一种半导体器件及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。
【背景技术】
[0002]随着集成电路相关制造工艺的发展，市场对高功率的集成电路半导体器件的需求也越来越大，集成电路的散热能力要求也越来越高。
[0003]目前，主要有两种结构的高功率集成电路半导体器件:
[0004]第一种结构，如图la所示，在该半导体器件内，集成电路芯片11被封装于引线框架12上的芯片座上，并利用金属导线13将集成电路芯片11与引线框架12上的管脚电连接，并且在该半导体器件内引线框架12有一侧裸露在塑封料14之外，用于起到散热的作用。第二种结构，如图lb所示，在该半导体器件内，带有铜柱15的集成电路芯片11采用倒装的方法封装于引线框架12上，在集成电路芯片11以及引线框架12外侧包裹有塑封料14ο
[0005]对于第一种结构的半导体器件，金属导线13路径较长，电阻较大，半导体器件发热量高，即使将引线框架12中一侧裸露于塑封料之外用作散热板，依旧不能达到很好的散热效果；而对于第二种结构的半导体器件，采用铜柱15代替金属导线13对集成电路芯片11与引线框架12上的管脚电连接，虽能有效减少发热量，但由于其引线框架12未设置散热板，散热性能依旧不佳。
【发明内容】
[0006]本发明提供一种半导体器件及其制造方法，以实现改善半导体器件散热性能的目的。
[0007]第一方面，本发明提供了一种半导体器件，包括:第一引线框架；第二引线框架，与所述第一引线框架相对设置；集成电路芯片，封装于所述第一引线框架与所述第二引线框架之间；以及塑封料，设置在第一引线框架表面和第二引线框架表面，其中第一引线框架背离所述集成电路芯片的一侧裸露在所述塑封料之外。
[0008]进一步地，所述集成电路芯片的第一侧通过焊接结合材料固定于所述第一引线框架上，第二侧通过导电结合材料固定于所述第二引线框架上。
[0009]进一步地，所述第一引线框架上设置有凹槽，所述集成电路芯片通过所述焊接结合材料固定于所述凹槽内。
[0010]进一步地，所述集成电路芯片的第二侧上设置有铜柱，所述导电结合材料用于将所述集成电路芯片的第二侧上设置的铜柱与所述第二引线框架中的管脚电连接。
[0011]进一步地，该半导体器件还包括:焊线，用于将所述集成电路芯片与所述第一引线框架中的管脚和/或所述第二引线框架中的管脚电连接。
[0012]进一步地，所述焊线为金属导线。
[0013]第二方面，本发明还提供了一种半导体器件的制作方法，包括:
[0014]提供第一引线框架以及与所述第一引线框架相对设置的第二引线框架；
[0015]将集成电路芯片封装于所述第一引线框架与所述第二引线框架之间；
[0016]将塑封料设置在所述第一引线框架表面和所述第二引线框架表面，其中所述第一引线框架背离所述集成电路芯片的一侧裸露在所述塑封料之外。
[0017]进一步地，所述将所述集成电路芯片封装于所述第一引线框架与所述第二引线框架之间，包括:采用焊接结合材料将所述集成电路芯片一侧与所述第一引线框架固定，采用导电结合材料将所述集成电路芯片另一侧与所述第二引线框架固定。
[0018]进一步地，所述将集成电路芯片封装于所述第一引线框架与所述第二引线框架之间，包括:采用焊线将所述集成电路芯片与所述第一引线框架中的管脚和/或所述第二引线框架中的管脚电连接。
[0019]进一步地，所述采用导电结合材料将所述集成电路芯片另一侧与所述第二引线框架固定，包括:采用导电结合材料将所述集成电路芯片的第二侧上设置的铜柱与所述第二弓丨线框架中的管脚电连接。
[0020]本发明提供的技术方案，通过将集成电路芯片封装于所述第一引线框架与所述第二引线框架之间；以及将第一引线框架背离集成电路芯片的一侧裸露在塑封料之外，解决了现有的半导体器件散热性能不佳的问题，实现了改善半导体器件散热性能的效果。
【附图说明】
[0021]图la为现有技术中的一种半导体器件的结构示意图；
[0022]图lb为现有技术中的另一种半导体器件的结构示意图；
[0023]图2是本发明实施例一中的一种半导体器件的结构示意图；
[0024]图3是本发明实施例二中的一种半导体器件的结构示意图；
[0025]图4是本发明实施例三中提供的一种半导体器件的制造方法流程图；
[0026]图5-图10是图4中半导体器件的制造方法的步骤对应的结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
[0028]实施例一
[0029]图2为本发明实施例一提供的半导体器件的结构示意图。该半导体器件包括:第一引线框架21 ;第二引线框架22，与第一引线框架21相对设置；集成电路芯片23，封装于第一引线框架21与第二引线框架22之间；以及塑封料24，设置在第一引线框架21表面和第二引线框架22表面，其中第一引线框架21背离集成电路芯片23的一侧裸露在塑封料24之外。
[0030]集成电路芯片23封装于第一引线框架21与第二引线框架22之间指的是集成电路芯片23的第一侧231通过焊接结合材料25固定于第一引线框架21上，第二侧232通过导电结合材料26固定于第二引线框架22上。焊接结合材料25根据制作的需要可以为导电的结合材料，也可以为非导电的结合材料，其具体取决于所需要制作的半导体器件中集成电路芯片上各个电极的具体分布情况。
[0031]值得说明的一点是，第一引线框架21与第二第一引线框架22可以选用平板形的引线框架，也可以选用非平板形的引线框架。在本实施例中，第一引线框架21上设置有凹槽211，集成电路芯片23通过焊接结合材料25固定于凹槽211内。并且，第二引线框架22选用平板形的引线框架。这样设置，将集成电路芯片23固定于第一引线框架21和第二引线框架22之间的密封区域内，能够起到对集成电路芯片23进行保护的目的，并且这样设置可以避免在该半导体器件后续制程中以及对该半导体器件进行使用的过程中，集成电路芯片因发生相对移动，使得集成电路芯片上原本与管脚电连接的位置断开造成该半导体器件报废。
[0032]另外，考虑到将集成电路芯片放置于第一引线框架21上的凹槽311内，集成电路芯片的第二侧232与第二引线框架22之间可能存在距离较大的缝隙。因此，优选地，集成电路芯片23的第二侧232上设置有铜柱27，导电结合材料26用于将集成电路芯片23的第二侧232上设置的铜柱27与第二引线框架22中的管脚电连接。设置铜柱27可以有效弥补集成电路芯片23的第二侧232与第二引线框架22之间的缝隙距离。另外，采用铜柱27将集成电路芯片23上的电极与第二引线框架22上的管脚电连接能够有效提高半导体器件的电流承载能力。
[0033]进一步地，第一引线框架21裸露在塑封料24之外用做散热区的面积可以为第一引线框架21该侧面积的一部分，也可以为该侧面积的全部，具体可视该半导体器件的发热状况而定。
[0034]本发明实施例一所提供的技术方案通过将集成电路芯片封装于第一引线框架与第二引线框架之间；以及将第一引线框架背离集成电路芯片的一侧裸露在塑封料之外，解决了现有的半导体器件散热性能不佳的问题，实现了改善半导体器件散热性能的目的。
[0035]实施例二
[0036]图3为本发明实施例二提供的一种半导体器件的结构示意图。该半导体器件包括:第一引线框架21 ;第二引线框架22，与第一引线框架21相对设置；集成电路芯片23，封