薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、以及一种显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的飞速进步，作为显示装置核心的半导体元件技术也随之得到了快速的发展。对于现有的显示装置而言，有机发光二极管(Organic Light Emitting D1de，OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
[0003]0LED按驱动方式可分为PMOLED(Passive Matrix Driving OLED，无源矩阵驱动有机发光二极管)和AM0LED(Active Matrix Driving 0LED，有源矩阵驱动有机发光二极管)两种，由于AM0LED显示器具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代IXD(liquid crystal display，液晶显示器)的新型平面显示器。在现有的AM0LED显示面板中，每个0LED均包括多个TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)开关电路。其中，低温多晶娃(Low Temperature Poly Silicon)TFT由于其具有优越的静态电学特性，被作为一种重要的电子器件在液晶显示、矩阵图像传感器等方面已经得到广泛的应用。
[0004]然而现有技术中，低温多晶硅TFT的不稳定性一直是有待解决的问题，当其被应用到0LED显示器中时，低温多晶硅TFT的有源区尤其是沟道区域容易受到光照的影响。尤其是，在制作0LED的背板工艺中，在形成栅极之后，在源极/漏极以及后续的工艺中使用的紫外光可能会由于在栅极的边缘处产生衍射现象，而进入薄膜晶体管的有源区尤其是沟道区域，从而对薄膜晶体管的性能产生较大影响。
【发明内容】
[0005]本发明实施例提供了一种阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法、、以及一种显示装置，其能够减少光对薄膜晶体管的影响，从而提高薄膜晶体管的性能。
[0006]根据本发明的一个实施例，提供一种阵列基板的制造方法，其包括以下步骤:
[0007]在衬底之上形成有源层；
[0008]在所述有源层之上形成栅极；
[0009]在所述栅极之上形成第二绝缘层；
[0010]在所述第二绝缘层之上形成挡光部，所述挡光部被布置在所述栅极的边缘部分之上，以使所述挡光部能够遮挡从所述栅极的所述边缘部分进入所述有源层的光。
[0011]在一个实施例中，所述挡光部在所述有源层上的投影具有与所述栅极在所述有源层上的投影重叠的部分和不重叠的部分。
[0012]在一个实施例中，所述挡光部在所述有源层上的投影的宽度不小于4μπι，且不大于20μπιο
[0013]在一个实施例中，所述挡光部在所述有源层上的投影的与所述栅极在所述有源层上的投影不重叠的部分的宽度不小于3μπι。
[0014]在一个实施例中，在所述有源层之上形成所述栅极包括:
[0015]在所述有源层之上形成第一绝缘层；
[0016]在所述第一绝缘层之上形成第一导电层，其中，所述第一导电层具有第一部分，所述第一部分形成所述栅极。
[0017]在一个实施例中，在所述第二绝缘层之上形成所述挡光部包括:
[0018]在所述第二绝缘层之上形成第二导电层，所述第二导电层具有第二部分，所述第二部分形成所述挡光部。
[0019]在一个实施例中，所述第一导电层还具有与所述第一部分间隔开的第三部分，所述第二导电层还具有与所述第二部分间隔开的第四部分，所述第三部分和所述第四部分在垂直方向上至少部分重叠，以形成电容器。
[0020]在一个实施例中，所述第二导电层还具有与所述第二部分和所述第四部分间隔开的第五部分，所述第五部分用作布线。
[0021 ]在一个实施例中，所述有源层为多晶硅层，
[0022]形成所述有源层包括:
[0023]在所述衬底之上形成非晶硅层；
[0024]将所述非晶硅层转化为所述多晶硅层。
[0025]根据本发明的又一个实施例，提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤:
[0026]在衬底之上形成有源层；
[0027]在所述有源层之上形成栅极；
[0028]在所述栅极之上形成第二绝缘层；
[0029]在所述第二绝缘层之上形成挡光部，所述挡光部被布置在所述栅极的边缘部分之上，以使所述挡光部能够遮挡从所述栅极的所述边缘部分进入所述有源层的光。
[0030]在一个实施例中，所述挡光部在所述有源层上的投影具有与所述栅极在所述有源层上的投影重叠的部分和不重叠的部分。
[0031]在一个实施例中，所述挡光部在所述有源层上的投影的宽度不小于4μπι，且不大于20μπιο
[0032]在一个实施例中，所述挡光部在所述有源层上的投影的与所述栅极在所述有源层上的投影不重叠的部分的宽度不小于3μπι。
[0033]在一个实施例中，所述有源层为多晶娃层，
[0034]形成所述有源层包括:
[0035]在所述衬底之上形成非晶硅层；
[0036]将所述非晶硅层转化为所述多晶硅层。
[0037]根据本发明的又一实施例，提供一种薄膜晶体管，包括:
[0038]衬底；
[0039]有源层，其形成在所述衬底之上；
[0040]栅极，其形成在所述有源层之上；
[0041 ]第二绝缘层，其形成在所述栅极之上；
[0042]挡光部，其形成在所述第二绝缘层之上，所述挡光部被布置在所述栅极的边缘部分之上，以使所述挡光部能够遮挡从所述栅极的所述边缘部分进入所述有源层的光。
[0043]在一个实施例中，所述挡光部在所述有源层上的投影具有与所述栅极在所述有源层上的投影重叠的部分和不重叠的部分。
[0044]在一个实施例中，所述挡光部在所述有源层上的投影的宽度不小于4μπι，且不大于20μπιο
[0045]在一个实施例中，所述挡光部在所述有源层上的投影的与所述栅极在所述有源层上的投影不重叠的部分的宽度不小于3μπι。
[0046]在一个实施例中，所述挡光部由钼、钛、铝、铜中的一种或多种的组合形成。
[0047]在一个实施例中，所述有源层为多晶硅层。
[0048]根据本发明的又一实施例，提供一种阵列基板，包括前述任一种薄膜晶体管。
[0049]在一个实施例中，所述的阵列基板还包括第一绝缘层，以及形成在所述第一绝缘层之上的具有第一部分的第一导电层，所述第一部分形成所述栅极。
[0050]在一个实施例中，所述的阵列基板还包括具有第二部分的第二导电层，所述第二部分形成所述挡光部。
[0051]在一个实施例中，所述第一导电层还具有与所述第一部分间隔开的第三部分，所述第二导电层还具有与所述第二部分间隔开的第四部分，所述第三部分和所述第四部分在垂直方向上