8]作为本发明的可变换实施例，在后所述阻隔层在所述基板上的投影面积不小于相邻在前所述阻隔层在所述基板上的投影面积，且在后所述阻隔层在所述基板上的投影覆盖在前所述阻隔层在基板上投影的部分边缘，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0039]作为本发明的一个实施例，本实施例中，如图3所示，第二阻隔层32在基板I上的投影覆盖第一阻隔层31在基板I上的投影的边缘区域与第三阻隔层33在基板I上的投影覆盖第二阻隔层32在基板I上的投影的边缘区域不同。
[0040]作为本发明的可变换实施例，相邻在后所述阻隔层在所述基板上的投影覆盖其对应相邻在先所述阻隔层在基板上投影的边缘区域不重合或不全重合，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0041]本实施例中第一阻隔层31为氮化硅层，厚度为10nm;第一平坦化层41为聚丙烯酸酯层，厚度为200nm ；第二阻隔层32为氮化娃层，厚度为10nm ；第二平坦化层42为聚丙稀酸酯层，厚度为200nm;第三阻隔层33为氮化硅层，厚度为10nm0
[0042]作为本发明的可变换实施例，任一所述阻隔层31、32、33的厚度为2011111?20011111，任一所述平坦化层41、42的厚度为10nm?5000nm;任一所述平坦化层41、42为有机层，优选为聚丙烯酸酯层、聚对二甲苯层、聚脲层、聚对苯二甲酸乙二醇酯层、聚萘二甲酸乙二醇酯层、聚苯乙烯层中的至少一种；任一所述阻隔层31、32、33为无机层，优选为氧化铝层、氧化硅层、氮化硅层、氧化钛层、氧化锆层、氮氧化铝层、氮氧化硅层、非晶碳层中的至少一种，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0043]作为本发明的可变换实施例，所述阻隔层、所述平坦化层的数量不限于此，至少两层阻隔层、一层平坦化层在基板上形成层叠、间隔结构，均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0044]本实施例提供一种封装方法，如图4所示，包括如下步骤:
[0045]S01、利用掩膜板5，通过掩膜工艺，在基板I上直接形成覆盖发光层2的第一阻隔层31ο
[0046]作为本发明的一个实施例，本实施例中第一阻隔层31通过化学气相沉积工艺(CVD)制备。
[0047]S02、在第一阻隔层31远离基板I的表面形成第一平坦化层41。
[0048]作为本发明的一个实施例，本实施例中第一平坦化层41通过喷墨打印工艺制备。
[0049]S03、如图5所示，利用掩膜板5，通过掩膜补偿功能，在第一阻隔层31上直接形成覆盖第一平坦化层41以及第一阻隔层31远离基板I的表面和侧壁部分区域的第二阻隔层32。如图5中任一箭头方向所示，掩膜补偿功能中掩膜板5的补偿方向是远离掩膜的中心方向。
[0050]作为本发明的一个实施例，本实施例中第二阻隔层32为氮化硅层，厚度为lOOnm，通过化学气相沉积工艺(CVD)制备。
[0051]通过掩膜补偿的方法实现在后的第二阻隔层32覆盖在先的第一阻隔层31，使得步骤S03和步骤SOl能够共用同一个掩膜板5，不但能够有效减少掩膜板数量，降低掩膜板成本。而且，能够实现共用多个制备腔室，有效节约了生产时间，提高了产能；同时，提高了设备灵活性。
[0052]S04、在第二阻隔层32远离基板I的表面形成第二平坦化层42;作为本发明的一个实施例，本实施例中第二平坦化层42为聚丙烯酸酯层，厚度为200nm，通过喷墨打印工艺制备。
[0053]S05、通过掩膜补偿功能，在第二阻隔层32上直接形成覆盖第二平坦化层42以及第二阻隔层32远离基板I的表面和侧壁部分区域的第三阻隔层33。如图4中箭头方向所示，掩膜补偿功能中掩膜板5的补偿方向是远离掩膜板的中心方向，且本步骤中，掩膜补偿方向与步骤S03中的补偿方向不同。
[0054]作为本发明的一个实施例，本实施例中第三阻隔层33为氮化硅层，厚度为lOOnm，通过化学气相沉积工艺(CVD)制备。
[0055]所述平坦化层41、42的制备方法选自但不限于旋转涂布、狭缝涂布、喷墨打印-紫外固化、闪蒸发-紫外固化、化学气相沉积、气相聚合、等离子体聚合中的至少一种;所述阻隔层31、32、33的制备方法选自但不限于直流溅射、射频溅射、反应溅射、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积中的至少一种;均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0056]作为本发明的可变换实施例，采用掩膜补偿功能制备的阻隔层数量不限于此，至少一层在后所述阻隔层通过掩膜补偿功能制备，且所述阻隔层通过掩膜工艺制备，在后所述阻隔层覆盖在前所述阻隔层远离基板的表面和侧壁，并延伸至所述基板上，均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0057]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
【主权项】
1.一种薄膜封装结构，包括若干层叠并间隔设置在基板上的平坦化层和阻隔层；其特征在于，在后所述阻隔层在所述基板上的投影面积不小于相邻在前所述阻隔层在所述基板上的投影面积;且在后所述阻隔层在所述基板上的投影覆盖在前所述阻隔层在基板上投影的部分边缘。2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，相邻在后所述阻隔层在所述基板上的投影覆盖其对应相邻在先所述阻隔层在基板上投影的边缘区域不重合或不全重合。3.根据权利要求1或2所述的薄膜封装结构，其特征在于，任一所述阻隔层的厚度为20nm?200nm;任一所述平坦化层的厚度为100nm?5000nm。4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜封装结构，其特征在于，任一所述平坦化层为有机层，任一所述的阻隔层为无机层。5.根据权利要求4所述的薄膜封装结构，其特征在于，任一所述平坦化层为聚丙烯酸酯层、聚对二甲苯层、聚脲层、聚对苯二甲酸乙二醇酯层、聚萘二甲酸乙二醇酯层、聚苯乙烯层中的至少一种;任一所述阻隔层为氧化铝层、氧化硅层、氮化硅层、氧化钛层、氧化锆层、氮氧化铝层、氮氧化硅层、非晶碳层中的至少一种。6.一种薄膜封装方法，步骤为:在基板上形成若干层叠并间隔设置的平坦化层与阻隔层;其特征在于，所述阻隔层通过掩膜工艺制备，且至少一层在后所述阻隔层通过掩膜补偿(mask offset)功能制备，使得在后所述阻隔层在所述基板上的投影覆盖在前所述阻隔层在基板上投影的部分边缘。7.根据权利要求6所述的薄膜封装方法，其特征在于，包括如下步骤: 51、利用掩膜板，通过掩膜工艺，在所述基板上直接形成第一阻隔层； 52、利用所述掩膜板，通过掩膜补偿功能在所述第一阻隔层上形成第二阻隔层至第N阻隔层，N为大于2的自然数。8.根据权利要求6或7所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述掩膜补偿功能中所述掩膜补偿的方向是远离所述掩膜板的中心方向。9.根据权利要求6-8任一项所述的薄膜封装方法，其特征在于，相邻两次所述掩膜补偿步骤的补偿方向不同。10.根据权利要求6-9任一项所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述平坦化层的制备方法为喷墨打印-紫外固化、闪蒸发-紫外固化、化学气相沉积、气相聚合、等离子体聚合中的至少一种;所述阻隔层的制备方法为直流溅射、射频溅射、反应溅射、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积中的至少一种。
【专利摘要】本发明所述的一种薄膜封装结构，包括若干层叠并间隔设置在基板上的平坦化层和阻隔层；在后所述阻隔层在所述基板上的投影面积不小于相邻在前所述阻隔层在所述基板上的投影面积；且在后所述阻隔层在所述基板上的投影覆盖在前所述阻隔层在基板上投影的部分边缘。相邻所述阻隔层之间的缝隙不全暴露于外部环境中，有效阻挡水氧的横向穿透，封装效果好。本发明所述的薄膜封装方法，通过掩膜补偿的方法实现在后阻隔层覆盖在先阻隔层，不但能够有效减少掩膜板数量，降低掩膜板成本。而且，能够实现共用多个制备腔室，有效节约了生产时间，提高了产能；同时，提高了设备灵活性。
【IPC分类】H01L51/52, H01L51/48, H01L51/44, H01L51/56
【公开号】CN105514298
【申请号】CN201511028107
【发明人】赵杨
【申请人】固安翌光科技有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月31日