>[0043]2)采用激光打孔技术对硅基片进行打孔形成导电通孔:用激光对硅基体进行打孔，形成导电通孔，孔径60 μ m，其中横向孔数量为3个，孔距间隔均匀，相邻孔距30mm，纵向每隔3mm打一个导电通孔，使其上下面贯通；
[0044]3)表面织构化:按质量比分别取:氢氧化钠或氢氧化钾10%、硅酸钠3.5%、无水乙醇0.3%、异丙醇0.3%和其余为去离子水，将上述溶液混合，混合后加热至70°C，将硅基片放入混合液中进行碱腐蚀制绒，制绒时间30min，形成表面的金字塔结构；然后将制绒后的硅基片依次经过盐酸冲洗15s，氢氟酸冲洗10s和去离子水冲洗15s，去掉表面残留的碱液；将清洗完的硅基片放入甩干机中进行甩干；
[0045]4)制减反射膜:将刻蚀完的硅基片放入现有的PECVD设备中，真空条件下通入硅烷和氨气，在450°C的温度时长30分钟进行等高于增强化学气相沉积，在硅基片正面沉积一层氮化娃膜；
[0046]5)印刷导电通孔:将硅基片放入丝印机中，校正好导电通孔网版位置，加入银浆，印刷导电通孔，将银浆填入导电通孔中；
[0047]6)印刷正面副栅线:将硅基片放入丝印机中，校正好副栅线网版位置，加入银浆，在镀有氮化硅膜的一面印刷正面副栅线；印刷完成后使硅基片经过350°C的烘干炉，去除副栅线中的大部分有机物；
[0048]7)印刷背面主栅线和焊接条:将硅基片放入丝印机中，校正好主栅线和焊接条网版位置，加入银楽，在没有印刷副栅线的一面印刷主栅线和背电极；印刷完成后使硅基片经过250°C的烘干炉，去除主栅线和焊接条中的大部分有机物；
[0049]8)印刷背面铝背场:将硅基片放入丝印机中，校正好铝背场网版位置，加入铝浆，在印刷有主栅线和焊接条的一面印刷铝背场，形成PN结；印刷完成后使硅基片经过300°C的烘干炉，去除铝背场中的大部分有机物；
[0050]9)烧结:采用红外烧结炉使硅基片经过高温烧结炉，炉内各个温区温度在500°C，烧结后硅基片成型。
[0051]实施例三
[0052]—种N型晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤:
[0053]1)硅基体选择:选用电阻率在0.6欧姆，厚度为0.2mm的硅基片；
[0054]2)采用激光打孔技术对硅基片进行打孔形成导电通孔:用激光对硅基体进行打孔，形成导电通孔，孔径20 μ m，其中横向孔数量为2个，孔距间隔均匀，孔间距为60mm，纵向每隔3mm打一个导电通孔，使其上下面贯通；
[0055]3)表面织构化:按质量比分别取:氢氧化钠或氢氧化钾10%、硅酸钠2.5%、无水乙醇0.1 %、异丙醇0.1 %和其余为去离子水，将上述溶液混合，混合后加热至80°C，将硅基片放入混合液中进行碱腐蚀制绒，制绒时间20min，形成表面的金字塔结构；然后将制绒后的硅基片依次经过盐酸冲洗10s，氢氟酸冲洗10s和去离子水冲洗10s，去掉表面残留的碱液；将清洗完的硅基片放入甩干机中进行甩干；
[0056]4)制减反射膜:将刻蚀完的硅基片放入现有的PECVD设备中，真空条件下通入硅烷和氨气，在450°C的温度时长30分钟进行等高于增强化学气相沉积，在硅基片正面沉积一层氮化娃膜；
[0057]5)印刷导电通孔:将硅基片放入丝印机中，校正好导电通孔网版位置，加入银浆，印刷导电通孔，将银浆填入导电通孔中；
[0058]6)印刷正面副栅线:将硅基片放入丝印机中，校正好副栅线网版位置，加入银浆，在镀有氮化硅膜的一面印刷正面副栅线；印刷完成后使硅基片经过350°C的烘干炉，去除副栅线中的大部分有机物；
[0059]7)印刷背面主栅线和焊接条:将硅基片放入丝印机中，校正好主栅线和焊接条网版位置，加入银楽，在没有印刷副栅线的一面印刷主栅线和背电极；印刷完成后使硅基片经过250°C的烘干炉，去除主栅线和焊接条中的大部分有机物；
[0060]8)印刷背面铝背场:将硅基片放入丝印机中，校正好铝背场网版位置，加入铝浆，在印刷有主栅线和焊接条的一面印刷铝背场，形成PN结；印刷完成后使硅基片经过300°C的烘干炉，去除铝背场中的大部分有机物；
[0061]9)烧结:采用红外烧结炉使硅基片经过高温烧结炉，炉内各个温区温度在300°C，烧结后硅基片成型。
[0062]上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他任何未背离本发明的精神实质与原理下所做的改变，修饰，替代，组合，简化，均应为等效的置换方式，都应包含在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种N型晶硅太阳能电池，其特征是，包括N型硅基体，N型硅基体的正面镀有一层氮化硅膜，氮化硅膜上印刷有正面正电极副栅，N型硅基体的背面涂覆有铝浆料构成铝背场形成PN结，在铝背场上印刷有背面正电极主栅和背电极，所述正电极副栅和正电极主栅投影呈90°，所述背电极平行于正电极主栅；所述正电极副栅上通过激光打有穿透N型硅基体的导电通孔，导电通孔内印刷银浆形成穿孔电极，穿孔电极的两端分别连接正电极副栅和正电极主栅；一根正电极副栅上的通孔至少为两个，导电通孔的中心点位于正电极副栅的水平中心线上，在N型硅基体的背面，同侧导电通孔均落于同侧正电极主栅上。2.根据权利要求1所述的一种N型晶硅太阳能电池，其特征是，所述正电极副栅的根数Ml满足80彡Ml彡150，线宽dl满足10 μ m彡dl彡80 μ m。3.根据权利要求1所述的一种N型晶硅太阳能电池，其特征是，所述正电极主栅的根数M2满足2彡M2彡5，线宽d2满足Imm彡d2彡2_。4.根据权利要求1所述的一种N型晶硅太阳能电池，其特征是，所述通孔直径d3多正电极副栅线宽dl，并满足20μπι< d3< 100 μm。5.一种N型晶硅太阳能电池的制备方法，其特征是，包括以下步骤: 1)硅基体选择:选用电阻率在0.6-2欧姆，厚度为0.2mm的硅基片； 2)采用激光打孔技术对硅基片进行打孔形成导电通孔:用激光对硅基体进行打孔，形成导电通孔，孔径20 μπι < d3 < 100 μm，其中横向孔数量为2_5个，孔距间隔均匀，纵向每隔3mm打一个导电通孔，使其上下面贯通； 3)表面织构化:按质量比分别取:氢氧化钠或氢氧化钾10% -15 硅酸钠2.5% -5%、无水乙醇0.1% -0.5%、异丙醇0.1% -0.5%和其余为去离子水，将上述溶液混合，混合后加热至60°C -80°C，将硅基片放入混合液中进行碱腐蚀制绒，制绒时间20min-50min，形成表面的金字塔结构；然后将制绒后的硅基片依次经过盐酸冲洗10s-15s，氢氟酸冲洗10s-15s和去离子水冲洗10s_20s，去掉表面残留的碱液；将清洗完的硅基片放入甩干机中进行甩干； 4)制减反射膜:将刻蚀完的硅基片放入现有的PECVD设备中，真空条件下通入硅烷和氨气，在450°C的温度时长30分钟进行等高于增强化学气相沉积，在硅基片正面沉积一层氮化硅膜； 5)印刷导电通孔:将硅基片放入丝印机中，校正好导电通孔网版位置，加入银楽，印刷导电通孔，将银浆填入导电通孔中； 6)印刷正面副栅线:将硅基片放入丝印机中，校正好副栅线网版位置，加入银浆，在镀有氮化硅膜的一面印刷正面副栅线；印刷完成后使硅基片经过350°C的烘干炉，去除副栅线中的大部分有机物； 7)印刷背面主栅线和焊接条:将硅基片放入丝印机中，校正好主栅线和焊接条网版位置，加入银浆，在没有印刷副栅线的一面印刷主栅线和背电极；印刷完成后使硅基片经过250°C的烘干炉，去除主栅线和焊接条中的大部分有机物； 8)印刷背面铝背场:将硅基片放入丝印机中，校正好铝背场网版位置，加入铝浆，在印刷有主栅线和焊接条的一面印刷铝背场，形成PN结；印刷完成后使硅基片经过300°C的烘干炉，去除铝背场中的大部分有机物； 9)烧结:采用红外烧结炉使硅基片经过高温烧结炉，炉内各个温区温度在300°C?1000°C之间，烧结后硅基片成型。6.根据权利要求5所述的一种N型晶硅太阳能电池的制备方法，其特征是，步骤2)中所述激光的波长为1064nm，频率为30?70KW，光斑直径为10?20微米，脉冲时间为5?20ns ο7.根据权利要求5所述的一种N型晶硅太阳能电池的制备方法，其特征是，所述氮化硅膜的厚度为75?90nmo
【专利摘要】本发明公开了一种N型晶硅太阳能电池，包括：正面电极副栅、氮化硅膜、N型硅衬底、背面正电极主栅、背面背电极和背面铝背场。本发明还公开了一种N型晶硅太阳能电池的制造方法。采用本发明，将正电极主栅印刷在硅片背面，通过孔洞与正面副栅相连，大大减少正面的遮光面积，提高电池的光电转换效率；在电池背面印刷铝背场形成背面PN结，避免硼扩散高温掺杂带来的少子寿命低的缺点，同时简化工艺流程，降低电池制造成本。
【IPC分类】H01L31/05, H01L31/18, H01L31/0224
【公开号】CN105280733
【申请号】CN201510594083
【发明人】方結彬, 秦崇德, 石强, 黄玉平, 何达能, 陈刚
【申请人】广东爱康太阳能科技有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年9月17日