一种电子琴连接器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种连接器，尤其设及一种电子琴连接器。
【背景技术】
[0002] 连接器是我们电子工程技术人员经常接触的一种部件。它主要起到在电路内被阻 断处或孤立不通的电路之间，架起沟通的桥梁，从而使电流流通，使电路实现预定功能的作 用。
[0003] 随着消费电子、汽车电子、通信终端市场的快速增长W及全球连接器生产能力不 断向亚洲及中国转移，亚洲已成为连接器市场最有发展潜力的地方，而中国将成为全球连 接器增长最快和容量最大的市场。
[0004] 连接器的主要配套领域有交通、通信、网络、IT、医疗、家电等，配套领域产品技术 水平的快速发展及其市场的快速增长，强有力地牵引着连接器技术的发展。到目前为止，连 接器已发展成为产品种类齐全、品种规格丰富、结构型式多样、专业方向细分、行业特征明 显、标准体系规范的系列化和专业化的产品。
[0005] 总体上看，连接器技术的发展呈现出如下特点：信号传输的高速化和数字化、各类 信号传输的集成化、产品体积的小型化微型化、产品的低成本化、接触件端接方式表贴化、 模块组合化、插拔的便捷化等等。W上技术代表了连接器技术的发展方向，但W上技术并不 是所有连接器都必需的，不同配套领域和不同使用环境的连接器，对W上技术的需求点是 完全不一样的。但是，在不同的应用条件下，都会随着氧化速度、应力松弛和金属间互化物 形成的程度等长期老化过程的进行，导致连接器最终失效。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的是针对现有技术中存在的上述问题，提出了一种机械性能、电气性 能较好，使用寿命久的电子琴连接器。
[0007] 本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种电子琴连接器，包括连接器本体， 连接器本体包括陶瓷填充部W及设置在陶瓷填充部外层的金属层，金属层由铜合金制成， 铜合金由W下成分（W质量百分比计）组成：Ni :2.0-3. 5% ,Si :0.5-1 % ,Zn :2.0-2. 5%， P :0. 01-0. 05%，Fe :0. 01-0. 05%，Zr :0. 05-0. 3%，稀±元素：0. 1-0. 5%，Pb < 0. 02%，Bi < 0. 002%，余量为化W及不可避免的杂质元素。
[0008] 本发明连接器本体包括陶瓷填充部W及设置在陶瓷填充部外层的金属层，通过在 连接器金属结构中加W陶瓷结构件来对连接器的金属结构进行改善，因为陶瓷具有较高的 硬度，在溫度不太高的环境下具有较好的机械强度，即便是溫度达到数百度（陶瓷尤其是 氮化娃陶瓷在工作溫度达到1200度时，才会随着使用时间的增加而损伤）仍可W正常使 用，故而能够在一定程度上增加连接器的高溫使用性能，同时降低连接器的质量，保证连接 器的导电性和导热性。
[0009] 此外，本发明金属层进一步优选由铜合金制成，且本发明铜合金的组成成分及其 质量百分比配伍合理，保证了铜合金的强度。其中，化在铜合金中固溶度较大，本发明高含 量的化元素可W对铜合金起到固溶强化作用。Ni元素可W提高合金的强度、初性W及抗应 力腐蚀开裂能力。Si元素也能提高合金的强度、硬度等性能，而且，Si元素与合金中存在的 少量化元素可W起到协同作用，还可W减小合金的摩擦因数。
[0010] 本发明铜合金中还含有微量的Zr元素，Zr元素可W在合金中形成细小、弥散分布 的析出相，从而能显著提高合金的显微硬度和再结晶溫度，使合金能够满足高强度、高导电 率的性能要求。
[0011] 本发明铜合金中还含有的微量P元素和化元素可W形成化2P，在不降低合金的导 电性的同时也能改善合金的强度和抗应力松弛性能。
[0012] 此外，本发明铜合金中添加的稀±元素可W使铜合金铸造组织枝晶网格变细小， 变形退火后晶粒组织明显细化。而且，添加稀±元素还可W净化合金，消除其杂质的有害作 用。在本发明中，稀上元素进一步优选由Ce和Y按质量比为（0.5-2) :1组成。因为稀±元 素Ce还能与化和P元素生成化CeP金属间化合物，该金属间化合物呈点状弥散分布在晶 界或晶内，能够细化合金组织，还能显著提高合金基体中的位错密度，从而有效地提高锡憐 青铜合金的硬度，增强了合金的耐磨性。而稀±元素Y也可显著细化合金的晶粒，提高合金 的强度和硬度；且添加稀±元素Y后，铜合金基体的结合力增强，耐腐蚀性能得到提高。
[0013] 因此，本发明制成的连接器不仅具有优异的强度、硬度、抗应力松弛性等性能，且 具有优异的导电率。与锡憐青铜合金制备成的连接器相比，本发明铜合金制备成的连接器 的强度、硬度等性能明显高于锡憐青铜合金制备成的连接器的强度、硬度等性能，尤其是， 本发明铜合金制备成的连接器的导电率是锡憐青铜合金制备成的连接器的导电率的3倍 W上。
[0014] 在上述的一种电子琴连接器中，铜合金由W下成分（W质量百分比计）组成： Ni :2. 5-3. 0 %，Si :0. 6-0. 8 %，化：2. 0-2. 3 %，P :0. 02-0. 03 %，化：0. 02-0. 04 %，Zr : 0. 1-0. 2%，稀±元素：0.2-0. 3%，Pb < 0.02% ,Bi < 0.002%，余量为 Cu W 及不可避免的 杂质元素。
[0015] 在上述的一种电子琴连接器中，陶瓷填充部的表面粗糖度范围为0. 2-2微米。
[0016] 在上述的一种电子琴连接器中，陶瓷填充部至少部分为氮化娃陶瓷。
[0017] 在上述的一种电子琴连接器中，氮化娃陶瓷的原料组成（质量百分比计）为 0.5-3%Si02、0.5-l%炭黑、2-6%Y203、余量Si3N4。
[0018] 在上述的一种电子琴连接器中，炭黑的粒径为60-80nm。
[0019] 在上述的一种电子琴连接器中，Si〇2的粒径为0. 1-0. 5 ym。
[0020] 在上述的一种电子琴连接器中，Yz化的粒径为0. 2-1. 2 ym。 阳02U 在上述的一种电子琴连接器中，SIsNa为a >95%的a -Si 3N4。
[0022] 在上述的一种电子琴连接器中，陶瓷填充部分为W碳化娃陶瓷为主体W及在主体 外层至少部分为氮化娃陶瓷的表层。本发明通过采用W碳化娃陶瓷为主体，并在主体表层 设置至少部分氮化娃陶瓷表层，在考虑到氮化娃陶瓷高成本的同时，充分利用氮化娃高硬 度的性质，为陶瓷填充部的主体提供保护，不仅仅改善结构硬度和组织相容性，同时还可W 在一定程度上提升连接器的高溫使用性能，通过提升连接器自身结构的稳定性，从而提升 其在高溫使用环境下的适应性，提高其使用寿命。
[0023] 本发明还通过改变氮化娃陶瓷中SisNA与二氧化娃和碳粉的相对含量，实现控制 气孔率，通过改变SisNA晶种的含量对氮化娃陶瓷烧结性能、微观组织和力学性能的影响。 随着SisNA晶种含量的增大，收缩率逐渐降低，气孔率逐渐减小。W此种控制氮化娃气孔率 的工艺为基础，制备氮化娃陶瓷。随着原料中的SisNA含量的逐渐增加，整个氮化娃的收缩 率和气孔率逐渐降低，弯曲强度逐渐增加，具有较高的力学性能。
[0024] 与现有技术相比，本发明具有W下有益效果：
[00巧]1、本发明电子琴连接器本体包括陶瓷填充部W及设置在陶瓷填充部外层的金属 层，通过在连接器金属结构中加W陶瓷结构件来对连接器的金属结构进行改善，在一定程 度上增加连接器的高溫使用性能，同时降低连接器的质量，保证连接器的导电性和导热性。
[0026] 2、本发明制备电子琴连接器的铜合金的组成成分及其质量百分比配伍合理，使铜 合金具有优异的强度、硬度、抗应力松弛性等性能，且具有优异的导电率，导电率是锡憐青 铜合金导电率的3倍W上。
【附图说明】
[0027] 图1为本发明电子琴连接器的结构示意图。
【具体实施方式】
[0028] W下是本发明的具体实施例，并结合【附图说明】对本发明的技术方案作进一步的描 述，但本发明并不限于运些实施例。 阳029] 实施例1 :
[0030] 如图1所示，本实施例中的电子琴连接器本体包括陶瓷填充部W及设置在陶瓷填 充部外层的金属层。
[0031] 其中，陶瓷填充部分为W碳化娃陶瓷为主体W及在主体外层至少部分为氮化娃陶 瓷的表层，其表面粗糖度范围为0.2微米。氮化娃陶瓷的原料组成（质量百分比计）为 0. 5% Si〇2、0. 5%炭黑、2% Y203、余量SisN*。原料中炭黑的粒径为60-80皿，Si〇2的粒径为 0. 1-0. 5 ym，Y203的粒径为 0. 2-1. 2 ym，Si 3N4为曰〉95%的曰-Si 3N4。
[0032] 金属层由