底基板10上形成包括多晶娃层20的图形。本步骤中具体通过构图工艺(通常包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺)形成多晶硅层20的图形。
[0047]步骤二:如图6所示，在多晶硅层20上形成栅绝缘层30。步骤三:如图6所示，在所述栅绝缘层30上依次形成栅金属薄膜和光刻胶薄膜，通过构图工艺形成包括栅极50的图形，保留栅极上方的光刻胶40，使得光刻胶40边缘超出所述栅极50的边缘。
[0048]步骤四:如图7所示，对栅极上方的光刻胶40进行减薄处理，以便后续掺杂时对栅极50边缘的离子注入的阻碍不是太大。具体可通过对光刻胶40进行灰化处理，以减薄光刻胶40的厚度。
[0049]步骤五:如图7所示，以减薄处理后的光刻胶40为掩膜，对所述多晶硅层20进行掺杂处理，以形成有源层20a。使有源层20a对应光刻胶超出栅极50边缘的多晶硅区域B为轻掺杂区域，未被所述减薄处理后的光刻胶遮挡的多晶硅区域C为重掺杂区域，区域A由于被栅极50覆盖，因此未被掺杂。
[0050]步骤六:去除剩余的光刻胶，去除后如图8所示。
[0051 ] 本实施例的制作方法中形成栅极时使光刻胶边缘超出所述栅极的边缘，这样在对栅极上方的光刻胶进行减薄处理后对多晶硅层做掺杂处理时，有源层对应光刻胶超出栅极边缘的多晶硅区域因受光刻胶保护被掺杂处理的程度相对较低，自然形成了轻掺杂区，即只需一次掺杂处理就形成了重掺杂和轻掺杂区域，从而减少了工艺流程，降低了薄膜晶体管的制作成本。
[0052]本实施例中步骤三具体包括:
[0053]形成栅金属薄膜，在栅金属薄膜上形成光刻胶薄膜。
[0054]采用掩膜板对所述光刻胶薄膜进行曝光，并显影，只保留栅极区域对应的光刻胶
40 ο
[0055]刻蚀暴露出来的栅金属薄膜，且在保留的光刻胶40的边缘对所述栅金属薄膜过亥IJ，使得光刻胶40边缘超出最终刻蚀出的栅极50的边缘。其中，过刻的范围根据不同的薄膜晶体管的实际情况而定。
[0056]由于需要过刻栅极，优选采用湿刻法刻蚀栅金属薄膜，相对于干刻法，更容易实现过刻。
[0057]本实施例中，光刻胶薄膜厚度为:1.5 μ m?3.5 μ m。该厚度范围的光刻胶薄膜既可以用于正常构图，又能够对设置在光刻胶下方的材料膜层予以保护。
[0058]减薄处理后的光刻胶的厚度为:10nm?700nm，减薄后的这个厚度使得栅极50边缘在掺杂后最终得到合适轻掺杂的离子浓度。
[0059]其中，去除剩余的光刻胶40具体可以包括灰化和剥离工艺。因减薄处理后的光刻胶在对多晶硅层进行掺杂处理时充当掩膜的作用，其会受掺杂处理的影响而产生一定程度的碳化。为保证将掺杂处理后剩余的光刻胶完全去除，可以在进行剥离工艺前先对光刻胶进行灰化处理。
[0060]本实施例中，去除剩余的光刻胶40后还包括:
[0061]形成包括绝缘间隔层60及穿过所述绝缘间隔层60和栅绝缘层30的第一过孔和第二过孔。
[0062]形成包括源极71和漏极72的图形，所述源极71通过所述第一过孔连接所述有源层20a，所述漏极72通过所述第二过孔连接所述有源层20a。
[0063]形成源极71和漏极72之后，还包括在所述源极71和漏极72之上形成包括绝缘保护层80。最终形成的薄膜晶体管如图9所示。
[0064]本发明还提供了一种阵列基板制作方法，如图10所示，包括:上述的薄膜晶体管制作方法的步骤，在形成所述源极71和漏极72之后还包括形成包括平坦层及像素电极90的图形，使所述像素电极90通过穿过所述平坦层的过孔连接所述漏极72。这里需要说明的是绝缘保护层80和平坦层可以是同一层，即在制作阵列基板的工艺中，只要在像素电极90和源极71之间间隔一层绝缘层即可。
[0065]由于采用了上述方法制作薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏电流减小，串扰减小，采用该阵列基板的显示装置显示效果更好。
[0066]进一步地，为了便于多晶娃层20在衬底基板10上形成，在形成所述多晶娃层20之前还包括在所述衬底基板10上形成缓冲层100，所述多晶硅层20形成在所述缓冲层100上。
[0067]本发明实施例提供一种薄膜晶体管制作方法及阵列基板制作方法，其可用于液晶显示、OLED (Organic Light-Emitting D1de，有机发光二极管)显示、电子墨水显示等采用薄膜晶体管作为开关原件的技术领域，本发明对此不做限制。
[0068]以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上形成包括多晶硅层的图形； 在多晶硅层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上依次形成栅金属薄膜和光刻胶薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形，保留栅极上方的光刻胶，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘； 对栅极上方的光刻胶进行减薄处理； 以减薄处理后的光刻胶为掩膜，对所述多晶硅层进行掺杂处理，以形成有源层，使所述有源层对应光刻胶超出所述栅极边缘的多晶硅区域为轻掺杂区域，未被所述减薄处理后的光刻胶遮挡的多晶硅区域为重掺杂区域； 去除剩余的光刻胶。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述形成栅金属薄膜和光刻胶薄膜，通过构图工艺形成所述栅极的图形，保留栅极上方的光刻胶，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘的步骤包括: 形成栅金属薄膜，在栅金属薄膜上形成光刻胶薄膜； 采用掩膜板对所述光刻胶薄膜进行曝光，并显影，只保留栅极区域对应的光刻胶； 刻蚀暴露出来的栅金属薄膜，且在保留的光刻胶的边缘对所述栅金属薄膜过刻，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，采用湿刻法刻蚀所述栅金属薄膜。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，对栅极上方的光刻胶进行减薄处理具体为灰化栅极上方的光刻胶，以减薄栅极上方的光刻胶的厚度。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述光刻胶薄膜厚度为:1.5 μ m ~ 3.5 μ mD6.如权利要求5所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述减薄处理后的光刻胶的厚度为:10nm?700nm。7.如权利要求1?6中任一项所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，去除剩余的光刻胶后还包括: 形成包括绝缘间隔层及穿过所述绝缘间隔层和栅绝缘层的第一过孔和第二过孔； 形成包括源极和漏极的图形，所述源极通过所述第一过孔连接所述有源层，所述漏极通过所述第二过孔连接所述有源层。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，还包括:在所述源极和漏极之上形成包括绝缘保护层的图形。9.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括:如权利要求7或8所述的薄膜晶体管制作方法，在形成所述源极和漏极之后还包括形成包括平坦层及像素电极的图形，使所述像素电极通过穿过所述平坦层的过孔连接所述漏极。10.如权利要求9所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在形成所述多晶硅层之前还包括在所述衬底基板上形成缓冲层，所述多晶硅层形成在所述缓冲层上。
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管制作方法，包括：在衬底基板上形成包括多晶硅层的图形；在多晶硅层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上依次形成栅金属薄膜和光刻胶薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形，保留栅极上方的光刻胶，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘；对栅极上方的光刻胶进行减薄处理；以减薄处理后的光刻胶为掩膜，对所述多晶硅层进行掺杂处理，以形成有源层，使所述有源层对应光刻胶超出所述栅极边缘的多晶硅区域为轻掺杂区域，未被所述减薄处理后的光刻胶遮挡的多晶硅区域为重掺杂区域；去除剩余的光刻胶。还公开了一种阵列基板制作方法。采用本发明的制作方法，减少了多晶硅薄膜晶体管制作的工艺流程。
【IPC分类】H01L29/66, H01L27/12, H01L21/027
【公开号】CN105140276
【申请号】CN201510502120
【发明人】万芳丽
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月14日