电贯通柱和负极导电贯通柱的通孔，正极导电贯通柱和负极导电贯通柱分别安装在通孔内，并通过密封胶封装，以防外部脏污渗入敞口陶瓷箱体内。5.如权利要求4所述的陶瓷封装结构片式钽电容器，其特征在于:所述的敞口陶瓷箱体的敞口部位与金属盖板为阶梯连接结构，盖板盖在筒体后通过焊接进行封装，阶梯连接结构易于固定盖板位置，保证焊接密封性。6.如权利要求5所述的陶瓷封装结构片式钽电容器，其特征在于:所述的正极引出件为一个上下都带有折边的“]”形支架，且上折边比下折边的折边要短；上折边与钽芯片内引出正极钽丝焊接在一起，形成对正极钽丝的支撑和连接作用；下折边与敞口陶瓷箱体内正极电镀层焊接在一起，并将钽电容正极通过正极电镀层和正极导电贯通柱连接到位于陶瓷箱体外的正极引脚。7.—种陶瓷封装结构片式钽电容器的封装方法，将钽芯片置于敞口陶瓷箱体内，敞口陶瓷箱体底部一侧的表面上附着有负极电镀层，钽芯片通过粘结导电胶固定在负极电镀层上；在敞口陶瓷箱体内面底部与负极电镀层相对的另一侧，有间隔地镀有正极电镀层，正极电镀层上焊接有正极引出件，正极引出件又与钽芯片正极钽丝焊接在一起；敞口陶瓷箱体的敞口部位有焊接金属化层，敞口陶瓷箱体的敞口通过金属盖板与焊接金属化层焊接进行封装。8.如权利要求7所述的陶瓷封装结构片式钽电容器的封装方法，其特征在于:所述的负极电镀层通过贯通于敞口陶瓷箱体的负极导电贯通柱连接到位于陶瓷箱体外的负极引脚，形成负极引出连接件；所述的正极电镀层通过贯通于敞口陶瓷箱体的正极导电贯通柱连接到位于陶瓷箱体外的正极引脚，形成正极引出连接件。9.如权利要求8所述的陶瓷封装结构片式钽电容器的封装方法，其特征在于:所述的正极导电贯通柱和负极导电贯通柱与敞口陶瓷箱体是采取致密孔配合，在敞口陶瓷箱体位于正极电镀层和负极电镀层处，分别开有安装正极导电贯通柱和负极导电贯通柱的通孔，正极导电贯通柱和负极导电贯通柱分别安装在通孔内，并通过密封胶封装，以防外部脏污渗入敞口陶瓷箱体内。10.如权利要求9所述的陶瓷封装结构片式钽电容器的封装方法，其特征在于:所述的敞口陶瓷箱体的敞口部位与金属盖板为阶梯连接结构，盖板盖在筒体后通过焊接进行封装，阶梯连接结构易于固定盖板位置，保证焊接密封性。
【专利摘要】一种陶瓷封装结构片式固体钽电容器及其封装方法，采用陶瓷封装结构，钽芯片安装在敞口陶瓷箱体的内面底部的一侧，在敞口陶瓷箱体内面底部与钽芯片接触的部位，镀有负极电镀层，钽芯片通过粘结导电胶粘结在敞口陶瓷箱体内面底部负极电镀层上；在敞口陶瓷箱体内面底部与负极电镀层相对的另一侧，有间隔地镀有正极电镀层，正极电镀层上焊接有正极引出件，正极引出件又与钽芯片正极钽丝焊接在一起；敞口陶瓷箱体的敞口部位有焊接金属化层，敞口陶瓷箱体的敞口通过金属盖板与焊接金属化层焊接进行封装。
【IPC分类】H01G9/10, H01G9/012, H01G9/15, H01G9/08
【公开号】CN105140040
【申请号】CN201510619558
【发明人】钱武香, 毛云武, 李俊伟, 赖雨春
【申请人】株洲宏达电子有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年9月25日