FT基板的制作方法，包括如下步骤：
[0057] 步骤1、如图10所示，提供基板1，在所述基板1上沉积缓冲层2,在所述缓冲层2 上沉积非晶娃层3。
[0058] 具体地，所述基板1为玻璃基板。
[0059] 具体地，所述缓冲层2为氮化娃（Si化）层、氧化娃（SiOx)层、或二者的复合层；所 述缓冲层2的厚度为2000~4000Ac. 柳6〇] 具体地，所述非晶娃层3的厚度为2000~4000A。
[0061] 步骤2、如图11所示，对所述非晶娃层3进行离子植入，并进行高溫烘烤使非晶娃 结晶转变为多晶娃，得到位于缓冲层2上的多晶娃层4、及位于多晶娃层4上的离子诱导层 5。所述离子诱导层5可直接接触源/漏极。
[0062] 具体地，在所述非晶娃层3中植入的离子为棚离子或儀离子。
[0063] 步骤3、如图12所示，在所述离子诱导层5上沉积第一金属层60,在所述第一金属 层60上涂布光阻，提供半色调光罩，利用所述半色调光罩对所述光阻进行曝光、显影，得到 相互间隔的第一光阻段51与第二光阻段52 ;所述第一光阻段51的两侧区域511的厚度大 于中间区域512的厚度。
[0064] 具体地，所述第一金属层60为钢（Mo)、侣（A1)、铜（化）中的一种或多种的堆找组 合；所述第一金属层60的厚度为2000~4000A。 阳0化]步骤4、如图13所示，W所述第一光阻段51与第二光阻段52为遮蔽层，对所述第 一金属层60、离子诱导层5、多晶娃层4进行蚀刻，得到岛状半导体与源/漏极区域61。
[0066] 步骤5、如图14所示，对所述第一光阻段51与第二光阻段52进行灰化处理，去除 所述第一光阻段51的中间区域512, W剩余的第一光阻段51为遮蔽层，对所述岛状半导体 与源/漏极区域61中的第一金属层60、及离子诱导层5进行蚀刻，得到具有沟道区41的岛 状半导体层40、位于所述岛状半导体层40上的源/漏极接触区50、及位于所述源/漏极接 触区50上的源/漏极6;剥离剩余的第一光阻段51与第二光阻段52。
[0067] 步骤6、如图15所示，在所述源/漏极6上沉积栅极绝缘层7 ;在所述栅极绝缘层 7上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，形成栅极8。
[0068] 具体地，所述栅极绝缘层7为氮化娃层、氧化娃层、或二者的组合；所述栅极绝缘 层7的厚度为孤脚~烟矣。
[0069] 具体地，所述第二金属层为钢、侣、铜中的一种或多种的堆找组合；所述第二金属 层的厚度为2000~4000Ac
[0070] 步骤7、如图16所示，在所述栅极绝缘层7、栅极8上形成保护层9 ;在所述保护层 9上形成平坦层10;在所述平坦层10、保护层9、及栅极绝缘层7上对应源/漏极6的上方 形成过孔91。
[0071] 具体地，所述保护层9为氮化娃层、氧化娃层、或二者的组合；所述保护层9的厚度 为 2000~4000A。 阳0巧步骤8、如图17所示，在所述平坦层10上制作阴极11，所述阴极11经由所述过孔 91与所述源/漏极6相接触；在所述平坦层10上形成像素定义层12,并在所述像素定义层 12上形成开口 121 W暴露出部分阴极11 ;在所述开口 121处蒸锻0LED13。
[0073] 具体地，所述阴极11为氧化铜锡（ITO)/银（Ag)/氧化铜锡（口0)复合结构或单 层金属银；所述阴极11的厚度为1 〇〇〇.、.3000A。
[0074] 综上所述，本发明的TFT基板的制作方法，在对非晶娃层进行离子植入诱导结晶 后，无需将得到的多晶娃层表面的离子诱导层完全去除，而是通过半色调光罩工艺，仅仅去 除沟道区的离子诱导层，且后续的源/漏极接触区也不需要再次进行离子植入，从而节省 了再次进行离子植入所需的光罩；同时源/漏极也在所述半色调光罩下完成制作，从而节 省了制作源/漏极所需的光罩；并且因为先制作源/漏极所W省去了层间绝缘层的制作，从 而节省了制作层间绝缘层所需的光罩；本发明的TFT基板的制作方法通过使用半色调光罩 工艺，将现有技术所需的九道光罩缩减至六道光罩，有效简化了制程，提高了生产效率，节 省了生产成本。
[0075] W上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可W根据本发明的技术方案和技术 构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有运些改变和变形都应属于本发明后附的权利 要求的保护范围。
【主权项】
1. 一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供基板（1)，在所述基板（1)上沉积缓冲层（2)，在所述缓冲层（2)上沉积非 晶娃层（3); 步骤2、对所述非晶硅层（3)进行离子植入，并进行高温烘烤使非晶硅结晶转变为多晶 硅，得到位于缓冲层（2)上的多晶硅层（4)、及位于多晶硅层（4)上的离子诱导层（5); 步骤3、在所述离子诱导层（5)上沉积第一金属层（60)，在所述第一金属层（60)上涂 布光阻，提供半色调光罩，利用所述半色调光罩对所述光阻进行曝光、显影，得到相互间隔 的第一光阻段（51)与第二光阻段（52);所述第一光阻段（51)的两侧区域（511)的厚度大 于中间区域（512)的厚度； 步骤4、以所述第一光阻段（51)与第二光阻段（52)为遮蔽层，对所述第一金属层 (60)、离子诱导层（5)、多晶硅层（4)进行蚀刻，得到岛状半导体与源/漏极区域（61); 步骤5、对所述第一光阻段（51)与第二光阻段（52)进行灰化处理，去除所述第一光阻 段（51)的中间区域（512)，以剩余的第一光阻段（51)为遮蔽层，对所述岛状半导体与源/ 漏极区域（61)中的第一金属层（60)、及离子诱导层（5)进行蚀刻，得到具有沟道区（41)的 岛状半导体层（40)、位于所述岛状半导体层（40)上的源/漏极接触区（50)、及位于所述源 /漏极接触区（50)上的源/漏极（6);剥离剩余的第一光阻段（51)与第二光阻段（52); 步骤6、在所述源/漏极（6)上沉积栅极绝缘层（7);在所述栅极绝缘层（7)上沉积第 二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，形成栅极（8); 步骤7、在所述栅极绝缘层（7)、栅极（8)上形成保护层（9);在所述保护层（9)上形成 平坦层（10);在所述平坦层（10)、保护层（9)、及栅极绝缘层（7)上对应源/漏极（6)的上 方形成过孔（91); 步骤8、在所述平坦层（10)上制作阴极（11)，所述阴极（11)经由所述过孔（91)与所 述源/漏极（6)相接触；在所述平坦层（10)上形成像素定义层（12)，并在所述像素定义层 (12)上形成开口（121)以暴露出部分阴极（11);在所述开口（121)处蒸镀OLED(13)。2. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述基板（1) 为玻璃基板。3. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述缓冲层 (2)为氮化硅层、氧化硅层、或二者的组合；所述缓冲层（2)的厚度为2000~4000A。4. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述非晶硅 层（3)的厚度为2〇:〇〇~4_0羞。5. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，在所述非晶 硅层（3)中植入的离子为硼离子或镍离子。6. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，所述第 一金属层（60)为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合；所述第一金属层（60)的厚度为 2000-4000Ac7. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤6中，所述 栅极绝缘层（7)为氮化硅层、氧化硅层、或二者的组合；所述栅极绝缘层（7)的厚度为 2000~4000A。8. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤6中，所述第二金 属层为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合；所述第二金属层的厚度为2000~4000/\。9.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤7中，所述保护层 (9)为氮化硅层、氧化硅层、或二者的组合；所述保护层（9)的厚度为2000~4000A。10. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤8中，所述阴 极（11)为氧化铟锡/银/氧化铟锡复合结构或单层金属银；所述阴极（11)的厚度为 1000-3000/\：：
【专利摘要】本发明提供一种TFT基板的制作方法，在对非晶硅层进行离子植入诱导结晶后，无需将得到的多晶硅层表面的离子诱导层完全去除，而是通过半色调光罩工艺，仅仅去除沟道区的离子诱导层，且后续的源/漏极接触区也不需要再次进行离子植入，从而节省了再次进行离子植入所需的光罩；同时源/漏极也在所述半色调光罩下完成制作，从而节省了制作源/漏极所需的光罩；并且因为先制作源/漏极，所以省去了层间绝缘层的制作，从而节省了制作层间绝缘层所需的光罩；本发明的TFT基板的制作方法通过使用半色调光罩工艺，将现有技术所需的九道光罩缩减至六道光罩，有效简化了制程，提高了生产效率，节省了生产成本。
【IPC分类】H01L21/77
【公开号】CN105390443
【申请号】CN201510883687
【发明人】张晓星
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年12月3日