分420。每条垂直信号线480连接至水平选择部分440的输入端子并且连接至像素部分420。
[0182]行扫描部分430由诸如移位寄存器和地址解码器等组件配置而成。行扫描部分430是像素驱动部分，该像素驱动部分可以，例如，以行单位为基础来驱动在像素部分420中的各自的单位像素P。经由每条垂直信号线480将从由行扫描部分430选择性地扫描的像素行中的每个单位像素P输出的信号供应至水平选择部分440。水平选择部分440可以由，例如，诸如针对每条垂直信号线480提供的放大器和水平选择开关等组件配置而成。
[0183]列扫描部分450可以由，例如，诸如移位寄存器和地址解码器等组件配置而成。列扫描部分450在扫描在水平选择部分440中的各自的水平选择开关的同时顺序地驱动在水平选择部分440中的各自的水平选择开关。由于由列扫描部分450进行的选择性扫描，所以，将经由各自的垂直信号线480从各自的单位像素P发送来的信号顺序地输出至水平信号线490，并且经由水平信号线将输出的信号发送至衬底410外。
[0184]由行扫描部分430、水平选择部分440、列扫描部分450以及水平信号线490配置而成的电路部分可以直接形成在衬底410上，或者可以设置在外部控制1C中。可替代地，可以通过使用电缆，在连接至成像单元4的另一衬底上形成这种电路部分。
[0185]系统控制部分460可以接收，例如，从衬底410外供应的时钟、指示操作模式的数据等。系统控制部分460输出数据，诸如，成像单兀4的内部信息。系统控制部分460包括生成各种定时信号的定时发生器。系统控制部分460基于由定时发生器生成的各种定时信号，来执行诸如行扫描部分430、水平选择部分440和列扫描部分450等外围电路的驱动控制。
[0186](像素电路13或者像素电路部分161)
[0187]图41图示了像素电路13或者像素电路部分161的示意配置的示例。像素电路13或者像素电路部分161可以包括，例如，晶体管Trl、Tr2和Tr3，以及电容式组件Cs。光电转换装置120连接在施加有参考电位Vxref的端子421与累积节点N之间。
[0188]晶体管Trl是重置晶体管。晶体管Trl连接在供应有参考电位Vref的端子422与累积节点N之间。晶体管Trl的栅极连接至重置控制线472。响应于重置信号Vrst来导通晶体管Trl，并且从而，晶体管Trl将累积节点N的电位重置为参考电位Vref。晶体管Tr2是读出晶体管。晶体管Tr2的栅极连接至累积节点N，并且晶体管Tr2的端子423(漏极)连接至电源VDD。晶体管Tr2在其栅极处接收在光电转换装置120中生成的信号电荷，并且基于接收的信号电荷输出信号电压。晶体管Tr3是行选择晶体管。晶体管Tr3连接在晶体管Tr2的源极与垂直信号线480之间。晶体管Tr3的栅极连接至行选择线471。响应于行扫描信号Vread来导通晶体管Tr3，并且从而，晶体管Tr3将从晶体管Tr2供应的信号输出至垂直信号线480。晶体管Tr3可以连接在晶体管Tr2的漏极与电源VDD之间。累积节点N包括电容式组件Cs，并且将在光电转换装置120中生成的信号电荷累积在累积节点N中。
[0189]在本实施例中，在像素部分420中使用上述辐射检测器1至3中的任何一种。因此，可以实现具有更高图像质量的图像。
[0190](7、第五实施例)
[0191]接下来，将对根据第五实施例的成像显示系统5进行说明。图42图示了成像显示系统5的示意配置的示例。成像显示系统5包括上述成像单元4，其中像素部分420配置为包括辐射检测器1至3中的任一种。成像显示系统5可以包括，例如，成像单元4、图像处理部分6和显示单元7。图像处理部分6对由成像单元4获得的成像信号Dout执行预定的图像处理。显示单元7基于由成像单元4获得的成像信号Dout执行图像显示。具体地，显示单元7基于在图像处理部分6中经过处理之后的成像信号(显示信号D1)来显示图像。
[0192]在本实施例中，成像单元4检测从照射源300朝着对象400照射的辐射中已经穿过对象400的成分。在图像处理部分6中，对通过成像单元4对这种成分的检测而获得的成像信号Dout进行预定处理。将已经经过预定处理的成像信号(显示信号D1)输出至显示单元7。因此，将基于显示信号D1的图像显示在显示单元7的监视屏上。
[0193]在本实施例中，按照这种方式，在成像单元4中使用上述辐射检测器1至3中的任何一种。因此，可以实现具有更高图像质量的图像。
[0194](8、第六实施例)
[0195]接下来，对根据第六实施例的成像系统6进行描述。图43图示了成像系统6的示意配置的示例。成像系统6进一步包括在成像显示系统5中的形成单元8。该形成单元8配置为基于已经由图像处理部分6处理的成像信号(3DCAD(计算机辅助设计)信号D2)形成三维结构。形成单元8可以是，例如，3D打印机。图像处理部分6通过对成像信号Dout执行预定的图像处理来生成3DCAD信号D2。要注意，必要时，可以省略显示单元7。而且，形成单元8可以配置为被允许随后附接至成像系统6。
[0196]在本实施例中，在成像单元4中使用上述辐射检测器1至3的任何一种。因此，可以形成具有高精确度的三维结构。
[0197]在上文中，已经参照一些实施例及其修改例对本技术进行了描述。然而，本技术不限于上述实施例及其修改例，并且可以进行各种修改。要注意，在本说明书中描述的效果仅仅是示例。本技术的效果不限于在本说明书中描述的效果。本技术可以具有除了在本说明书中描述的效果之外的效果。
[0198]例如，在每个上述实施例及其修改例中，可以省略不连续表面15A、54A、70B、74A、808、824、944、1034、1184或者119々，或者可以与光接收表面2(^或者6(^成平面关系。
[0199]而且，本技术可以具有，例如，以下配置。
[0200](1)一种辐射探测器，其包括:
[0201]多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；
[0202]不连续表面，其形成在光接收表面周围，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的；以及
[0203]闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。
[0204](2)根据(1)的辐射检测器，其中，闪烁器层包括在与不连续表面相对的区域中的晶体界面，并且包括多个闪烁器部分，晶体界面在闪烁器层的厚度方向上延伸，并且晶体界面将多个闪烁器部分彼此分开以允许按照一对一的关系对应于多个光电转换区域提供多个闪烁器部分。
[0205](3)根据(2)的辐射检测器，其中，
[0206]多个闪烁器部分中的两个相邻闪烁器部分之间的间隔的宽度随着该宽度的位置更加远离不连续表面并且更接近闪烁层部分的上部而减小。
[0207](4)根据(1)至(3)中任一项的辐射检测器，其中，
[0208]按照一对一的方式在多个芯片状器件中形成多个光电转换区域，并且在多个芯片状器件中的两个相邻器件之间的间隔的底表面配置成不连续表面。
[0209](5)根据(4)的辐射检测器，其中，
[0210]每个器件包括光电转换装置和绝缘层，该光电转化器件包括光电转换区域，并且该绝缘层设置在光电转换装置上方并且支撑光电转换装置，并且
[0211]绝缘层的顶表面配置成光接收表面。
[0212](6)根据(4)的辐射检测器，其中，
[0213]每个器件是包括光电转换区域的光电转换装置，并且
[0214]光电转换装置的顶表面配置成光接收表面。
[0215](7)根据(4)的辐射检测器，其中，
[0216]每个器件包括光电转换装置、绝缘层和保护膜，该光电转换装置包括光电转换区域，该绝缘层设置在光电转换装置上方并且支撑光电转换装置，并且该保护膜与绝缘层的顶表面接触，并且
[0217]保护膜的顶表面配置成光接收表面。
[0218](8)根据(4)的辐射检测器，其中，
[0219]每个器件包括光电转换装置和保护膜，该光电转换装置包括光电转换区域，并且该保护膜与光电转换装置的顶表面接触，并且
[0220]保护膜的顶表面配置成光接收表面。
[0221](9)根据(1)至(8)中任一项的辐射检测器，其进一步包括形成在器件下方的阻光层。
[0222](10)根据(4)的辐射检测器，其进一步包括:
[0223 ]开关装置，其包括在每个器件中并且串联连接至光电转换区域；
[0224]布线衬底，其包括在支撑衬底上的多个布线并且支撑每个器件，该多个布线电连接至各自的开关装置；以及
[0225]电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的各自的端部并且分别配置为将电流信号转换为电压信号，其中，
[0226]光电转换区域和开关装置分别由晶体硅制成。
[0227 ] (11)根据(4)的辐射检测器，其进一步包括:
[0228]布线衬底，其包括多个开关装置和在支撑衬底上的多个布线并且支撑每个器件，该多个开关装置串联连接至各自的光电转换区域，并且该多个布线连接至各自的开关装置；以及
[0229]电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的各自的端部并且分别配置为将电流信号转换为电压信号，其中，
[0230]光电转换区域分别由晶体硅制成。
[0231](12)根据(2)或者(3)的辐射检测器，其进一步包括半导体衬底，该半导体衬底包括在其上形成的多个光电转换区域，其中，
[0232]半导体衬底包括在光接收表面周围的凹槽，以及
[0233]凹槽的底表面配置成不连续表面。
[0234](13)根据(12)的辐射检测器，其进一步包括:
[0235]多个开关装置，其包括在半导体衬底中并且串联连接至各自的光电转换区域；
[0236]布线衬底，其包括在支撑衬底上的多个布线并且支撑每个器件，该多个布线电连接至各自的开关装置；以及
[0237]电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的各自的端部并且分别配置为将电流信号转换为电压信号，其中，
[0238]光电转换区域和开关装置分别由晶体硅制成。
[0239 ] (14)根据(12)的辐射检测器，其进一步包括:
[0240]布线衬底，其包括多个开关装置和在支撑衬底上的多个布线并且支撑半导体衬底，该多个开关装置串联连接至各自的光电转换区域，并且该多个布线连接至各自的开关装置；以及
[0241]电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的各自的端部并且分别配置为将电流信号转换为电压信号，其中，
[0242]光电转换区域分别由晶体硅制成。
[0243](15)根据(2)或者(3)的辐射检测器，其进一步包括:
[0244]半导体衬底，其包括在其上形成的多个光电转换区域;以及
[0245]阻光部分，其形成在半导体衬底的顶表面的在光接收表面周围的区域中，其中，
[0246]阻光部分的顶表面配置成不连续表面。
[0247](16)—种成像单元，其包括:
[0248]辐射探测器；以及
[0249]驱动部分，其配置为驱动辐射探测器，
[0250]该辐射探测器包括:
[0251]多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；
[0252]不连续表面，其形成在光接收表面周围，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的，
[0253]多个转换电路，其按照一对一的关系对应于多个光转换区域而提供并且分别配置为将电流信号转化为电压信号；以及
[0254]闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。
[0255](17)根据(16)的辐射检测器，其中，闪烁器层包括在与不连续表面相对的区域中的晶体界面，并且包括多个闪烁器部分，该晶体界面在闪烁器层的厚度方向上延伸，并且晶体界面将多个闪烁器部分彼此分开以允许按照一对一的关系对应于多个光电转换区域提供多个闪烁器部分。
[0256](18)—种成像显示系统，其包括:
[0257]成像单元；以及
[0258]显示单元，其配置为基于由成像单元获得的成像信号执行图像显示，
[0259]该成像单元包括:
[0260]辐射探测器；以及
[0261]驱动部分，其配置为驱动辐射探测器，
[0262]该辐射探测器包括:
[0263]多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面上的光转换为电流信号；
[0264]不连续表面，其形成在光接收表面周围，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的，
[0265]多个转换电路，其按照一对一的关系对应于多个光转换区域而提供并且分别配置为将电流信号转化为电压信号；以及
[0266]闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。
[0267](19)根据(18)的辐射检测器，其中，闪烁器层包括在与不连续表面相对的区域中的晶体界面，并且包括多个闪烁器部分，该晶体界面在闪烁器层的厚度方向上延伸，并且晶体界面将多个闪烁器部分彼此分开以允许按照一对一的关系对应于多个光电转换区域提供多个闪烁器部分。
[0268](20)—种制造辐射检测器的方法，其包括:
[0269]将包括在器件衬底中的多个器件的部分或者所有转移至衬底，该多个器件固定到包括在器件衬底中的支撑衬底上，并且该多个器件分别配置为将入射在光接收表面上的辐射转换为电流信号；以及
[0270]通过将光接收表面用作晶体生长表面来形成闪烁器层，该闪烁器层配置为将入射的辐射转换为光。
[0271](21)根据(20)的方法，其包括:
[0272]在将多个器件的部分或者所有转移至衬底时，在多个器件中的两个相邻器件之间形成不连续表面，该不连续表面相对于光接收表面是不连续的；以及
[0273]在形成闪烁器层时，在与不连续表面相对的区域中形成晶体界面，并且按照一对一的关系形成通过该晶体界面分配给器件的多个闪烁器部分，晶体界面在闪烁器层的厚度方向上延伸。
[0274]而且，本技术可以具有，例如，以下配置。
[0275](22) —种辐射探测器，其包括:
[0276]多个光电转换区域，每个光电转换区域配置为将入射在光接收表面的光转换为电流信号，光电转换区域分布由晶体硅制成；以及
[0277]闪烁器层，其通过将光接收表面用作晶体生长表面而形成并且配置为将入射的辐射转换为光。
[0278](23)根据(22)的辐射检测器，其进一步包括:
[0279]多个开关装置，其串联连接至各自的光电转换区域，
[0280]光电转换区域和开关装置按照一对一的关系分配给像素，
[0281]在每个像素中，开关装置连同光电转换区域形成在公共衬底上并且由晶体硅制成。
[0282](24)根据(23)的辐射检测器，其进一步包括:
[0283]布线衬底，其包括在支撑衬底上连接至各自的开关装置的多个布线，并且支撑各自的光电转换区域和各自的开关装置，衬底介于各自的光电转换区域与各自的开关装置之间；以及
[0284]电路衬底，其包括多个转换电路，该多个转换电路连接至布线的各自的端部并且分别配置为将电流信号转换为电压信号。
[0285](25)根据(24)的辐射检测器，其中，支撑衬底是玻璃衬底和树脂衬底中的一种。
[0286](26)根据(23)至(25)中任一项的辐射检测器，其中，光电转换区域针对各自的像素按照一对一的关系形成在芯