质量。
[0025]将所述第一可流动的层间介电层的形成过程分成多次，每次在沉积某一厚度的介电材料之后，即对所沉积的介电材料进行固化处理。如此循环进行多次的沉积-固化操作，直至所述沟槽被完全填满。这种形成层间介电层的方式可以确保沟槽深处的介电材料发生充分的转变，以避免在沟槽内部留下空洞。可以理解，沉积-固化操作的循环次数以及每次沉积的介电材料的厚度可以根据需要确定，并且可以发生变化。例如，每次沉积的介电材料的厚度可以相同或不同。在一个实施例中，所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分的厚度为200?600埃。在另一个实施例中，所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分的沉积操作和第一固化处理操作循环2?3次。
[0026]在步骤S103中，在所述半导体衬底和所述第一可流动的层间介电层上沉积第二可流动的层间介电层。所述第二可流动的层间介电层可以使用例如Si02、碳氟化合物(CF)、掺碳氧化硅(S1C)、或碳氮化硅(SiCN)等。所述第二可流动的层间介电层是块层间介电层。所述第二可流动的层间介电层可以采用FCVD工艺沉积。
[0027]在步骤S104中，对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行第二固化处理。在一个实施例中，所述第二固化处理操作为臭氧固化处理，处理温度为150°C。因此，所述第二固化处理操作的热预算非常低。在臭氧气氛中固化所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层，可以使层间介电层的材料转变成Si02。
[0028]在步骤S105中，对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行蒸气退火处理。蒸气退火处理可以去除介电材料中多余的水气并且可以使介电材料致密化。
[0029]根据本发明提供的半导体器件的制造方法，在填充沟槽的过程中，边沉积边固化，通过多次循环的沉积和固化操作完成填充。这使得沟槽深处的介电材料可以发生比较充分的转变，从而不会留下空洞。因此，本发明提供的半导体器件的制造方法可以改善沟槽深处的沉积膜的质量而不增加热预算，有利于较深沟槽的填充。
[0030]实施例二
[0031]本发明还提供了一种半导体器件，所述半导体器件选用上述实施例所述的方法制造。根据本发明提供的半导体器件，在填充沟槽的过程中，边沉积边固化，通过多次循环的沉积和固化操作完成填充。这使得沟槽深处的介电材料可以发生比较充分的转变，从而不会留下空洞。因此，本发明提供的半导体器件可以改善沟槽深处的沉积膜的质量而不增加热预算，有利于较深沟槽的填充。
[0032]实施例三
[0033]本发明还提供了一种电子装置，包括实施例二所述的半导体器件。其中，半导体器件为实施例二所述的半导体器件，或根据实施例一所述的制造方法得到的半导体器件。
[0034]本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、V⑶、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括所述半导体器件的中间产品。本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的半导体器件，因而具有更好的性能。
[0035]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种半导体器件的制造方法，包括: 提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有沟槽； 在所述沟槽中循环进行第一可流动的层间介电层的至少一部分的沉积操作和第一固化处理操作，直至填满所述沟槽，以形成所述第一可流动的层间介电层； 在所述半导体衬底和所述第一可流动的层间介电层上沉积第二可流动的层间介电层； 对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行第二固化处理；以及 对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行蒸气退火处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一固化处理操作为低温紫外线固化处理，处理温度为50?80°C。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二固化处理操作为臭氧固化处理，处理温度为150°C。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分采用可流动的化学气相沉积工艺沉积。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二可流动的层间介电层采用可流动的化学气相沉积工艺沉积。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分的沉积操作和第一固化处理操作循环2?3次。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一可流动的层间介电层的所述至少一部分的厚度为200?600埃。8.一种采用权利要求1-7之一所述的方法制造的半导体器件。9.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求8所述的半导体器件。
【专利摘要】本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有沟槽；在所述沟槽中循环进行第一可流动的层间介电层的至少一部分的沉积操作和第一固化处理操作，直至填满所述沟槽，以形成所述第一可流动的层间介电层；在所述半导体衬底和所述第一可流动的层间介电层上沉积第二可流动的层间介电层；对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行第二固化处理；以及对所述第一可流动的层间介电层和所述第二可流动的层间介电层进行蒸气退火处理。本发明提供的半导体器件的制造方法可以改善沟槽深处的沉积膜的质量而不增加热预算，有利于较深沟槽的填充。
【IPC分类】H01L21/762, H01L21/311
【公开号】CN105489484
【申请号】CN201410538607
【发明人】邓浩
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年10月13日