Tft基板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术领域，尤其设及一种TFT基板的制作方法。
【背景技术】 阳002] 薄膜晶体管（Thin Film hansistor，简称TFT)是目前液晶显示装置（liquid 化ystal Display,简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置（Active Matrix化ganic Li曲t-Emitting Diode,简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板 显示装置的发展方向。
[0003] 低溫多晶娃(Xow Temperature化ly-silicon, LTP巧技术是新一代TFT基板的制 造技术，与传统非晶娃（a-Si)技术的最大差异在于，低溫多晶娃显示器反应速度较快，且 有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。
[0004] 目前LTPS结晶工艺有准分子激光退火处理巧xcimer LaserAnneal, ELA)技术和 固相结晶化（Solid Phase化ystallization，SPC)技术。其中SPC技术因为大尺寸化容易 且有较高的成本优势，成为大家争先研究的方向。在传统SPC方向上又包括直接高溫长时 间加热烘烤方式和离子诱导方式。在离子诱导结晶方式中有利用Ni(儀）或者B(棚）等 诱导离子的结晶方式。
[0005] 在诱导SPC方式中在植入离子完成诱导结晶后，为了形成半导体层，需要将原本 植入诱导离子的a-Si (非晶娃）去除用W形成半导体的有源层。后续因为需要做源/漏极 的接触区域，又需要对和源/漏极接触的有源层区域植入棚离子或者憐离子，从而实现较 好的接触效果。
[0006] 请参阅图1至图8,现有TFT基板的制作方法主要包括如下步骤：
[0007] 步骤1、如图1所示，提供基板100,在所述基板100上沉积缓冲层200 ;在所述缓 冲层200上沉积非晶娃层300。
[0008] 步骤2、如图2所示，对所述非晶娃层300进行离子植入，并进行高溫烘烤使非晶娃 转变为多晶娃，得到位于缓冲层200上的多晶娃层400、及位于多晶娃层400上的离子诱导 层 500。
[0009] 步骤3、如图3所示，采用蚀刻工艺将离子诱导层500去除，得到多晶娃层400。
[0010] 步骤4、如图4所示，对所述多晶娃层400进行图案化处理，得到岛状半导体层 410。
[0011] 步骤5、如图5所示，在所述岛状半导体层410与缓冲层200上涂布光阻，曝光、显 影后得到光阻层500。
[0012] 步骤6、如图6所示，W所述光阻层500为遮蔽层，对所述岛状半导体层410进行棚 离子植入，于所述岛状半导体层410上得到源/漏极接触区600。
[0013] 步骤7、如图7所不,剥罔光阻层500,在所述岛状半导体层410与绘冲层200上扣 积栅极绝缘层700 ;在所述栅极绝缘层700上形成栅极800。
[0014] 步骤8、如图8所示，在所述栅极绝缘层700、栅极800上形成层间绝缘层900、源/ 漏极910、平坦层920、阴极930、像素定义层940,最后进行OLED 950的蒸锻，进而完成TFT 基板的整个制程，需要九次光罩定义才可W进行OL邸蒸锻，制程成本较高。
[0015] 因此，有必要提供一种TFT基板的制作方法，W解决上述问题。
【发明内容】
[0016] 本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，可有效简化制程，提高生产效 率，节省生产成本。
[0017] 为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
[0018] 步骤1、提供基板，在所述基板上沉积缓冲层，在所述缓冲层上沉积非晶娃层；
[0019] 步骤2、对所述非晶娃层进行离子植入，并进行高溫烘烤使非晶娃结晶转变为多晶 娃，得到位于缓冲层上的多晶娃层、及位于多晶娃层上的离子诱导层；
[0020] 步骤3、在所述离子诱导层上沉积第一金属层，在所述第一金属层上涂布光阻，提 供半色调光罩，利用所述半色调光罩对所述光阻进行曝光、显影，得到相互间隔的第一光阻 段与第二光阻段；所述第一光阻段的两侧区域的厚度大于中间区域的厚度；
[0021] 步骤4、W所述第一光阻段与第二光阻段为遮蔽层，对所述第一金属层、离子诱导 层、多晶娃层进行蚀刻，得到岛状半导体与源/漏极区域；
[0022] 步骤5、对所述第一光阻段与第二光阻段进行灰化处理，去除所述第一光阻段的中 间区域，W剩余的第一光阻段为遮蔽层，对所述岛状半导体与源/漏极区域中的第一金属 层、及离子诱导层进行蚀刻，得到具有沟道区的岛状半导体层、位于所述岛状半导体层上的 源/漏极接触区、及位于所述源/漏极接触区上的源/漏极；剥离剩余的第一光阻段与第二 光阻段；
[0023] 步骤6、在所述源/漏极上沉积栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上沉积第二金属 层，并对所述第二金属层进行图案化处理，形成栅极；
[0024] 步骤7、在所述栅极绝缘层、栅极上形成保护层；在所述保护层上形成平坦层；在 所述平坦层、保护层、及栅极绝缘层上对应源/漏极的上方形成过孔；
[00巧]步骤8、在所述平坦层上制作阴极，所述阴极经由所述过孔与所述源/漏极相接 触；在所述平坦层上形成像素定义层，并在所述像素定义层上形成开口 W暴露出部分阴极； 在所述开口处蒸锻OLED。 阳0%] 所述步骤1中，所述基板为玻璃基板。
[0027]所述步骤1中，所述缓冲层为氮化娃层、氧化娃层、或二者的复合层；所述缓冲层 的厚度为2000~4000A。
[00測所述步骤1中，所述非晶娃层的厚度为2000-、.4000A。
[0029] 所述步骤2中，在所述非晶娃层中植入的离子为棚离子或儀离子。
[0030] 所述步骤3中，所述第一金属层为钢、侣、铜中的一种或多种的堆找组合；所述第 一金属层的厚度为2000、4000A。
[0031] 所述步骤6中，所述栅极绝缘层为氮化娃层、氧化娃层、或二者的组合；所述栅极 绝缘层的厚度为2000~4000A。
[0032] 所述步骤6中，所述第二金属层为钢、侣、铜中的一种或多种的堆找组合；所述第 二金属层的厚度为20说)~4说识达。
[0033] 所述步骤7中，所述保护层为氮化娃层、氧化娃层、或二者的组合；所述保护层的 厚度为2000~4000A。
[0034] 所述步骤8中，所述阴极为氧化铜锡/银/氧化铜锡复合结构或单层金属银；所述 阴极的厚度为1000~3000A。
[0035] 本发明的有益效果：本发明的TFT基板的制作方法，在对非晶娃层进行离子植入 诱导结晶后，无需将得到的多晶娃层表面的离子诱导层完全去除，而是通过半色调光罩工 艺，仅仅去除沟道区的离子诱导层，且后续的源/漏极接触区也不需要再次进行离子植入， 从而节省了再次进行离子植入所需的光罩；同时源/漏极也在所述半色调光罩下完成制 作，从而节省了制作源/漏极所需的光罩；并且因为先制作源/漏极所W省去了层间绝缘层 的制作，从而节省了制作层间绝缘层所需的光罩；本发明的TFT基板的制作方法通过使用 半色调光罩工艺，将现有技术所需的九道光罩缩减至六道光罩，有效简化了制程，提高了生 产效率，节省了生产成本。
【附图说明】
[0036] 为了能更进一步了解本发明的特征W及技术内容，请参阅W下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加W限制。
[0037] 附图中，
[003引图1为一种现有的TFT基板的制作方法的步骤1的示意图；
[0039] 图2为一种现有的TFT基板的制作方法的步骤2的示意图；
[0040] 图3为一种现有的TFT基板的制作方法的步骤3的示意图；
[0041] 图4为一种现有的TFT基板的制作方法的步骤4的示意图；
[0042] 图5为一种现有的TFT基板的制作方法的步骤5的示意图；
[0043] 图6为一种现有的TFT基板的制作方法的步骤6的示意图；
[0044] 图7为一种现有的TFT基板的制作方法的步骤7的示意图； W45] 图8为一种现有的TFT基板的制作方法的步骤8的示意图；
[0046] 图9为本发明的TFT基板的制作方法的示意流程图；
[0047] 图10为本发明的TFT基板的制作方法的步骤1的示意图； W4引图11为本发明的TFT基板的制作方法的步骤2的示意图； W例图12为本发明的TFT基板的制作方法的步骤3的示意图；
[0050] 图13为本发明的TFT基板的制作方法的步骤4的示意图；
[0051] 图14为本发明的TFT基板的制作方法的步骤5的示意图；
[0052] 图15为本发明的TFT基板的制作方法的步骤6的示意图；
[0053] 图16为本发明的TFT基板的制作方法的步骤7的示意图；
[0054] 图17为本发明的TFT基板的制作方法的步骤8的示意图。
【具体实施方式】
[0055] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，W下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0056] 请参阅图9,本发明提供一种T