薄膜封装方法及有机发光装置的制造方法

文档序号:9398306阅读:474来源:国知局
薄膜封装方法及有机发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机发光设备领域,特别是涉及一种薄膜封装方法及使用该薄膜封装方法制成的有机发光装置。
【背景技术】
[0002]OLED(有机发光二极管,Organic Light-Emitting D1de)的显示技术具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性,因此受到广泛的关注,并作为新一代的显示方式,已开始逐渐取代传统IXD (液晶显示器,Liquid Crystal Display),被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。其中,OLED柔性显示技术采用非常薄的有机材料发光层和柔性基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水氧反应,很少量的水蒸气和氧气就能损害有机发光材料,使器件的发光性能劣化。因此,柔性OLED显示器不仅要求基板具有可弯曲的特点,同时应具有良好的水氧阻隔性。
[0003]目前柔性OLED显示器的封装方法一般使用有机/无机材料堆叠形式形成的薄膜封装。但若有机/无机材料的表面粘附性不好,则可能导致在一定的弯曲次数以后,出现两种材料剥离,从而导致封装失效的现象。

【发明内容】

[0004]本发明提供一种薄膜封装方法及有机发光装置,主要解决现有技术无机/有机材料堆叠时,有机/无机材料的表面粘附性不好,导致在一定的弯曲次数以后,出现两种材料剥离,从而导致封装失效等技术问题。
[0005]为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种薄膜封装方法,其包括如下步骤:在TFT基板上形成OLED层;在OLED层上形成第一无机封装层;在第一无机封装层上形成偶联剂单元;在偶联剂单元上形成有机封装层;其中,有机封装层包括依次形成于偶联剂单元上的缓冲子层和阻挡子层,偶联剂单元与第一无机封装层、缓冲子层发生化学反应以提高第一无机封装层与有机封装层之间的粘合强度。
[0006]其中,偶联剂单元成份的化学通式为Y (CH) nX3,其中,X为可水解的基团,水解时生成硅醇,且X与无机物质结合生成硅氧烷;n为正整数,数值范围为O?3 ;Y为有机官能团,与高分子聚合物发生化学反应生成氢键。
[0007]其中,X为甲氧基、氯基、乙氧基、乙酰氧基或甲氧基乙氧,Y为乙烯基、氨基、甲基丙烯酰氧基、巯基或脲基。
[0008]其中,有机封装层的化学通式为S1xCyHz,厚度为100nm?5000nm。
[0009]其中,缓冲子层通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成于偶联剂单元上,沉积缓冲子层使用的气体流量比例为O2=HMDSO < 3:1,其中,HMDSO的射频功率为200?800W,HMDSO的流量为10?50sccm,O2的射频功率为200?800W,时间为10?50min。
[0010]其中,阻挡子层通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成于缓冲子层上,沉积缓冲子层使用的气体流量比例为3:1 < 02:HMDS0〈18:1,其中,HMDSO的射频功率为200?800W,HMDSO的流量为10?50sccm,O2的射频功率为200?800W,沉积时间为< 2min,沉积厚度为10?50nmo
[0011]其中,第一无机封装层成份为S12,第一无机封装层通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成,沉积第一无机封装层使用的气体流量比例为N2O:SiH4>2:1,其中,SiH^射频功率为10?100W,SiHj^流量为10?50sccm,N2O的射频功率为10?100W,沉积时间为10?20min,沉积厚度为10?50nm。
[0012]其中,第一无机封装层成份为SiNx,第一无机封装层通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成,沉积第一无机封装层使用的气体流量比例为(N2+NH3): SiH4>2:1,其中,SiH4的射频功率为10?100W,SiHj^流量为10?50sccm,N2的射频功率为10?100W,NH3的射频功率为10?100W,沉积时间为10?20min,沉积厚度为10?50nm。
[0013]其中,第一无机封装层成份为S1Nx,第一无机封装层通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成,沉积第一无机封装层使用的气体流量比例为(N2+NH3+N02):SiH4>2:1,其中,SiH4的射频功率为10?100W,SiHj^流量为10?50sccm,N2的射频功率为10?100W,NH3的射频功率为10?100W,沉积时间为10?20min,沉积厚度为10?50nm。
[0014]其中,在偶联剂单元形成有机封装层的步骤之后还包括:在有机封装层上形成第二无机封装层。
[0015]为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种有机发光装置,其通过上述的薄膜封装方法制成。
[0016]本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明的有机发光装置及薄膜封装方法,在第一无机封装层与缓冲子层之间设置偶联剂单元以提高所述第一无机封装层与所述有机封装层之间的粘合强度,使之不易剥离,具有良好的水氧阻隔性。
【附图说明】
[0017]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图,其中:
[0018]图1是本发明一实施例的薄膜封装方法的制作过程示意图;
[0019]图2是本发明另一实施例的薄膜封装方法的制作过程示意图;
[0020]图3是本发明另一实施例的薄膜封装方法的制作过程示意图;
[0021]图4是本发明一实施例有机发光装置的截面结构示意图;
[0022]图5是图4中有机发光装置的TFT基板结构示意图
[0023]图6是图4中有机发光装置的OLED层结构示意图;
[0024]图7是本发明另一实施例有机发光装置的截面结构示意图;
[0025]图7a是本发明另一实施例有机发光装置的截面结构示意图;
[0026]图8是本发明另一实施例有机发光装置的截面结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,均属于本发明保护的范围。
[0028]请参阅图1,图1是本发明一实施例的薄膜封装方法的制作过程示意图,本发明的薄膜封装方法具体包括如下步骤:
[0029]SlO:在 TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)基板上形成 OLED 层;
[0030]具体地,本实施例是通过真空蒸镀或喷墨打印等方法使OLED层层叠形成于TFT基板上,其中,使用喷墨打印方法时,OLED层在惰性氛围中完成,OLED层的水氧含量〈lOppm。
[0031]TFT基板包括柔性玻璃基板和形成于柔性玻璃基板的TFT,柔性玻璃基板是一种轻薄透明的玻璃,人们可以轻松将其压弯。TFT用于驱动OLED层。OLED层包括依次层叠形成于柔性玻璃基板上的正极子层、空穴传输子层、发光子层、电子传输子层以及金属阴极子层,其中,正极子层与电源正极电连接,金属阴极子层与电源负极电连接。当电源供应至适当电压时,正极子层的空穴与阴极子层的电荷就会在发光子层中结合,产
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