处理，制作为LTCC基 体材料。
[0044] 其中，所述LTCC基板的预设规格的制作流程，详述如下：
[0045] SL 1，如图3所示，选用尺寸大小为150mmX150mmX0· 133mm的生瓷片，将第11层 生瓷片进行冲孔处理，形成尺寸为13mmX 4mm的内腔7孔2,在所述第11层生瓷片表面进行 银导带1浆料的印刷，银导带1的宽度为125 μ m，厚度为8um，且在80°C下进行银导带1浆 料的烘焙处理；
[0046] SI. 2,将所述第11层生瓷片表面进行金键合区3金浆料的印刷，金键合区3的尺 寸为250 μ mX 500 μ m，且在80°C下进行金浆料的烘焙处理；
[0047] SI. 3,如图4所示，将第12层至第20层生瓷片制作直径为100 μ m的通孔4和尺 寸为13mmX4mm的内腔7孔2 ;
[0048] SI. 4,如图5所示，采用通孔4浆料填充所述通孔4,且在80°C下进行金浆料的烘 焙处理；
[0049] SI. 5,如图6所示，在所述第20层生瓷片表面进行银导带1浆料的印刷，银导带1 的宽度为125 μ m，在80 °C下进行银导带1浆料的烘焙处理；
[0050] SI. 6,对所述第20层生瓷片表面进行外引出焊盘5和倒扣焊焊盘6金浆 料的印刷，其中，外引出焊盘5的尺寸为200 μπιΧ200 μπι，倒扣焊焊盘6的尺寸为 120 μ mX 120 μ m，并在80°C下进行金浆料的烘焙处理；
[0051] SI. 7,如图7所示，从下至上依次将生瓷片从第1层叠加至第20层，堆叠为巴块， 采用压层为20Mpa的压力，对所述巴块进行压层处理；
[0052] SI. 8,根据拼版的版图尺寸对所述巴块进行激光裁切，生成相应的LTCC基板单 元；
[0053] SI. 9,在温度为865 °C的烧结炉中，烧结LTCC基板单元24小时，形成预设规格 LTCC基板。
[0054] 实施例3
[0055] SL 1，如图3所示，选用尺寸大小为150_Χ150_Χ0· 133謹的生瓷片，将第11层 生瓷片进行冲孔处理，形成尺寸为13mmX 4mm的内腔7孔2,在所述第11层生瓷片表面进行 银导带1浆料的印刷，银导带1的宽度为150 μ m，厚度为8um，且在85°C下进行银导带1浆 料的烘焙处理；
[0056] SI. 2,将所述第11层生瓷片表面进行金键合区3金浆料的印刷，金键合区3的尺 寸为250 μ mX 500 μ m，且在85°C下进行金浆料的烘焙处理；
[0057] SI. 3,如图4所示，将第12层至第20层生瓷片制作直径为125 μ m的通孔4和尺 寸为13mmX4mm的内腔7孔2 ;
[0058] SI. 4,如图5所示，采用通孔4浆料填充所述通孔4,且在85°C下进行金浆料的烘 焙处理；
[0059] SI. 5,如图6所示，在所述第20层生瓷片表面进行银导带1浆料的印刷，银导带1 的宽度为150 μ m，在85 °C下进行银导带1浆料的烘焙处理；
[0060] SI. 6,对所述第20层生瓷片表面进行外引出焊盘5和倒扣焊焊盘6金浆 料的印刷，其中，外引出焊盘5的尺寸为200 μπιΧ200 μπι，倒扣焊焊盘6的尺寸为 120 μ mX 120 μ m，并在85°C下进行金浆料的烘焙处理；
[0061] SI. 7,如图7所示，从下至上依次将生瓷片从第1层叠加至第20层，堆叠为巴块， 采用压层为25Mpa的压力，对所述巴块进行压层处理；
[0062] SI. 8,根据拼版的版图尺寸对所述巴块进行激光裁切，生成相应的LTCC基板单 元；
[0063] SI. 9,在温度为873°C的烧结炉中，烧结LTCC基板单元24. 5小时，形成预设规格 LTCC基板。
[0064] 实施例4
[0065] SL 1，如图3所示，选用尺寸大小为150mmX150mmX0· 133mm的生瓷片，将第11层 生瓷片进行冲孔处理，形成尺寸为13mmX 4mm的内腔7孔2,在所述第11层生瓷片表面进 行银导带1浆料的印刷，银导带1的宽度为175 μ m，厚度为10um，且在90°C下进行银导带1 浆料的烘焙处理；
[0066] SI. 2,将所述第11层生瓷片表面进行金键合区3金浆料的印刷，金键合区3的尺 寸为250 μ mX 500 μ m，且在90°C下进行金浆料的烘焙处理；
[0067] SI. 3,如图4所示，将第12层至第20层生瓷片制作直径为150 μ m的通孔4和尺 寸为13mmX4mm的内腔7孔2 ;
[0068] SI. 4,如图5所示，采用通孔4浆料填充所述通孔4,且在90°C下进行金浆料的烘 焙处理；
[0069] SI. 5,如图6所示，在所述第20层生瓷片表面进行银导带1浆料的印刷，银导带1 的宽度为175 μ m，在90 °C下进行银导带1浆料的烘焙处理；
[0070] SI. 6,对所述第20层生瓷片表面进行外引出焊盘5和倒扣焊焊盘6金浆 料的印刷，其中，外引出焊盘5的尺寸为200 μπιΧ200 μπι，倒扣焊焊盘6的尺寸为 120 μ mX 120 μ m，并在90°C下进行金浆料的烘焙处理；
[0071] SI. 7,如图7所示，从下至上依次将生瓷片从第1层叠加至第20层，堆叠为巴块， 采用压层为30Mpa的压力，对所述巴块进行压层处理；
[0072] SI. 8,根据拼版的版图尺寸对所述巴块进行激光裁切，生成相应的LTCC基板单 元；
[0073] SI. 9,在温度为880 °C的烧结炉中，烧结LTCC基板单元25小时，形成预设规格 LTCC基板。
[0074] 在本实施例中，通过将生瓷片进行冲孔处理、银导带1浆料印刷、烘培处理，形成 基板9层数为20层，外形尺寸为16_X 14mmX 2_、内腔7尺寸为13_X 4mmX Imm的LTCC 基板，使得音叉石英陀螺芯片14能够直接粘接在所述LTCC基板的内腔7,极大的减少了所 述音叉石英陀螺芯片14与所述基板9焊接的体积。
[0075] 实施例5
[0076] S2. 1，将8寸的ASIC圆片10清洗后烘干，在圆片表面采用磁控溅射方法溅射一薄 层铝铜，铝铜的厚度为1.2nm;
[0077] S2. 2,在含有铝铜的圆片表面涂覆负性光刻胶ell-1130,厚度15μπι，曝光、显影、 光刻、腐蚀铝铜、去胶；
[0078] S2. 3,将去胶后的圆片表面涂覆介质层12ΡΙ，厚度30 μπι，固化，再涂覆负性光刻 胶ell-1150,厚度30 μπι，曝光、显景多、光亥I」，腐蚀介质层12ΡΙ，去胶，露出做凸点和导带的窗 口，使凸点窗口为200 μ mX 200 μ m，导带窗口宽度为100 μ m ;
[0079] S2. 4,将再次去胶的圆片表面先溅射钛钨，钛钨的厚度为4001，再溅射铜，铜的 厚度为250人，涂覆正性光刻胶ep-1040,厚度15 μ m，曝光、显影、光刻，留出导带窗口，电镀 铜，采用甲苯、丙酮、乙醇清洗，烘干，在所述铜上电镀镍，去胶，制备成铜导带11 ;
[0080] S2. 5,将电镀去胶后的圆片表面再涂覆正性光刻胶，型号ep-1060,厚度80 μπι，曝 光、显影、光刻，留出凸点窗口，电镀铅锡共晶焊料，去胶；
[0081] S2. 6,依次腐蚀圆片表面的铜和钛钨；
[0082] S2. 7,将腐蚀的钛钨、铜的圆片放入回流炉中进行回流，回流温度215°C，回流时间 6min，锡铅共晶焊料凸台熔化形成锡铅共晶焊料球13 ;
[0083] S2. 8,将回流后的圆片按照芯片版图形状进行晶圆切割，单个芯片的尺寸为 6. 6mmX6. 6mmX0. 3mm〇<