覆盖基底300的第二表面302分别施加相向的压力而实现；在本实施例中，所述压合工艺为真空压合。
[0059]在一实施例中，所述覆盖基底300的第一表面301具有若干导电层,所述导电层的位置与所述电互连结构的顶部表面相互对应，在所述热处理工艺中，所述导电层与所述电互连结构的顶部表面相互熔接，以此实现待处理基底400和覆盖基底300的键合。
[0060]在另一实施例中，所述覆盖基底300的第一表面301具有绝缘层，在所述热处理工艺中，所述绝缘层与待处理基底400第一表面401的介质层相互熔接，以此实现待处理基底400和覆盖基底300的键合。
[0061]在本实施例中，由于待处理基底400的切割道区412内具有切割沟槽421，在键合工艺之后，所述切割沟槽421能够与覆盖基底300的第一表面301形成空腔，且所述空腔与外部环境连通。此外，本实施例中，器件层422(如图7所示)内的器件结构包括MEMS器件结构，例如压力传感器等，而MEMS器件结构内往往也具有与外部连通的空腔，用于获取外部信息。
[0062]且所述切割沟槽421的底部具有测试键，在所述键合工艺之后，需要刻蚀所述覆盖基底300以暴露出切割道区内的测试键，以便对待处理基底400器件区411内的芯片电路进行测试，以判断工艺制程是否符合设计需求；并且，在所述键合工艺之后对芯片电路进行测试，所获得的结果包括所述键合工艺对器件层422性能的影响，更有利于对芯片电路可靠性判断，并且有利于进一步改进工艺制程。
[0063]由于所述覆盖基底300厚度较厚，因此在后续刻蚀所述覆盖基底300以暴露出待处理基底400的切割道区412之前，需要自所述覆盖基底300的第二表面302进行减薄。
[0064]而在减薄所述覆盖基底300之后，需要对所述覆盖基底300的第二表面302进行湿法清洗，以去除残留于覆盖基底300第二表面302的附着物。然而，由于所述覆盖基底300和待处理基底400之间具有与外部环境连通的空腔，而且所述覆盖基底300和待处理基底400的边缘均为圆边，所述相键合的覆盖基底300和待处理基底400边缘容易引导湿法清洗的清洗液流入所述空腔内部，而且，进入所述空腔内的清洗液难以被排出，容易对切割道区412内的测试键、以及器件区411的器件层422造成腐蚀，影响芯片电路的性能，并且影响到后续对芯片电路测试结果的准确性。
[0065]因此，在后续对覆盖基底300的第二表面302进行减薄之前，需要先对所述待处理基底400进行修边，使所述待处理基底的边缘小于覆盖基底的300的边缘，使得所述覆盖基底300能够阻挡清洗液流入所述待处理基底400和覆盖基底300之间的空腔内。
[0066]请参考图9，对所述待处理基底400进行修边工艺，使所述待处理基底400的半径小于覆盖基底301的半径。
[0067]所述修边工艺使所述待处理基底400的半径小于覆盖基底301的半径，则所述覆盖基底300的边缘突出于所述待处理基底400的边缘，后续对所述覆盖基底300的第二表面302进行湿法清洗时，所述覆盖基底300突出的边缘，使所述突出的边缘能够如伞檐般，能够阻挡向第二表面302冲击的清洗液向下流入待处理基底400与覆盖基底300之间的空腔内，从而防止器件层422(如图7所示)和测试键受到腐蚀。
[0068]而且，经过修边工艺之后，所述待处理基底400的边缘相对于待处理基底400的第一表面401垂直，而所述覆盖基底300的边缘为圆边，当所述清洗液向覆盖基底300第二表面302进行喷淋后，所述清洗液能够沿着所述覆盖基底的圆边边缘流下，而由于所述待处理基底400的边缘小于所述覆盖基底300的边缘，且所述待处理基底400的边缘垂直于第一表面401，沿着所述覆盖基底的圆边边缘流下的清洗液不会接触到所述待处理基底400边缘，也不会受到待处理基底400边缘的引导而流入待处理基底400与覆盖基底300之间的空腔内，以此防止器件层422和测试键受到腐蚀。
[0069]所述修边工艺使所述待处理基底400的半径减小3毫米?5毫米，使得所述修边工艺去除的待处理基底400位于若干器件区411的外围，因此所述修边工艺不会破坏已形成有器件层422的器件区411，而且，经过修边之后的待处理基底400适于在后续进行单片切割。
[0070]所述修边工艺采用刀具自待处理基底400的边缘向中心进给，使所述待处理基底400的半径减小。所述刀具的转速为2000转/分钟?3000转/分钟，所述刀具的进给速度为5微米/秒?10微米/秒，所述进给的深度为400微米?750微米。在所述修边工艺中，通过控制所述刀具的进给速度，能够精确控制待处理基底400的半径减小量。
[0071]请参考图10，对所述覆盖基底300的第二表面302进行减薄。
[0072]减薄所述覆盖基底300的工艺为抛光工艺，本实施例中为化学机械抛光工艺。通过对所述覆盖基底300的第二表面302进行抛光，能够使所述覆盖基底300的厚度减小，使得后续刻蚀所述覆盖基底300的深度减小，从而降低了后续刻蚀所述覆盖基底300的工艺难度。
[0073]在对所述覆盖基底300的第二表面302进行减薄之后，所述覆盖基底300的厚度为3微米?400微米。由于后续刻蚀所述覆盖基底300直至暴露出待处理基底400的切割道区412，因此后续刻蚀覆盖基底300的深度即所述覆盖基底300的厚度，而所述覆盖基底300的厚度为3微米?400微米时，有利于降低后续刻蚀工艺的难度。
[0074]在本实施例中，在修边工艺之后，对所述覆盖基底300的第二表面302进行减薄之前，采用贴膜工艺在待处理基底400的第二表面402粘附保护膜500 ;并且在减薄工艺之后，去除所述保护膜500。所述保护膜在所述减薄工艺过程中，用于保护所述待处理基底400的第二表面402，防止待处理基底400的第二表面402与工艺设备的基座之间因发生摩擦而造成损伤。
[0075]请参考图11，在对所述覆盖基底300的第二表面302进行减薄之后，对所述覆盖基底300的第二表面302进行清洗。
[0076]所述清洗工艺用于去除前序减薄工艺残留于覆盖基底300第二表面302的杂质或附着物。本实施例中，所述清洗工艺为湿法清洗工艺，且所述湿法清洗的清洗液包括去离子水。
[0077]所述清洗液以朝向所述覆盖基底300第二表面302的方向进行喷淋，所述去清洗液的喷淋方向垂直于所述覆盖基底300的第二表面302、或者相对于覆盖基底300第二表面302具有倾斜角度。本实施例中，所述清洗液以相对于覆盖基底300的第二表面302倾斜的角度向覆盖基底300冲击。
[0078]由于在减薄工艺之前，对待处理基底400进行修边，减小了所述待处理基底400的半径，使得覆盖基底300的边缘突出于所述待处理基底400的边缘，在所述清洗工艺过程中，自所述覆盖基底300的边缘流下的清洗液不易进入所述半径较小的待处理基底400内，因此，所述待处理基底400和覆盖基底300之间的空腔内不易侵入清洗液，避免了待处理基底400表面的器件层422 (如图7所示)和测试键受到清洗液的侵蚀，保证了器件层422内芯片电路的性能，并且保证了后续以测试键进型芯片电路检测的结果准确。
[0079]在一实施例中，在所述清洗工艺之后，刻蚀所述覆盖基底300之前，对所述待处理基底400和覆盖基底300进行甩干工艺。所述甩干工艺能够进一步去除残留于覆盖基底300和待处理基底400表面、以及覆盖基底300和待处理基底400之间的清洗液，进一步避免了器件层422和测试键受到损伤。
[0080]在本实施例中，在所述清洗工艺之后，去除保护膜500(如图10所示)。
[0081]请参考图12和图13，图13是图12中区域C的局部放大示意图，在对所述覆盖基底300的第二表面302进行清洗之后，刻蚀部分所述覆盖基底300，直至暴露出待处理基底400第一表面401的切割道区412。
[0082]刻蚀所述覆盖基底300的工艺包括:在所述覆盖基底300表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出与待处理基底400切割道区412位置对应的部分覆盖基底300第二表面302 ；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述覆盖基底300，直至暴露出待处理基底400切割道区412为止。
[0083]本实施例中，所述覆盖基底300为硅衬底，所述刻蚀工艺为各向异性的干法刻蚀工艺，包括:刻蚀气体包括SF6,流量为20标准