71、第二图案72和第三图案73的第二部分7lb、72b和73b共同构成所述引线框架70的第二部分70b。
[0038]步骤S2，参考图4，根据所述引线框架图案70，去除基片10的一部分材料形成预留空间20，从而形成与引线框架图案70的第一部分70a相对应的第一结构30。
[0039]参考图4，图4为在图2基础上的俯视图，本实施例中，所述去除可以采用激光或者等离子体等切割工艺对所述基片10进行第一剪裁，根据引线框架图案70的尺寸，去除基片10的一部分材料，形成贯穿所述基片10厚度的预留空间20，从而在基片10上形成与引线框架图案70的第一部分70a相对应的第一结构30。
[0040]具体地，本实施例中，与所述引线框架70的第一部分70a对应的第一结构30包括与第一图案71的第一部分71a对应的第一子结构31、与第二图案72的第一部分72a对应的第二子结构32和与第三图案73的第一部分73a对应的第三子结构33。所述预留空间20用于提供第一结构在后续冲压过程因延展而多出的部分，因此，所述预留空间20位于所述第一结构30(包括31、32和33)的外围。所述预留空间20的尺寸根据所述基片10的厚度、所述引线框架图案70的第一部分70a的面积及厚度所确定。
[0041]此外，作为一个实施例，一个基片上可以形成多个引线框架，比如，如图4所示，对所述基片10进行第一剪裁后，在所述基片10上同时形成四组相同的预留空间20，后续可以同时在所述基片10上形成四组引线框架。
[0042]步骤S3，参考图5，对所述第一结构30进行冲压，所述第一结构30延展至所述预留空间20，形成第二结构30 '。
[0043]本实施例中，可以从所述基片10的第一表面1a(参考图2)对所述第一结构30进行冲压，形成第二结构30 '。具体地，对所述第一结构30进行冲压，分别形成与所述引线框架图案70的第一图案71的第一部分71a对应的第一子结构31 '、与第二图案72的第一部分72a对应的第二子结构32丨、和与第三图案73的第一部分73a对应的第三子结构 33 ' ο
[0044]所述冲压工艺可以通过压力机和模具对基片的对应部分施加外力，使之产生形变，从而获得所需的形状和尺寸。具体地，为了保持冲压部分和未冲压部分之间的良好过渡，比如不容易断裂等。以铜合金A194为例，所述冲压以超过所述铜合金A194的屈服强度(yield strength)为依据(比如> 380N/mm2)、且不产生裂纹为准。本实施例中，在冲压过程中，基片材料会发生形变，向周围的空间延展，使得冲压区域的厚度减薄。也就是说，所述第二结构30'相对于第一结构30有所减薄，厚度小于所述基片10的厚度。且由于预留空间20的存在，所述第二结构30丨延伸至预留空间20中，能够基本保持与引线框架70的第一部分70a的轮廓相对应。所述冲压可以包括多次冲压，例如2至4次，以便减少所述基片10形成裂纹的可能性。此外，冲压的次数也应按照所述基片10的厚度确定，所述基片10越厚，冲压的次数越高。
[0045]同时参考图5和图6，图6为图5沿AAl方向的剖面示意图，图6中示出了与所述引线框架图案70的第一图案71的第一部分71a对应的第一子结构31丨。本实施例中，从所述基片10的第一表面1a对所述第一子结构31进行冲压，形成了第一子结构31 '，在冲压面形成了所述第一子结构31丨的第三表面10c，且所述第三表面1c低于所述基片10的第一表面10a，故在第一子结构31丨和未冲压部分之间形成了台阶，同时，所述第一子结构31丨的第三表面1c相对的表面与所述基片10的第二表面1b基本保持齐平。同样的，所述第二子结构32丨和第三子结构33丨也具有与第一子结构31丨类似的结构。
[0046]所述第二结构30丨的厚度小于所述基片10厚度。在一些实施例中，所述第二结构30 ;的厚度为所述基片10厚度的30%?70%。这样可以避免所述第二结构30 ;的厚度过小带来的机械强度可能不够、或者所述减薄区域的厚度过大可能带来的不能与封装材料有效相互扣合的问题。在一些实施例中，所述第二结构30'的厚度为所述基片厚度的50%o
[0047]需要说明的是，在上述实施例中，通过先去除部分基片材料、留出预留空间、再减薄的方式进行处理，还可以有所变形，比如可以直接对厚度需求小的引线框架的部分进行减薄，比如可以通过刻蚀方式进行减薄，然后再裁剪成所需的引线框架。
[0048]步骤S4，参考图8，根据引线框架图案70对所述第二结构30丨和所述基片10进行第二剪裁，分别形成与所述引线框架图案70的第一部分70a和第二部分70b对应的第三结构和第四结构，所述第三结构和第四结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面，所述第三结构的厚度小于第四结构的厚度。
[0049]对第二结构冲压后，需要修整成所需的弓I线框架形状。在一些实施例中，所述修整可以通过对所述第二结构30丨和所述基片10进行的第二剪裁实现，具体地，所述第二裁剪可以为两步裁剪，比如包括第三剪裁和第四剪裁。参考图7，根据引线框架图案70，先对所述第二结构30'和所述基片10进行第三剪裁，去除所述第二结构30'和所述基片10的外围区域的较大面积的材料；接着，参考图8，根据引线框架图案70，再对所述第二结构30丨和所述基片10进彳丁精细到裁，去除所述第一结构30丨和所述基片10的内部和周围的小面积的材料，以形成所述第三结构和第四结构。在其他实施例中，所述第二剪裁也可以为一步剪裁，去除所述第二结构30丨和所述基片10上无需保留的区域，直接形成引线框架50。
[0050]本实施例中，所述引线框架图案70具有三端结构，因此在第二剪裁之后，形成与第一图案71、第二图案72和第三图案73对应的第一部件51、第二部件52和第三部件53。所述第一部件51、第二部件52和第三部件53分别用于与双极型晶体管的集电极、基极的发射极相连。所述第一部件51、第二部件52和第三部件53的各自第一部分51a、52a和53a构成了第三结构，所述第一部件51、第二部件52和第三部件53的各自第二部分5lb、52b和53b构成了第四结构。也就是说，所述第三结构和第四结构可以各自包含了属于同一部件的不同部分。由于所述第三结构由经过冲压的第二结构30'剪裁而来，所述第三结构的厚度小于所述第四结构的厚度，即同一部件的分别属于第三结构和第四结构的部分之间形成台阶。所述第一部件51的第一部分51a位置可以用来放置芯片。
[0051]需要说明的是，本实施例中，同时在基片10上形成有多组引线框架，在后续的步骤中，在进行封装后，还需要将各组引线框架分别进行切割分离。
[0052]本发明实施例还提供了一种引线框架，所述引线框架具有放置芯片的位置，所述引线框架包括第一结构和第二结构，其中，所述第一结构的厚度小于所述第二结构的厚度，所述第一结构和第二结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面。所述第一结构和第二结构各自包含同一个部件的不同部分，所述同一个部件的分别属于第一结构和第二结构的部分之间形成台阶，所述台阶的高度为对应第二结构厚度的30%?70%，例如，所述第一结构的厚度可以为所述第二结构厚度的50%。
[0053]本发明实施例还提供了一种采用上述弓I线框架的封装方法。
[0054]参考图9和图10，图10为图9沿CCl方向的剖视图。首先，提供芯片64和引线框架，所述引线框架包括:第一结构和第二结构，其中，所述第一结构的厚度小于所述第二结构的厚度，所述第一结构具有放置芯片64的位置，所述第一结构和