的蚀刻孔3来构成各承载单元的芯片座4、引脚5、座柱6和中筋7，所述芯片座4、引脚5、座柱6和中筋7的形状结构采用现有的QFN引线框架的形状结构，如图1所示，部分蚀刻是沿中筋7的正面2进行的第一次部分蚀刻，为显示蚀刻孔3和第一次部分蚀刻后中筋7的结构，图2是沿图1中A-A’处剖开得到，图2中显示蚀刻孔3被蚀穿且中筋7的厚度的一部分被去除，由于中筋的背面的一部分厚度仍然保留，依然可以用于固定芯片座4和引脚5，为减少第二次蚀刻的时间，设置所述中筋7第一次被去除的厚度D1大于第二次被去除的厚度D2，本实施例中设置中筋7第一次被去除的厚度D1为中筋厚度D的3/4，第一次蚀刻可采用化学蚀刻或激光蚀刻，具体蚀刻方法采用现有技术即可；
[0024](2)预包封:向所述蚀刻孔3和中筋7第一次被去除的区域注入第一塑封件8进行预包封，得到图2c所示，预包封采用热压方式或模铸方式，热压方式和模铸方式均为现有技术，本实施例中采用模铸方式，第一塑封件8采用环氧树脂，所述模具为凹凸模具，凹凸模具表面设置有与蚀刻区域的尺寸和位置相匹配的凹槽、并设置有与凹槽连通的流道，将金属基板1放置于凹凸模具上，并将金属基板1的蚀刻区域与凹凸模具的凹槽位置一一对应后将两者固定，然后使用外用栗将液化的环氧树脂打入凹凸模具的凹槽，待环氧树脂固化粘合于金属基板1后，将金属基板1从凹凸模具上取下；
[0025](3)去溢料:以去除金属基板1表面残留的第一塑封件8，使第一塑封件8的上下表面与金属基板1的正面和背面齐平，可通过电解或机械抛光的方法去除金属基板1表面残留的第一塑封件8，其中电解去除具体为将基材置于钠盐(如氯化钠、硫酸钠、碳酸钠、碳酸氢钠)浓度25.0-40.0 % (质量体积百分比)、磷酸盐(如磷酸钙、磷酸二氢钠、磷酸氢二钠、磷酸钠)浓度25.0-40.0% (质量体积百分比)、氢氧化钠浓度15.0-20.0 % (质量体积百分比)、硅酸盐(如硅酸钠、硅酸铝)浓度7 ,0-10.0%(质量体积百分比)、焦磷酸钾浓度3.0-5.0 % (质量体积百分比)的溶液中进行电解，其中电流大小为10-30A，电解时间为10-30分钟;机械抛光具体为使用180-200目的细砂轮，通过细砂轮的高速转轮对基材表面残留的第一塑封件8进行物理抛光去除；
[0026](4)选择性电镀:在芯片座4和引脚5的正面的局部区域形成第一电镀层9，如图2d所示，在芯片座4和引脚5的背面的局部区域形成第二电镀层15，如图2e所示，选择性电镀采用现有技术即可，包括上菲林、曝光、显影、电镀、退膜等过程，当电镀金属为镍钯金时，第一电镀层9和第二电镀层15均为镍钯金，当电镀金属为银时，第一电镀层9为银，第二电镀层15为锡；
[0027](5)第二次蚀刻:是沿中筋7的背面10进行的第二次部分蚀刻，用于去除中筋7的剩下部分，如图2f所示，第二次蚀刻可采用化学蚀刻或激光蚀刻，第一次蚀刻和第二次蚀刻可采用相同的蚀刻方式，也可采用不同的蚀刻方式；
[0028](6)上芯片:在金属基板1正面的芯片座4上装上芯片12，如图2g所示；
[0029](7)打线:在芯片12与电镀区之间焊接引线13，如图2h所示；
[0030](8)包覆:利用第二塑封件14包覆芯片12、引线13和金属基板1的正面，如图2i所示；
[0031](9)测试:由于中筋7处已全部替换为绝缘的塑封件，引脚5之间不再短路，可整片进行测试，大大提高了测试效率；
[0032](10)切割成型:沿中筋7所在的位置处切割成型，如图2j所示，此时只需切割塑封件，而无需切割金属，大大减少对刀具的损伤，成本低且效率高。
【主权项】
1.一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于:它包括以下步骤: (1)第一次蚀刻:对金属基板(1)的正面进行全蚀刻加部分蚀刻两种蚀刻方式，全蚀刻用以形成数个蚀穿的蚀刻孔(3)来构成各承载单元的芯片座(4)、引脚(5)、座柱(6)和中筋(7)，部分蚀刻是沿中筋(7)的正面(2)进行的第一次部分蚀刻，以去除中筋(7)厚度的一部分； (2)预包封:向所述蚀刻孔(3)和中筋(7)第一次被去除的区域注入第一塑封件(8)进行预包封； (3)第二次蚀刻:是沿中筋(7)的背面(10)进行的第二次部分蚀刻，用于去除中筋(7)的剩下部分。2.根据权利要求1所述的一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于:在步骤(2)之后步骤(3)之前还进行选择性电镀:在芯片座(4)和引脚(5)的正面的局部区域形成第一电镀层(9)，在芯片座(4)和引脚(5)的背面的局部区域形成第二电镀层(15)。3.根据权利要求1所述的一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于:所述中筋(7)第一次被去除的厚度D1大于第二次被去除的厚度D2。4.根据权利要求3所述的一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于:所述中筋(7)第一次被去除的厚度D1为中筋厚度D的3/4。5.根据权利要求1所述的一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于:在步骤(2)之后步骤(3)之前还进行去溢料，以去除金属基板(1)表面残留的第一塑封件(8)。6.根据权利要求5所述的一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于:所述去溢料通过电解或机械抛光去除金属基板(1)表面残留的第一塑封件(8)。7.根据权利要求1所述的一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于:所述预包封采用模铸方式，所述第一塑封件(8)为环氧树脂。
【专利摘要】一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)第一次蚀刻：对金属基板的正面进行全蚀刻加部分蚀刻两种蚀刻方式，全蚀刻用以形成数个蚀穿的蚀刻孔来构成各承载单元的芯片座、引脚、座柱和中筋，部分蚀刻是沿中筋的正面进行的第一次部分蚀刻，以去除中筋厚度的一部分；(2)预包封：向所述蚀刻孔和中筋第一次被去除的区域注入第一塑封件进行预包封；(3)第二次蚀刻：是沿中筋的背面进行的第二次部分蚀刻，用于去除中筋的剩下部分。该预包封引线框架的制造方法无需切割金属、切割时不会出现分层、二次蚀刻区域小、对位时间短、制造成本低、生产效率高。
【IPC分类】H01L21/48, H01L23/495
【公开号】CN105470232
【申请号】CN201511021539
【发明人】黎超丰, 周林, 张继安, 徐治, 王敏良, 李文波, 冯小龙, 杨张特, 李昌文
【申请人】宁波康强电子股份有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年12月30日