2，其中，缓冲层202形成在衬底201之上；有源层203形成在缓冲层202之上。在有源层203与栅极204之间可以布置有栅极绝缘层210，栅极绝缘层201和缓冲层202可以由氮化硅、氧化硅或者他们的组合形成。衬底201可以是透明或不透明的，可选地，衬底可以为玻璃衬底或塑料衬底。
[0074]在一种实施例中，挡光部206在有源层203上的投影具有与栅极204在有源层203上的投影重叠的部分和不重叠的部分。作为一种可选方式，挡光部206的在有源层203上的投影的宽度不小于4μπι，且不大于20μπι，进一步可选地，挡光部206在有源层203上的投影的与栅极204在有源层203上的投影不重叠的部分的宽度不小于3μπι，经试验验证，通过对挡光部的上述尺寸参数的设置可以更有效地防止由于栅极边缘的衍射现象而进入有源层尤其是沟道区域的光。
[0075]本发明实施例提供的薄膜晶体管，在栅极的边缘位置的上方设置挡光部，可以遮挡由于光的衍射效应而进入薄膜晶体管的有源层尤其是沟道区域的光，当这种薄膜晶体管应用于显示器等器件时，可以大大提高这些器件的性能。
[0076]图3示意性示出了根据本发明实施例的阵列基板的制作方法的流程图。
[0077]需要说明的是，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法与前述实施例提供的阵列基板相对应，因此在前述实施例中对阵列基板的各个层和/或区域的解释说明也适于本实施例提供的阵列基板的制作方法。所述方法包括:
[0078]S31:在衬底101之上形成有源层103。
[0079]本领域技术人员可以理解，可以将有源层103形成在衬底101之上，还可以在衬底101和有源层103之间形成缓冲层102。
[0080]其中，衬底101可以为玻璃衬底，可以通过在衬底上沉积例如氮化物、氧化物或其组合的材料形成缓冲层102。可选地，有源层可以为多晶硅层，可以通过在衬底或缓冲层上形成非晶硅层，然后通过例如准分子激光退火的工艺将非晶硅层转化为多晶硅层。栅极绝缘层的材料也可以为氮化物、氧化物等，可以理解，形成衬底、缓冲层、有源层等的方法及材料不限于在此所描述的方法和材料，也可以是本领域的其他方法和材料。
[0081 ] S32:在所述有源层103之上形成栅极104。
[0082]在本发明实施例中，形成栅极的方法可以为:
[0083]在有源层103之上形成第一导电层，然后对第一导电层进行构图以形成第一导电层的第一部分，使得该第一部分形成栅极104。
[0084]可以理解，在沉积第一导电层之前，可以在有源层上形成栅极绝缘层110，然后在栅极绝缘层110之上形成第一导电层。
[0085]如上所述，在本发明的一个实施例中，在沉积第一导电层后，对第一导电层进行构图时，还可以形成第一导电层的第三部分107，以使该第三部分107作为阵列基板中的电容器的一个电极，其中第三部分107与第一部分104彼此间隔开。通过对第一导电层的构图同时形成第一部分104和第三部分107，可以减少制作工艺，节约时间。可以理解，该第一部分104和第三部分107也可以不在同一步骤中形成，而是分别依次形成该第一部分104和第三部分107。
[0086]S33:在栅极104之上形成第二绝缘层105。
[0087]在本实施例中，该第二绝缘层可以通过在栅极上沉积绝缘材料形成，还可以根据需要对该第二绝缘层进行构图，以形成所期望的形状。
[0088]S34:在第二绝缘层105之上形成挡光部106，该挡光部106被布置在栅极104的边缘部分之上，以使挡光部106能够遮挡从栅极104的边缘部分进入有源层103的尤其是沟道区的光。
[0089]如上所述，在本发明的实施例中，形成挡光部106的方法可以为:
[0090]在第二绝缘层105之上沉积第二导电层，然后对该第二导电层进行构图(如蚀刻)形成第二导电层的第二部分，以使该第二部分形成挡光部106。
[0091]如上所述，在本发明的一个实施例中，在沉积第二导电层后，对第二导电层进行构图时，还可以形成第二导电层的第四部分108和第五部分109，其中，第二部分、第四部分108和第五部分109之间彼此间隔开，且第四部分108与上述第三部分107在垂直方向上至少部分重叠的以使该第四部分108作为阵列基板中的电容器的另一个电极，第五部分109作为用作布线的布线部。本实施例中，通过对第二导电层的构图同时形成第二部分、第四部分和第五部分，可以减少制作工艺。可以理解，该第二部分、第四部分和第五部分也可以不在同一步骤中形成。
[0092]在一个实施例中，挡光部106在有源层103上的投影具有与栅极104在有源层103上的投影重叠的部分和不重叠的部分。可选地，挡光部106在有源层103上的投影的宽度不小于4μπι，且不大于20μπι。可选地，挡光部106在有源层103上的投影的与栅极104在有源层103上的投影不重叠的部分的宽度不小于3μπι。此外，在本发明实施例中，对挡光部106的形状和厚度不做具体限定。
[0093]本领域技术人员可以理解，在本发明的实施例中，形成挡光部106之后，还可以继续执行阵列基板的其他工艺步骤，以形成阵列基板所需的其他层和/或部件，如，源极111、漏极112、介电层113、平坦化层、像素层、像素定义层、层间间隙物等这些本领域技术人员已知的层和/或部件。
[0094]需要说明的是，在本步骤中，可以采用本领域公知的任何适于形成这些层和/或部件的材料和方法来形成这些层和/或部件，在此不再赘述。
[0095]图4示意性示出了根据本发明实施例的薄膜晶体管的制作方法的流程图。
[0096]需要说明的是，本发明实施例提供的薄膜晶体管的制作方法与前述实施例提供的薄膜晶体管相对应，因此在前述实施例中对薄膜晶体管的各个层或区域的解释说明也适于本实施例提供的薄膜晶体管的制作方法。所述方法包括:
[0097]S41:在衬底之上形成有源层203。
[0098]有源层可以为多晶硅层，可以通过例如准分子激光退火的工艺将非晶硅层转化为多晶娃层。
[0099]S42:在所述有源层203之上形成栅极204。
[0100]在一个实施例中，可以通过在有源层之上形成栅极绝缘层210，再在栅极绝缘层210上形成栅极层，然后对栅极层进行构图以形成栅极204。
[0101]S43:在栅极204之上形成第二绝缘层205。
[0102]S44:在第二绝缘层205之上形成挡光部206，该挡光部206被布置在栅极204的边缘部分之上，以使挡光部206能够遮挡从栅极204的边缘部分进入有源层103(如沟道区)的光。
[0103]本领域技术人员可以理解，在本发明的实施例中，形成挡光部206之后，还可以继续执行其他工艺步骤，以形成薄膜晶体管所需的其他层、区域或部件，如源极211、漏极212、介电层213等。需要说明的是，可以采用本领域公知的任何适于形成源极211、漏极212、介电层213的方法和材料来形成源极211、漏极212、介电层213。
[0104]根据本发明的又一个实施例，还提供一种显示装置，其包括上述的阵列基板。该显示装置能够防止环境光对阵列基板中