第二结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面。
[0055]本实施例中依然以双极型晶体管芯片的封装为例，即以形成双极型晶体管分立器件为例。本实施例中，所述引线框架包括第一部件61，和位于第一部件61两侧的第二部件62和第三部件63，分别用于与双极型晶体管的集电极、基极和发射极相连。所述第一部件61包括第一部分61a和第二部分61b,所述第一部分61a的厚度小于所述第二部分61b的厚度。类似地，所述第二部件62和第三部件63也分别具有第一部分62a、63a，和第二部分62b、63b，且所述第一部分62a和63a的厚度小于所述第二部分62b和63b的厚度。本实施例中，所述引线框架的材料为铁镍合金或者铜。所述第一部分61a、62a、63a构成了所述引线框架的第一结构，所述第二部分61b、62b、63b构成了所述引线框架的第二结构，所述第一结构厚度小于第二结构的厚度，在背对放置芯片的一侧，所述第一结构和第二结构的表面不在同一水平面上。所述引线框架的第一结构(61a、62a和63a)的厚度为所述第二结构(6lb、62b和62b)厚度的30%?70%。在一具体实施例中，所述引线框架的第一结构的厚度为所述第二结构厚度的50%。
[0056]接着，将所述芯片64装载在所述第一结构的第一表面；然后，采用封装材料66封装所述芯片64和所述引线框架的第一结构，所述分装材料66包裹所述芯片64、第一结构的芯片位置极其背面。
[0057]继续参考图9和图10，本实施例中，将所述芯片64装载在所述第一部件61第一结构61a的第一表面611之上，且所述芯片的64的集电极与第一部件61电学连接。本实施例中，还通过导线65将芯片64的基极和发射极分别与第二部件62和第三部件63电学连接。接着，将所述芯片64、导线65、所述第一部件61的第一结构61a和部分第二结构61b、以及所述第二部件62和第三部件63的第一部分62a、63a,和部分第二部分62b、63b用封装材料66包裹，暴露出剩余部分的第一部件61的第二部分61b、和剩余部分的第二部件62和第三部件63的第二部分62b和63b，用于与外部电路连接，为外部电路提供芯片64所提供的功能。
[0058]如图10所示，由于所述第一部件61的第一部分61a的厚度小于第二结构61b的厚度，且所述第三表面613凸出于所述第二表面612，当使用封装材料66封装上述装载有芯片64的引线框架，由于引线框架的各个部件之间相互分离，封装材料可以流到封装材料的背面并固化，使得封装材料66包裹所述第一部件61的第一部分61a的芯片位置及其相对侦牝实现封装材料和所述引线框架之间相互扣合。对应的，所述第二部件62的第一部分62a和第三部件63的第一部分63a也可以和封装材料66实现扣合，这样保证了所述引线框架、芯片64与封装材料66之间的结合强度，避免在切筋及分离的工序中脱落。此外，由于无需将弓I线框架在封装材料中弯折以形成实现扣合的扣位，在保证封装强度的情况下，本发明引线框架的芯片封装方法所形成的封装体的厚度更小，更符合封装体微型化的需求。
[0059]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种引线框架的形成方法，所述引线框架具有用于放置芯片的位置，其特征在于，包括: 提供基片； 去除所述基片的一部分形成预留空间，从而形成第一结构； 对所述第一结构进行冲压，所述第一结构延展至所述预留空间，形成第二结构； 对所述第二结构和所述基片进行修整，分别形成第三结构和第四结构，所述第三结构和第四结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面，所述第三结构的厚度小于第四结构的厚度。2.如权利要求1所述的引线框架的形成方法，其特征在于，所述第三结构和第四结构各自包含同一个部件的不同部分，所述同一个部件的分别属于第三结构和第四结构的不同部分之间形成台阶。3.如权利要求1所述的引线框架的形成方法，其特征在于，所述预留空间的尺寸根据所述基片的厚度、所述第三结构的面积及厚度确定。4.如权利要求1所述的引线框架的形成方法，其特征在于，所述第二结构的厚度为所述基片厚度的30%?70%。5.如权利要求4所述的引线框架的形成方法，其特征在于，所述第二结构的厚度为所述基片厚度的50%。6.一种引线框架的形成方法，所述引线框架具有用于放置芯片的位置，其特征在于，包括: 提供基片； 对所述基片的一部分进行减薄； 对所述部分经过减薄的基片进行裁剪，分别形成第一结构和第二结构，所述第一结构和第二结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面，所述第一结构的厚度小于第二结构的厚度。7.如权利要求6所述的引线框架的形成方法，其特征在于，所述第一结构和第二结构各自包含同一个部件的不同部分，所述同一个部件的分别属于第一结构和第二结构的不同部分之间形成台阶。8.如权利要求6所述的引线框架的形成方法，其特征在于，所述减薄采用刻蚀方法进行。9.如权利要求6所述的引线框架的形成方法，其特征在于，所述减薄采用冲压方法进行。10.如权利要求6所述的引线框架的形成方法，其特征在于，所述减薄的厚度为所述基片厚度的30%?70%。11.如权利要求10所述的引线框架的形成方法，其特征在于，所述减薄的厚度为所述基片厚度的50%。12.—种采用权利要求1-5中任一方法形成的引线框架。13.一种引线框架，所述引线框架具有放置芯片的位置，其特征在于，包括:第一结构和第二结构，其中，所述第一结构的厚度小于所述第二结构的厚度，所述第一结构和第二结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面。14.如权利要求13所述的引线框架的形成方法，其特征在于，所述第一结构和第二结构各自包含同一个部件的不同部分，所述同一个部件的分别属于第一结构和第二结构的不同部分之间形成台阶。15.如权利要求13所述的引线框架，其特征在于，所述第一结构的厚度为所述第二结构厚度的30%?70%。16.如权利15所述的引线框架，其特征在于，所述第一结构的厚度为所述第二结构厚度的50%。17.—种芯片封装方法，其特征在于，包括: 提供芯片和引线框架，所述引线框架具有放置芯片的位置并包括:第一结构和第二结构，其中，所述第一结构的厚度小于所述第二结构的厚度，所述第一结构和第二结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面； 将所述芯片装载在所述第一结构的芯片位置； 采用封装材料封装所述芯片和所述引线框架的第一结构，所述封装材料包裹所述芯片、第一结构的芯片位置及其相对侧。
【专利摘要】本发明提供了一种引线框架及其形成方法、芯片封装方法，其中，所述引线框架具有用于放置芯片的位置，所述引线框架的形成方法包括：提供基片；去除所述基片的一部分形成预留空间，从而形成第一结构；对所述第一结构进行冲压，所述第一结构延展至所述预留空间，形成第二结构；对所述第二结构和所述基片进行修整，分别形成第三结构和第四结构，所述第三结构和第四结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面，所述第三结构的厚度小于第四结构的厚度。本发明的引线框架所形成的封装体厚度小。
【IPC分类】H01L23/495, H01L21/48
【公开号】CN105206534
【申请号】CN201410277040
【发明人】陈达志, 郑敏诚, 淮永进, 郭艳飞
【申请人】先进科技新加坡有限公司, 北京燕东微电子有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2014年6月19日