一种半导体器件及其制造方法、电子装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法、电子
目-Ο
【背景技术】
[0002]随着半导体集成电路的发展，半导体器件的特征尺寸越来越小。减小特征尺寸会导致半导体器件的间隙和沟槽的深度与宽度之间的纵宽比增大。过高的纵宽比可能在间隙和沟槽的填充过程中产生问题，例如所沉积的材料倾向于在沟槽顶角处悬垂或在沟槽中心处产生空洞。这可引起器件性能和电可靠性问题。
[0003]可流动的化学气相沉积(FCVD)工艺由于具有优异的间隙填充能力并且与即将形成的器件轮廓无关而被广泛应用在20nm以下节点的制程技术中。然而，为了实现良好的膜质量，需要对FCVD膜进行高温退火以使其发生转变。随着半导体器件的纵宽比增大，FCVD膜在沟槽深处发生完全转变也越来越困难。
【发明内容】
[0004]根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件的制造方法，包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有沟槽；在所述沟槽中循环进行第一可流动的层间介电层的至少一部分的沉积操作和第一固化处理操作，直至填满所述沟槽，以形成所述第一可流动的层间介电层；在所述半导体衬底和所述第一可流动的层间介电层上沉积第二可流动的层间介电层；对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行第二固化处理；以及对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行蒸气退火处理。
[0005]可选地，所述第一固化处理操作为低温紫外线固化处理，处理温度为50?80°C。
[0006]可选地，所述第二固化处理操作为臭氧固化处理，处理温度为150°C。
[0007]可选地，所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分采用可流动的化学气相沉积工艺沉积。
[0008]可选地，所述第二可流动的层间介电层采用可流动的化学气相沉积工艺沉积。
[0009]可选地，所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分的沉积操作和第一固化处理操作循环2?3次。
[0010]可选地，所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分的厚度为200?600埃。
[0011]根据本发明的另一方面，提供了一种根据上述方法制造的半导体器件。
[0012]根据本发明的又一方面，提供了一种电子装置，包括根据上述方法制造的所述半导体器件。
[0013]根据本发明提供的半导体器件的制造方法，在填充沟槽的过程中，边沉积边固化，通过多次循环的沉积和固化操作完成填充。这使得沟槽深处的介电材料可以发生比较充分的转变，从而不会留下空洞。因此，本发明提供的半导体器件的制造方法可以改善沟槽深处的沉积膜的质量而不增加热预算，有利于较深沟槽的填充。
[0014]为了使本发明的目的、特征和优点更明显易懂，特举较佳实施例，并结合附图，做详细说明如下。
【附图说明】
[0015]本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。在附图中:
[0016]图1示出根据本发明实施例的半导体器件的制造方法的流程图。
【具体实施方式】
[0017]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
[0018]为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤，以便阐释本发明提出的半导体器件的制造方法。显然，本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
[0019]应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
[0020]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接至『或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。
[0021]实施例一
[0022]图1示出根据本发明实施例的半导体器件的制造方法100的流程图。下面，参照图1来描述本发明提出的半导体器件的制造方法的详细步骤。
[0023]首先，在步骤S101中，提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有沟槽。所述半导体衬底的构成材料可以是以下所提到的材料中的至少一种:硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SS0I)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。在所述半导体衬底中可以形成有隔离槽、埋层、各种阱(well)结构。所述沟槽可以是浅沟槽隔离(STI)结构的沟槽。
[0024]在步骤S102中，在所述沟槽中循环进行第一可流动的层间介电层的至少一部分的沉积操作和第一固化处理操作，直至填满所述沟槽，以形成所述第一可流动的层间介电层。所述第一可流动的层间介电层可以使用例如Si02、碳氟化合物(CF)、掺碳氧化石圭(S1C)、或碳氮化硅(SiCN)等。所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分可以采用FCVD工艺沉积。所述第一固化处理操作可以为低温紫外线固化处理，处理温度为50?80°C。因此，所述第一固化处理操作的热预算非常低。在一个实施例中，可以采用含硅前驱物，例如Si (NH3)3，来形成所述第一可流动的层间介电层。如在所述沟槽中沉积Si (NH3)3，之后对Si(NH3)3进行紫外线固化处理。其中S1-H键转化为S1-Si键和H2。因此，介电材料中的S1-H键大大减少。这有利于改善FCVD膜的