Onm)。在标准测试条件下:350nm,0.6mff/cm2紫外光，在-4V条件下，测得器件的响应度3.6A/W。
[0064]实施例十(对照组)
[0065]对由衬底及透明导电阳极ΙΤ0所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干;在透明导电阳极ΙΤ0表面蒸镀Mo0x 15nm制备阳极缓冲层，在阳极缓冲层上蒸镀电子阻挡层m-MTDATA 5nm，在电子阻挡层上采用旋涂制备PVK:Zn0(58%:42%)紫外光活性层(1500rpm，120nm)，并进行烘烤(100°C，15min);在紫外光活性层表面蒸镀制备空穴阻挡层BCP 5nm，在空穴阻挡层上蒸镀金属阳极Ag( lOOnm)。在标准测试条件下:350nm，0.6mW/cm2紫外光，在-4V条件下，测得器件的响应度5.1A/W。
[0066]实施例十一
[0067]对由衬底及透明导电阳极ΙΤ0所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干;在透明导电阳极ΙΤ0表面蒸镀Mo0x 15nm制备阳极缓冲层，在阳极缓冲层上蒸镀电子阻挡层m-MTDATA 5nm，在电子阻挡层上采用旋涂制备PVK:FIrpic:Zn0(58%:3%:39%)紫外光活性层(1500rpm，120nm)，并进行烘烤(100°C，15min);在紫外光活性层表面蒸镀制备空穴阻挡层BCP 5nm，在空穴阻挡层上蒸镀金属阳极Ag(lOOnm)。在标准测试条件下:350nm，0.6mW/cm2紫外光，在-4V条件下，测得器件的响应度6.9A/W。
[0068]实施例十二
[0069]对由衬底及透明导电阳极ΙΤ0所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干;在透明导电阳极ΙΤ0表面蒸镀Mo0x 15nm制备阳极缓冲层，在阳极缓冲层上蒸镀电子阻挡层m-MTDATA 5nm，在电子阻挡层上采用旋涂制备PVK:FIrpic:Zn0(58%:4%:38%)紫外光活性层(1500rpm，120nm)，并进行烘烤(100°C，15min);在紫外光活性层表面蒸镀制备空穴阻挡层BCP 5nm，在空穴阻挡层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)。在标准测试条件下:350nm，0.6mW/cm2紫外光，在-4V条件下，测得器件的响应度10.5A/W。
[0070]实施例十三
[0071]对由衬底及透明导电阳极ΙΤ0所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干;在透明导电阳极ΙΤ0表面蒸镀Mo0x 15nm制备阳极缓冲层，在阳极缓冲层上蒸镀电子阻挡层m-MTDATA 5nm，在电子阻挡层上采用旋涂制备PVK:FIrpic:Zn0(58%:6%:36%)紫外光活性层(1500rpm，120nm)，并进行烘烤(100°C，15min);在紫外光活性层表面蒸镀制备空穴阻挡层BCP 5nm，在空穴阻挡层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)。在标准测试条件下:350nm，0.6mW/cm2紫外光，在-4V条件下，测得器件的响应度10.5A/W。
[0072]实施例十四
[0073]对由衬底及透明导电阳极ΙΤ0所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干;在透明导电阳极ΙΤ0表面蒸镀Mo0x 15nm制备阳极缓冲层，在阳极缓冲层上蒸镀电子阻挡层m-MTDATA 5nm，在电子阻挡层上采用旋涂制备PVK:FIrpic:Zn0(58%:7%:35%)紫外光活性层(1500rpm，120nm)，并进行烘烤(100°C，15min);在紫外光活性层表面蒸镀制备空穴阻挡层BCP 5nm，在空穴阻挡层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)。在标准测试条件下:350nm，0.6mW/cm2紫外光，在-4V条件下，测得器件的响应度8.1A/W。
[0074]实施例十五
[0075]对由衬底及透明导电阳极ΙΤ0所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干;在透明导电阳极ΙΤ0表面蒸镀Mo0x 15nm制备阳极缓冲层，在阳极缓冲层上蒸镀电子阻挡层m-MTDATA 5nm，在电子阻挡层上采用旋涂制备PVK:FIrpic:Zn0(58%:8%:34%)紫外光活性层(1500rpm，120nm)，并进行烘烤(100°C，15min);在紫外光活性层表面蒸镀制备空穴阻挡层BCP 5nm，在空穴阻挡层上蒸镀金属阳极Ag(lOOnm)。在标准测试条件下:350nm，0.6mW/cm2紫外光，在-4V条件下，测得器件的响应度10.5A/W。
【主权项】
1.一种基于铱类配合物磷光材料掺杂的有机紫外探测器件，包括至下而上依次设置的透明衬底、导电阳极、阳极缓冲层、电子阻挡层、紫外光活性层、空穴阻挡层和金属阳极，其特征在于，所述紫外光活性层的组分及各个组分的重量百分比为: 电子给体56-60%; 电子受体34-39%; 铱类配合物磷光材料1_10%。2.根据权利要求1所述的基于铱类配合物磷光材料掺杂的有机紫外探测器件，其特征在于，所述铱类配合物磷光材料为双(4，6_ 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱。3.根据权利要求1所述的基于铱类配合物磷光材料掺杂的有机紫外探测器件，其特征在于，所述电子给体材料为聚乙烯基咔唑。4.根据权利要求1所述的基于铱类配合物磷光材料掺杂的有机紫外探测器件，其特征在于，所述电子受体材料为2，2’-(1，3_苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4_恶二唑]或氧化锌中的一种。5.根据权利要求1所述的基于铱类配合物磷光材料掺杂的有机紫外探测器件，其特征在于，所述透明衬底的材料为玻璃、透明聚合物柔性材料或者生物可降解的柔性材料中的一种或者多种;所述透明聚合物柔性材料为聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸中的一种或多种的组合。6.根据权利要求1所述的基于铱类配合物磷光材料掺杂的有机紫外探测器件，其特征在于，所述导电阳极材料为氧化铟锡、导电聚合物聚3，4_乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐、石墨烯或碳纳米管中的任意一种或多种的组合。7.根据权利要求1所述的基于铱类配合物磷光材料掺杂的有机紫外探测器件，其特征在于，所述阳极缓冲层材料为氧化钼或聚PEDOT:PSS，阳极缓冲层厚度为15nm。8.根据权利要求1所述的基于铱类配合物磷光材料掺杂的有机紫外探测器件，其特征在于，所述电子阻挡层为4，4’_环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺、N，N’_双(3-甲基苯基)-(1，1’_联苯)-4’_二胺、4，4’_双[N-(萘基)-N-苯基-氨基]联苯或4，4’，4，，-三0-3_甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯胺中的一种或多种的组合。9.根据权利要求1所述的基于铱类配合物磷光材料掺杂的有机紫外探测器件，其特征在于，所述空穴阻挡层为1，3 ,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、2,9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或者4，7_联苯-1，10-邻二氮杂菲中的一种或多种的组入口 ο10.根据权利要求1所述的基于铱类配合物磷光材料掺杂的有机紫外探测器件，其特征在于，所述金属阴极的材料是金属薄膜或合金薄膜，所述金属薄膜为锂、镁、钙、锶、铝或铟金属薄膜，所述合金薄膜为锂、镁、钙、锶、铝或铟与铜、金或银的合金；金属阴极厚度为100nmo
【专利摘要】本发明属于有机光电子技术领域，公开了一种基于铱类配合物磷光材料掺杂的有机紫外探测器件，用于解决机紫外探测器件光响应度低的问题。本发明包括至下而上的透明衬底、导电阳极、阳极缓冲层、电子阻挡层、紫外光活性层、空穴阻挡层和金属阳极，其特征在于，所述紫外光活性层的组分及各个组分的重量百分比为：电子给体？56-60%；电子受体？34-39%；铱类配合物磷光材料？1-10%。本发明的铱类配合物磷光材料具有较强的紫外光吸收，相对较长的磷光寿命及良好的热化学稳定性，与给受体混合材料有效组合，通过铱类配合物的磷光效应，将吸收的短波段的紫外光通过三线态能量传递给电子受体，提高激子的产生效率，提高器件光响应度。
【IPC分类】H01L51/42, H01L51/46
【公开号】CN105489763
【申请号】CN201510837022
【发明人】于军胜, 王晓, 王瀚雨, 钟建
【申请人】电子科技大学
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年11月26日