薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的至少一个实施例涉及一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置。
【背景技术】
[0002]通常，显示器包括阵列基板，阵列基板上设置有呈矩阵排列的薄膜晶体管，每个薄膜晶体管作为一个连接数据线和像素的开关，开和关的时间由栅线控制。以液晶显示器为例，液晶显示器中的阵列基板包括横纵交叉的多条栅线和多条数据线，这些栅线和数据线限定多个像素，例如，每个像素包括薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与栅线电连接，薄膜晶体管的源极与数据线电连接，薄膜晶体管的漏极与像素电极电连接。
[0003]目前，金属氧化物薄膜晶体管由于迀移率高、均一性好、透明、制作工艺简单等优点而备受关注。刻蚀阻挡型金属氧化物薄膜晶体管是一种常见的金属氧化物薄膜晶体管，其制作工艺简单，并且在金属氧化物有源层上形成的刻蚀阻挡层可以在形成源/漏电极的过程中保护金属氧化物有源层不被破坏，从而提高金属氧化物薄膜晶体管的性能。
[0004]根据栅极和有源层的位置关系，金属氧化物薄膜晶体管可以包括底栅结构和顶栅结构，即，在底栅结构中，栅极位于金属氧化物有源层的下方，在顶栅结构中，栅极位于金属氧化物有源层的上方。此外，在顶栅结构中，为避免金属氧化物有源层受光，在金属氧化物有源层下方还设置有遮光金属层。
【发明内容】
[0005]本发明的至少一个实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法和显示装置，以尽量减小有源层的待与源/漏极电连接的位置处发生静电释放(ESD)造成的ESD损害。
[0006]本发明的至少一个实施例提供了一种薄膜晶体管，其包括:有源层；设置在所述有源层上的刻蚀阻挡层；设置在所述刻蚀阻挡层上的覆盖层，所述覆盖层包括导电材料层、不透光的绝缘层和不透光的半导体层中的至少一种；以及设置在所述覆盖层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述有源层电连接。
[0007]例如，所述覆盖层包括所述导电材料层或所述不透光的半导体层，所述有源层具有沟道区，所述覆盖层在所述有源层的所述沟道区所在的位置处断开。
[0008]例如，所述导电材料层的材料包括金属或导电金属氧化物。
[0009]例如，所述导电材料层包括金属层，并且所述金属层的厚度为300?1000埃。
[0010]例如，沿垂直于所述覆盖层的方向，所述导电材料层或所述不透光的半导体层的在所述沟道区所在位置处的边缘分别与所述源极的面向所述漏极一侧的边缘和所述漏极的面向所述源极一侧的边缘对齐。
[0011]例如，所述源极通过贯穿所述刻蚀阻挡层的第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过贯穿所述刻蚀阻挡层的第二过孔与所述有源层电连接；或者所述刻蚀阻挡层在所述有源层所在面上的正投影位于所述有源层所在的区域内，且所述有源层具有分别伸出到所述刻蚀阻挡层的两侧边缘之外的第一部分和第二部分，所述源极电连接到所述第一部分，所述漏极电连接到所述第二部分。
[0012]例如，所述有源层下方设置有金属结构；所述第一过孔和所述第二过孔在所述金属结构所在面上的正投影与所述金属结构有重叠部分，或者所述有源层的所述第一部分和所述第二部分在所述金属结构所在面上的正投影都与所述金属结构有重叠部分。
[0013]例如，所述薄膜晶体管还包括栅极，所述栅极位于所述有源层之下，所述金属结构包括所述栅极；或者所述栅极位于所述有源层之上，所述金属结构包括遮光金属层。
[0014]例如，所述有源层的材料包括金属氧化物。
[0015]本发明的至少一个实施例还提供了一种阵列基板，其包括上述任一项所述的薄膜晶体管。
[0016]本发明的至少一个实施例还提供了一种显示装置，其包括上述阵列基板。
[0017]本发明的至少一个实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，该方法包括:形成有源层；形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层形成在所述有源层上；形成覆盖层，所述覆盖层形成在所述刻蚀阻挡层上并且包括导电材料层、不透光的绝缘层和不透光的半导体层中的至少一种；以及形成源极和漏极，所述源极和所述漏极形成在所述覆盖层上并且与所述有源层电连接。
[0018]例如，形成所述刻蚀阻挡层和所述覆盖层包括:形成刻蚀阻挡层薄膜，所述刻蚀阻挡层薄膜形成在所述有源层上；在所述刻蚀阻挡层薄膜上形成覆盖层薄膜；在所述覆盖层薄膜上形成光刻胶薄膜，对所述光刻胶薄膜进行曝光、显影处理后形成光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩膜对所述覆盖层薄膜进行刻蚀，以形成覆盖层图案；以所述光刻胶图案或所述覆盖层图案为掩膜，对所述刻蚀阻挡层薄膜进行刻蚀，以形成所述刻蚀阻挡层。
[0019]例如，形成所述覆盖层图案还包括形成位于所述覆盖层图案中的第一覆盖层过孔和第二覆盖层过孔；形成所述刻蚀阻挡层还包括形成位于所述刻蚀阻挡层中的对应所述第一覆盖层过孔的第一刻蚀阻挡层过孔和对应所述第二覆盖层过孔的第二刻蚀阻挡层过孔。
[0020]例如，形成所述覆盖层图案时使所述覆盖层图案在所述有源层所在面上的正投影位于所述有源层所在区域之内；形成所述刻蚀阻挡层时使所述有源层具有伸出所述刻蚀阻挡层的两侧边缘之外的第一部分和第二部分；其中，所述源极电连接到所述第一部分，所述漏极电连接到所述第二部分。
[0021]例如，所述覆盖层包括所述导电材料层或所述不透光的半导体层。在这种情况下，在形成所述刻蚀阻挡层之后，在所述覆盖层图案上形成源漏金属层薄膜；对所述源漏金属层薄膜进行图案化处理以形成所述源极和所述漏极；以及对所述覆盖层图案进行刻蚀，以使所述覆盖层图案在所述源极和所述漏极之间的位置处断开。
[0022]本发明的至少一个实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用上述任一项所述的方法制作。
【附图说明】
[0023]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
[0024]图1a为一种底栅结构的金属氧化物薄膜晶体管的剖视示意图；
[0025]图1b为制作图1a所示的薄膜晶体管的刻蚀阻挡层时进行曝光处理的示意图；
[0026]图1c为对刻蚀阻挡层薄膜进行图案化处理的曝光过程中发生静电释放的示意图；
[0027]图2a为本发明实施例一提供的一种薄膜晶体管的剖视示意图；
[0028]图2b为本发明实施例一提供的又一种薄膜晶体管的剖视示意图；
[0029]图2c为本发明实施例一提供的另一种薄膜晶体管的剖视示意图；
[0030]图3a为本发明实施例二提供的一种薄膜晶体管的剖视示意图；
[0031]图3b为本发明实施例二提供的又一种薄膜晶体管的剖视示意图；
[0032]图3c为本发明实施例二提供的另一种薄膜晶体管的剖视示意图。
[0033]图4a至图4f为本发明实施例三提供的制作如图2a所示的薄膜晶体管的各步骤的不意图；
[0034]图5a至5f为本发明实施例三提供的制作如图2b和图2c所示的薄膜晶体管的各步骤的不意图。
【具体实施方式】
[0035]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其它元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0037]图1a为一种底栅结构的金属氧化物薄膜晶体管的剖视示意图。如图1a所示，该薄膜晶体管包括栅极01、设置在栅极01上的栅绝缘层02、设置在栅绝缘层02上的金属氧化物(例如氧化铟镓锌)有源层03、设置在金属氧化物有源层03上的刻蚀阻挡层04和设置在刻蚀阻挡层04上的源极05a和漏极05b，源极05a和漏极05b分别通过刻蚀阻挡层04中的过孔04a和过孔04b与有源层03电连接。
[0038]通常，图1a所示的薄膜晶体管的制作方法包括如下步骤SOl至步骤S05，下面详细介绍这些步骤。
[0039]步骤SOl:沉积栅金属层薄膜，并通过一次图案化处理形成栅极01。
[0040]步骤S02:在栅极01上沉积栅绝缘层薄膜，并通过一次图案化处理形成栅绝缘层02和位于栅绝缘层02中的过孔(图1a中未示出)。
[0041]步骤S