[0063] 2. 1 采用 156mmX 156mm，电阻率为 1 ~3 Q.cm，厚度为 180 ~200 y m P 型 156 倒 角单晶（205的倒角）硅片，进行前期的制绒、扩散、刻蚀，得到形成N型发射极的P型硅片。
[0064] 2. 2利用臭氧设备，对2. 1中得到的形成N型发射极的P型硅片进行氧化，在正面 与背面均形成一层厚度为8nm的二氧化硅层，折射率为1. 45。
[0065] 2. 3采用管式PECVD设备在背面继续沉积二氧化硅层：通入SiH# N 20，控制SiH4 气体的流量为300sccm，N20的流量为4. 5slm，管内压力为1600mTorr，射频功率为6000W，占 空比为2 :36,沉积时间150s，得到厚度为23nm，折射率为1. 5的化学沉积形成的二氧化硅 层。
[0066] 2. 4采用管式PECVD设备在化学沉积形成的二氧化硅层表面沉积氮化硅层：通入 SiHjP NH3,所述NH3流量为5. 5slm，SiH4流量范围为550sccm，管内压力为1800mTorr，射 频功率为6500W，占空比为4 :48,沉积时间750s，得到厚度为100nm，折射率为2. 0的氮化硅 层，形成背面钝化层。
[0067] 2. 5采用管式PECVD设备在正面二氧化硅层表面沉积氮化硅层：通入SiHjP NH 3， 所述NH3流量为5. 5slm，SiH 4流量范围为550sccm，管内压力为1800mTorr，射频功率为 6500W，占空比为4 :48,沉积时间700s，得到厚度为80nm，折射率为1. 9的氮化硅层，形成钝 化膜。
[0068] 2. 6通过丝网印刷的方式在背面开槽后烧结形成局部铝背场，印刷背电场、背电极 与正电极，烧结后得到背面钝化太阳能电池。
[0069] 实施例3
[0070] 3. 1 采用 156mmX 156mm，电阻率为 1 ~3 Q .cm，厚度为 180 ~200 y m P 型 156 倒 角单晶（205的倒角）硅片，进行前期的制绒、扩散、刻蚀，得到形成N型发射极的P型硅片。
[0071] 3. 2利用臭氧设备，对3. 1中得到的形成N型发射极的P型硅片进行氧化，在正面 与背面均形成一层厚度为l〇nm的二氧化硅层，折射率为1. 5。
[0072] 3. 3采用管式PECVD设备在背面继续沉积二氧化硅层：通入SiHjP N 20，控制SiH4 气体的流量为400sccm，N20的流量为6slm，管内压力为1600mTorr，射频功率为6000W，占空 比为2 :36,沉积时间200s，得到厚度为26nm，折射率为1. 6的化学沉积形成的二氧化硅层。
[0073] 3. 4采用管式PECVD设备在化学沉积形成的二氧化硅层表面沉积氮化硅层：通入 SiHjP NH3,所述NH3流量为5. 5slm，SiH4流量范围为550sccm，管内压力为1800mTorr，射 频功率为6500W，占空比为4 :52,沉积时间850s，得到厚度为150nm，折射率为2. 1的氮化硅 层，形成背面钝化层。
[0074] 3. 5采用管式PECVD设备在正面二氧化硅层表面沉积氮化硅层：通入SiHjP NH 3， 所述NH3流量为5. 5slm，SiH 4流量范围为550sccm，管内压力为1800mTorr，射频功率为 6500W，占空比为4 :56,沉积时间800s，得到厚度为95nm，折射率为2. 0的氮化硅层，形成钝 化膜。
[0075]3. 6通过丝网印刷的方式在背面开槽后烧结形成局部铝背场，印刷背电场、背电极 与正电极，烧结后得到背面钝化太阳能电池。
[0076] 比较例1
[0077] 1. 1 采用 156mmX 156mm，电阻率为 1 ~3 Q.cm，厚度为 180 ~200 y m P 型 156 倒 角单晶（205的倒角）硅片，进行前期的制绒、扩散、刻蚀，得到形成N型发射极的P型硅片。
[0078] 1. 2利用PECVD在1. 1形成N型发射极的P型硅片正面制备氮化硅钝化层。
[0079] 1. 3印刷背电极、背电场与正电极，烧结后得到太阳能电池。
[0080] 对实施例1~3与比较例1中得到的背面钝化太阳能电池的Lifetime、Implies Voc及电性能进行测试得到结果见表1、表2及表3。
[0081] 表1背面钝化太阳能电池Lifetime测试结果
[0082]
[0083]
[0084] 表2背面钝化太阳能电池Voc测试结果
[0085]
[0086] 表3背面钝化太阳能电池电性能测试结果
[0087]
【主权项】
1. 一种背面钝化太阳能电池，其特征在于，包括：背电极、全铝背电场、背面钝化层、局 部铝背场、P型硅、N型发射极、钝化膜和正电极； 所述背电极、全铝背电场、背面钝化层、P型硅、N型发射极与钝化膜由下至上依次连 接； 所述全铝背电场通过所述局部铝背场与所述P型硅相连接； 所述正电极设置于钝化膜上，且通过烧结与所述N型发射极相连接； 所述背面钝化层包括二氧化硅层与氮化硅层，所述二氧化硅层与所述P型硅相连接， 所述氮化硅层与所述全铝背电场相连接；所述二氧化硅层包括氧化形成的二氧化硅层与等 离子体化学气相沉积形成的二氧化硅层； 所述钝化膜包括二氧化硅层与氮化硅层，所述二氧化硅层与所述N型发射极相连接。2. 根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层中的氧 化形成的二氧化娃层的厚度为5~IOnm03. 根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层中等离 子体化学气相沉积形成的二氧化硅层的厚度为20~30nm。4. 根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层中的氮 化娃层的厚度为100~150nm〇5. 根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述钝化膜中二氧化硅 层的厚度为5~IOnm06. 根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述钝化膜中氮化硅层 的厚度为75~95nm〇7. -种背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1) 将P型硅片进行制绒、扩散与刻蚀，得到形成N型发射极的P型硅片； 2) 将所述形成N型发射极的的P型硅片进行氧化，在其正面与背面均形成一层二氧化 娃层； 3) 利用等离子体化学气相沉积在背面二氧化硅层表面沉积二氧化硅层，然后再沉积氮 化硅，形成背面钝化层； 4) 利用等离子体化学气相沉积在正面二氧化硅层表面沉积氮化硅，形成钝化膜； 5) 将形成钝化膜后的P型硅片背面开槽烧结形成局部铝背场，然后印刷背电场、背电 极与正电极，烧结后得到背面钝化太阳能电池。8. 根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中的氧化为热氧化或利 用臭氧氧化。9. 根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中通过丝网印刷的方式 在背面开槽烧结形成局部铝背场。10. 根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述P型硅片的电阻率为1~ 3Q?cm;所述P型娃片的厚度为160~200ym。
【专利摘要】本发明提供了一种背面钝化太阳能电池及其制备方法，包括以下步骤：1)将P型硅片进行制绒、扩散与刻蚀；2)将所述形成N型发射极的P型硅片进行氧化，在其正面与背面均形成一层二氧化硅层；3)利用PECVD在背面二氧化硅层表面沉积二氧化硅层，然后再沉积氮化硅，形成背面钝化层；4)利用PECVD在正面二氧化硅层表面沉积氮化硅，形成钝化膜；5)将形成钝化膜后的P型硅片背面开槽烧结形成局部铝背场，然后印刷背电场、背电极与正电极。与现有技术相比，PECVD制备的氮化硅层中含有大量的氢原子，可饱和悬挂键，较高的背反射率增加了长波长的光的吸收，提高了背表面附近载流子的收集，而且钝化提高了少数载流子的寿命。
【IPC分类】H01L31/048, H01L31/18, H01L31/049
【公开号】CN105185851
【申请号】CN201510559397
【发明人】孙海杰, 蒋方丹, 金井升, 许佳平
【申请人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年9月6日