存储器芯片封装模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种模块封装结构，且特别是涉及一种存储器封装结构。
【背景技术】
[0002]就动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)芯片而言，因其所需的接脚数少，且内部线路简单，故可将其焊垫设计为中央分布型(central type)，以共用部分的接线。具体来说，动态随机存取存储器芯片可经由打线接合(wire bonding)或倒装接合(flip chip bonding)等方式而电连接至承载器(carrier),例如导线架(leadframe)或基板(substrate)等。
[0003]以现有的打线接合型态的动态随机存取存储器芯片封装结构为例，动态随机存取存储器芯片会先贴附至承载器，再以打线接合的方式电连接至承载器。之后，以封装胶体(molding compound)包覆动态随机存取存储器芯片以及动态随机存取存储器芯片与承载器电连接的部分，用于防止动态随机存取存储器芯片以及动态随机存取存储器芯片与承载器电连接的部分受到外界水气的影响及杂尘的污染。至此，动态随机存取存储器芯片封装结构已大致完成，其中动态随机存取存储器芯片封装结构可通过表面黏着技术(SurfaceMount Technology, SMT)固定在印刷电路板上，以制得现有的动态随机存取芯片封装模块。
[0004]由于在制作现有的动态随机存取芯片封装模块之前，需先个别进行动态随机存取存储器芯片封装结构的制作，其中动态随机存取存储器芯片需贴附至承载器，以通过承载器电连接至印刷电路板，因此无法有效地降低动态随机存取芯片封装模块的整体厚度、制造成本以及制造工时。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种存储器芯片封装模块，其因制作工艺的简化而降低了制造成本以及制造工时，且可符合薄型化的需求。
[0006]为达上述目的，本发明提出一种存储器芯片封装模块，其包括线路基板、多个第一存储器芯片以及第一封装胶体。线路基板具有第一表面、相对于第一表面的第二表面、位于第一表面上的多个第一凹槽以及位于这些第一凹槽内的多个第一接点。这些第一存储器芯片分别位于这些第一凹槽内，其中各个第一存储器芯片通过至少一第一焊线电连接至对应的第一接点。第一封装胶体填充于这些第一凹槽内，并至少包覆这些第一存储器芯片与这些第一接点电连接的部分。
[0007]在本发明的一实施例中，上述的各个第一存储器芯片具有主动表面、相对于主动表面的芯片背面以及连接主动表面与芯片背面的芯片侧表面。
[0008]在本发明的一实施例中，上述的各个第一存储器芯片以芯片背面连接至线路基板，而使主动表面暴露于第一表面，且第一表面高于各个第一存储器芯片的主动表面。
[0009]在本发明的一实施例中，上述的第一封装胶体包覆这些第一焊线、这些第一接点以及各个第一存储器芯片的主动表面与芯片侧表面。
[0010]在本发明的一实施例中，两个以上的第一存储器芯片相互堆叠以构成第一存储器芯片组，并以这些第一存储器芯片的其中一者的芯片背面连接至线路基板，而使各个第一存储器芯片的主动表面暴露于第一表面，且第一表面高于各个第一存储器芯片的主动表面。
[0011]在本发明的一实施例中，上述的第一凹槽从第一表面贯穿至第二表面。
[0012]在本发明的一实施例中，上述的第一存储器芯片以主动表面连接至线路基板，而使芯片背面暴露于第一表面或第二表面。
[0013]在本发明的一实施例中，上述的第一表面高于各个第一存储器芯片的芯片背面。
[0014]在本发明的一实施例中，上述的第二表面高于各个第一存储器芯片的芯片背面。
[0015]在本发明的一实施例中，上述的存储器芯片封装模块还包括多个第二存储器芯片以及第二封装胶体。线路基板还具有位于第二表面上的多个第二凹槽以及位于这些第二凹槽内的多个第二接点。这些第二存储器芯片分别位于这些第二凹槽内，并通过至少一第二焊线电连接至对应的第二接点。第二封装胶体填充于这些第二凹槽内，并至少包覆这些第二存储器芯片与这些第二接点电连接的部分。
[0016]在本发明的一实施例中，上述的各个第二存储器芯片具有主动表面、相对于主动表面的芯片背面以及连接主动表面与芯片背面的芯片侧表面。
[0017]在本发明的一实施例中，上述的各个第二存储器芯片以芯片背面连接至线路基板，而使主动表面暴露于第二表面，且第二表面高于各个第二存储器芯片的主动表面。
[0018]在本发明的一实施例中，上述的第二封装胶体包覆这些第二焊线、这些第二接点以及各个第二存储器芯片的主动表面与芯片侧表面。
[0019]在本发明的一实施例中，两个以上的第二存储器芯片相互堆叠以构成第二存储器芯片组，并以这些第二存储器芯片的其中一者的芯片背面连接至该线路基板，而使各个第二存储器芯片的主动表面暴露于第二表面，且第二表面高于各个第二存储器芯片的主动表面。
[0020]在本发明的一实施例中，上述的第一凹槽在第一表面上的位置分别正对于第二凹槽在第二表面上的位置。
[0021]基于上述，由于本发明的存储器芯片封装模块是将存储器芯片内埋于线路基板，并利用焊线以打线接合的方式直接电连接存储器芯片与线路基板，因此在无需额外设置承载器以作为存储器芯片与线路基板之间电连接的媒介的情况下，不仅可有效降低存储器芯片封装模块的整体厚度，也可大幅节省制造成本以及制造工时。
[0022]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0023]图1A是本发明一实施例的存储器芯片封装模块的局部俯视示意图；
[0024]图1B是图1A的存储器芯片封装模块沿1-Ι剖线的局部剖面示意图；
[0025]图2是本发明另一实施例的存储器芯片封装模块的局部剖面示意图；
[0026]图3是本发明另一实施例的存储器芯片封装模块的局部剖面示意图；
[0027]图4是本发明另一实施例的存储器芯片封装模块的局部剖面示意图；
[0028]图5是本发明另一实施例的存储器芯片封装模块的局部剖面示意图；
[0029]图6是本发明另一实施例的存储器芯片封装模块的局部剖面示意图；
[0030]图7是本发明另一实施例的存储器芯片封装模块的局部剖面示意图；
[0031]图8是本发明另一实施例的存储器芯片封装模块的局部剖面示意图。
[0032]符号说明
[0033]12:第一存储器芯片组
[0034]16:第二存储器芯片组
[0035]100、100A?100G:存储器芯片封装模块
[0036]110、110b、110c、110e、110f、110g:线路基板
[0037]111:第一表面
[0038]112:第二表面
[0039]113、113e、113f、113g:第一凹槽
[0040]114:第一接点
[0041]115:第二凹槽
[0042]116:第二接点
[0043]120:第一存储器芯片
[0044]121、161:焊垫
[0045]122、162:主动表面
[0046]123、163:芯片背面
[0047]124、164:芯片侧表面
[0048]130:第一封装胶体
[0049]140:第一焊线
[0050]160:第二存储器芯片
[0051]170:第二封装胶体
[0052]180:第二焊线
【具体实施方式】
[0053]图1A是本发明一实施例的存储器芯片封装模块的局部俯视示意图。图1B是图1A的存储器芯片封装模块沿1-ι剖线的局部剖面示意图。请参考图1A与图1B，在本实