生光亮，依发光子层的成份不同产生红、绿以及蓝(RGB)三原色，构成基本色彩，以使得OLED层发出可见光。
[0032]S20:在OLED层上形成第一无机封装层；
[0033]第一无机封装层成份为S12,第一无机封装层通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成，沉积第一无机封装层使用的气体流量比例为N2O:SiH4>2:1，其中，SiHj^射频功率为10?100W，SiHj^流量为10?50sccm，N2O的射频功率为10?100W，第一无机封装层的沉积时间为10?20min，沉积厚度为10?50nm，反应室气体压力为50?500Pa。
[0034]当然，在其它实施例中，第一无机封装层成份还可以为SiNx,第一无机封装层通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成，沉积第一无机封装层使用的气体流量比例为(N2+NH3):SiH4>2:1，其中，SiH4的射频功率为 10 ?100W，SiHj^流量为 10 ?50sccm，N2的射频功率为10?100W，NH3的射频功率为10?100W，第一无机封装层的沉积时间为10?20min，沉积厚度为10?50nm，反应室气体压力为50?500Pa。
[0035]当然，在其它实施例中，第一无机封装层成份为还可以为S1Nx，第一无机封装层通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成，沉积第一无机封装层使用的气体流量比例为(N2+NH3+N02):SiH4>2:l，其中，SiH4 的射频功率为 10 ?100W，SiHj^流量为 10 ?50sccm，N2的射频功率为10?100W，NH3的射频功率为10?100W，第一无机封装层的沉积时间为10?20min，沉积厚度为10?50nm，反应室气体压力为50?500Pa。
[0036]S30:在第一无机封装层上形成偶联剂单元；
[0037]偶联剂单元成份的化学通式为Y(CH)nX3，其中，X为可水解的基团，水解时生成硅醇(Si (OH) 3)，且X与无机物质结合生成硅氧烷；n为正整数，数值范围为O?3 ;Y为有机官能团，与高分子聚合物发生化学反应生成氢键并溶于其中。X可以为甲氧基、氯基、乙氧基、乙酰氧基或甲氧基乙氧，Y可以为乙烯基、氨基、甲基丙烯酰氧基、巯基或脲基，其可以与有机物质反应。
[0038]偶联剂单元可通过真空蒸镀成膜或旋涂成膜等方法层叠形成于第一无机封装层上，若使用真空蒸镀方法形成偶联剂单元，那么TFT基板温度〈100°C，真空度要求为5 X 10E-5Pa。若使用旋涂成膜方法形成偶联剂单元，那么水氧含量控制在〈lOppm，且通过烘烤使之固化成膜，烘烤温度<100°c。本实施例中的偶联剂单元的厚度〈lOOnm。
[0039]本实施例中的偶联剂单元的外沿与第一无机封装层的外沿平齐，当然，在其它实施例中，也可以是偶联剂单元的外沿比第一无机封装层的外沿大或小。
[0040]S40:在偶联剂单元上形成有机封装层；
[0041]有机封装层包括依次在偶联剂单元上形成的缓冲子层和阻挡子层，偶联剂单元与第一无机封装层、缓冲子层发生化学反应以提高第一无机封装层与有机封装层之间的粘合强度。其中，有机封装层的化学通式为S1xCyHz，厚度为100nm?5000nm。
[0042]缓冲子层以有机成分为主，其可以通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成于偶联剂单元上，沉积缓冲子层使用的气体流量比例为O2=HMDSO(六甲基二硅氧烷)< 3:1，其中，HMDSO的射频功率为200?800W，HMDSO的流量为10?50sccm，O2的射频功率为200?800W，缓冲子层的沉积时间为10?50min，反应室气体压力为30?200Pa。
[0043]阻挡子层以有机成分为主，例如5102等，其可以通过等离子体增强化学气相沉积法沉积形成于缓冲子层上，沉积缓冲子层使用的气体流量比例为3:1 < 02:HMDS0〈18:1，其中，HMDSO的射频功率为200?800W，HMDSO的流量为10?50sccm，O2的射频功率为200?800W，阻挡子层的沉积时间为< 2min，沉积厚度为10?50nm，反应室气体压力为30?200Pao
[0044]本实施例中的缓冲子层层叠于偶联剂单元上，缓冲子层的外沿与偶联剂单元的外沿平齐，当然，在其它实施例中，也可以是缓冲子层的外沿比偶联剂单元的外沿大或小。
[0045]S50:在有机封装层上形成第二无机封装层。
[0046]第二无机封装层层叠形成于有机封装层上，且裹覆于有机封装层、偶联剂单元、第一无机封装层以及OLED层的外沿。
[0047]在其它实施例中，S50步骤之后可重复S10-50步骤，以形成多个薄膜封装装置。
[0048]本实施例中的偶联剂单元(Y(CH)nX3)分子结构具有两不同化学性质官能团，即为可水解的基团X、有机官能团Y，X基团为亲无机物的基团，易与无机物表面起化学反应；Y基团为亲有机物的基团，能与高分子聚合物发生化学反应或生成氢键溶于其中，X基团与第一无机封装层发生化学反应，Y基团与缓冲子层发生化学反应，从而以改善无机物与有机物之间的界面作用，增强无机层与有机层的粘附性。
[0049]值得说明的是，本发明在离子体增强化学气相沉积法形成有机封装层过程中，通过控制氧化剂(即，CV^HMDSO)的含量，一方面，使缓冲子层与偶联剂接触部分保持缓冲性质，包裹杂质小颗粒，填充第一无机封装层产生的小孔洞，能降低膜层应力，实现平坦化等功能，且可增加柔性玻璃基板的可弯次数等作用；另一方面，使缓冲子层在与下一层第一无机封装层接触的部分更接近无机的性质，以此提高其与第一无机封装层的粘附性。
[0050]请参阅图2，图2是本发明另一实施例的薄膜封装方法的制作过程示意图，本实施例与上述实施例大体相同，不同的是偶联剂单元的形成位置，本实施例中的薄膜封装方法具体包括如下步骤:
[0051]SlO’:在TFT基板上形成OLED层；
[0052]S20’:在OLED层上形成第一无机封装层；
[0053]本实施例中的第一无机封装层层叠形成于OLED层上，并裹覆OLED层的外沿。
[0054]S30’:在第一无机封装层的外沿上形成第一偶联剂子单元；
[0055]本实施例的第一偶联剂子单元不是层叠形成于第一无机封装层，而是形成于第一无机封装层的外沿。
[0056]S40’:在第一无机封装层上形成有机封装层；
[0057]本实施例的有机封装层包括依次层叠形成于第一无机封装层上的缓冲子层和阻挡子层；
[0058]S41:在缓冲子层的外沿形成第二偶联剂子单元；
[0059]第二偶联剂子单元形成于缓冲子层的外沿并由上至下延伸至第一偶联剂子单元以与第一偶联剂子单元形成一体。第一偶联剂子单元、第二偶联剂子单元分别与第一无机封装层、缓冲子层发生化学反应以提高第一无机封装层与缓冲子层之间的粘合强度。
[0060]S50’:在有机封装层上形成第二无机封装层。
[0061]请参阅图3，图3是本发明另一实施例的薄膜封装方法的制作过程示意图，本实施例与上述实施例大体相同，不同的是偶联剂单元的形成位置，本实施例中的薄膜封装方法具体包括如下步骤:
[0062]SlO”:在TFT基板上形成OLED层；
[0063]S20”:在OLED层上形成第一无机封装层；
[0064]S30”:在第一无机封装层上形成有机封装层，有机封装层包括依次层叠形成于第一无机封装层上的缓冲子层和阻挡子层；
[0065]缓冲子层的外