104]步骤702、在栅极上形成栅绝缘层。
[0105]示例的，可以通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任意一种来形成栅绝缘层102，若制造如图3所示的驱动电路，形成有栅绝缘层102的衬底基板00可以如图8所示。若制造如图4所示的驱动电路，形成有栅绝缘层102的衬底基板00可以如图14所示。
[0106]步骤703、在栅绝缘层上形成源极，该源极在栅极所在层的正投影与栅极不重叠。
[0107]示例的，可以在形成有栅绝缘层102的衬底基板00上形成薄膜(或膜层)，对该薄膜通过一次构图工艺形成源极104，若制造如图3所示的驱动电路，形成有源极104的衬底基板00可以如图15所示，该源极包括在栅极101两侧对称设置的两部分，若制造如图4所示的驱动电路，形成有源极104的衬底基板00可以如图16所示，其中，形成薄膜通常有沉积、涂敷、溅射等多种方式，该构图工艺通常包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。
[0108]步骤704、在源极上形成半导体层，该半导体层在栅极所在层的正投影与栅极部分重叠。
[0109]示例的，可以在形成有源极104的衬底基板00上形成薄膜(或膜层)，对该薄膜通过一次构图工艺形成半导体层103，该半导体层103包括在栅极101两侧对称设置的两部分，若制造如图3所示的驱动电路，形成有半导体层103的衬底基板00可以如图17所示，若制造如图4所示的驱动电路，形成有半导体层103的衬底基板00可以如图18所示，其中，形成薄膜通常有沉积、涂敷、溅射等多种方式，该构图工艺通常包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。
[0110]其中，每个半导体层103为弯折结构，可以视为Z字形，半导体层由依次连接的平行衬底基板表面的第一有源层、垂直衬底基板表面的第二有源层和平行衬底基板表面的第三有源层形成，第一有源层与第三有源层的距离等于长度。
[0111]步骤705、在半导体层上形成漏极，该半导体层分别与源极、漏极连接，漏极在栅极所在层的正投影与栅极重叠。
[0112]示例的，可以在形成有半导体层103的衬底基板00上形成薄膜(或膜层)，对该薄膜通过一次构图工艺形成漏极105，若制造如图3所示的驱动电路，形成有漏极105的衬底基板00可以如图19所示，若制造如图4所示的驱动电路，形成有漏极105的衬底基板00可以如图20所示，其中，形成薄膜通常有沉积、涂敷、溅射等多种方式，该构图工艺通常包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。如图19或20所示，栅极101两侧对称设置有两组源极104与漏极105，在通电时，能够分别形成两个沟道区域。
[0113]实际应用中，源极与衬底基板的距离大于漏极到衬底基板的距离或者漏极到衬底基板的距离大于源极与衬底基板的距离，本发明实施例对此不做限定。
[0114]形成源极104与漏极105之后，本发明实施例中如图3或图4所示的驱动电路01即形成在了衬底基板00上。
[0115]其中，漏极在源极所在层的正投影与源极部分重叠，源极与漏极之间的沟道区域的长度等于源极与漏极的高度差，该长度所在方向平行高度差所在方向。
[0116]需要说明的是，在形成有源极104与漏极105的衬底基板00还可以形成其他图形，例如，本发明对此不做限定。
[0117]综上所述，由于第一极与第二极之间的沟道区域的长度等于第一极与第二极的高度差，则第一极与第二极之间的沟道区域的长度取决于栅绝缘层的厚度，由于栅绝缘层的形成工艺较刻蚀工艺的精度高，则沟道区域的长度可以有效减小，无需增大沟道区域的宽度即可在提高开态电流的情况下，保证显示装置的集成度。
[0118]本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种驱动电路。显示装置可以为:液晶面板、电子纸、0LED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0119]本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
[0120]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种TFT，其特征在于，包括: 栅极； 在所述栅极上形成有栅绝缘层； 在所述栅绝缘层上形成有第一极，所述第一极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极不重叠； 在所述第一极上形成有半导体层，所述半导体层在所述栅极所在层的正投影与所述栅极部分重叠； 在所述半导体层上形成有第二极，所述半导体层分别与所述第一极、所述第二极连接，所述第二极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极重叠； 其中，所述第一极与所述第二极形成高度差。2.根据权利要求1所述的TFT，其特征在于，所述第二极在所述第一极所在层的正投影与所述第一极部分重叠，所述第一极与所述第二极之间的沟道区域的长度等于所述第一极与所述第二极的高度差，所述长度所在方向平行所述高度差所在方向。3.根据权利要求2所述的TFT，其特征在于，所述TFT形成于衬底基板上。4.根据权利要求3所述的TFT，其特征在于，所述半导体层为弯折结构，所述半导体层由依次连接的平行所述衬底基板表面的第一有源层、垂直所述衬底基板表面的第二有源层和平行所述衬底基板表面的第三有源层形成，所述第一有源层与所述第三有源层的垂直距离等于所述长度。5.根据权利要求1至4任一所述的TFT，其特征在于， 所述第一极为源极，所述第二极为漏极； 或者，所述第一极为漏极，所述第一极为源极。6.一种驱动电路，其特征在于，包括:权利要求1至4任一所述的TFT。7.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括2个所述TFT，所述驱动电路的2个TFT对称设置。8.根据权利要求7所述的驱动电路，其特征在于，所述2个TFT共用同一个栅极，所述栅极的两侧对称形成有沟道区域，所述2个TFT并联。9.根据权利要求8所述的驱动电路，其特征在于，所述2个TFT分别连接驱动信号线，2个驱动信号线输入的驱动信号相反。10.根据权利要求6至9任一所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路为像素电路或GOA电路。11.一种TFT的制造方法，其特征在于，用于如权利要求1至5任一所述的TFT，包括: 在栅极上形成栅绝缘层； 在所述栅绝缘层上形成第一极，所述第一极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极不重叠； 在所述第一极上形成半导体层，所述半导体层在所述栅极所在层的正投影与所述栅极部分重叠； 在所述半导体层上形成第二极，所述半导体层分别与所述第一极、所述第二极连接，所述第二极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极重叠； 其中，所述第一极与所述第二极形成高度差。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二极在所述第一极所在层的正投影与所述第一极部分重叠，所述第一极与所述第二极之间的沟道区域的长度等于所述第一极与所述第二极的高度差，所述长度所在方向平行所述高度差所在方向。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在栅极上形成栅绝缘层之前，所述方法还包括: 在衬底基板上形成所述栅极。14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述半导体层为弯折结构，所述半导体层由依次连接的平行所述衬底基板表面的第一有源层、垂直所述衬底基板表面的第二有源层和平行所述衬底基板表面的第三有源层形成，所述第一有源层与所述第三有源层的距离等于所述长度。15.根据权利要求11至14任一所述的方法，其特征在于， 所述第一极为源极，所述第二极为漏极； 或者，所述第一极为漏极，所述第一极为源极。16.一种显示装置，包括:权利要求6至10任一所述的驱动电路。
【专利摘要】本发明公开了一种TFT及其制造方法、驱动电路和显示装置，属于显示领域。包括：栅极；在所述栅极上形成有栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有第一极，所述第一极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极不重叠；在所述第一极上形成有半导体层，所述半导体层在所述栅极所在层的正投影与所述栅极部分重叠；在所述半导体层上形成有第二极，所述半导体层分别与所述第一极、所述第二极连接，所述第二极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极重叠；其中，所述第一极与所述第二极形成高度差。本发明能够解决显示装置的集成度较低的问题，本发明能够实现在提高开态电流的情况下，保证显示装置的集成度的有益效果，本发明用于显示装置的制造。
【IPC分类】H01L29/08, H01L29/10, H01L29/786, H01L21/336, H01L27/15, H01L21/77
【公开号】CN105185839
【申请号】CN201510680211
【发明人】崔贤植, 田正牧
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年10月19日