一种oled薄膜封装结构及其封装方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机电致发光显示领域，特别是涉及一种OLED薄膜封装结构及其封装方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管又称为有机电激光显示(Organic Light-Emitting D1de，OLED)，是新一代的显示器，通过在OLED基板上制作有机薄膜，其中有机薄膜被包在阴极和阳极金属之间，给两电极加电压，则有机薄膜会发光。OLED显示器有诸多优点，其中包括可实现柔性显示。如以可绕曲的塑胶基板等为载体，再配合薄膜封装制程，即可实现可绕曲的OLED面板。
[0003]目前OLED薄膜封装主要采用钝化层和缓冲层叠层的结构，钝化层一般采用无机材料，如SiNx ;缓冲层常采用有机或偏有机类材料。
[0004]因整体薄膜封装厚度为微米级，且无机膜厚时应力较大，在弯折时易发生断裂，水氧气会透过这个断裂处老化OLED器件，使得柔性OLED器件封装部分的耐弯折性能变差。
【发明内容】
[0005]本发明主要解决的技术问题是提供一种OLED薄膜封装结构及其封装方法、显示装置，能够增强柔性OLED器件封装部分的弯折性能。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种OLED器件封装结构，封装结构包括:衬底基板；位于衬底基板上的OLED器件；覆盖OLED器件的第一钝化层；其中，第一钝化层上远离OLED器件的一面包括至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的厚度。
[0007]其中，减薄区包括多条纵横交错的带状区域。
[0008]其中，减薄区包括多个间隔交替设置的矩形区域。
[0009]其中，封装结构还包括覆盖第一钝化层的第二钝化层；第二钝化层上远离OLED器件的一面包括至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第二钝化层的厚度。
[0010]其中，第一钝化层的减薄区与第二钝化层的减薄区间隔交错设置。
[0011]其中，第一钝化层和第二钝化层之间还包括缓冲层，缓冲层靠近OLED器件的一面包括至少一个加厚区，用于与第一钝化层的减薄区贴合。
[0012]为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示装置，显示装置包括如上任一项的OLED器件封装结构。
[0013]为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是:提供一种OLED器件封装方法，封装方法包括:提供一衬底基板；在衬底基板上制作一 OLED器件；在OLED器件上覆盖一第一钝化层；在第一钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的正常厚度。
[0014]其中，在第一钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的正常厚度的步骤之后，还包括:在第一钝化层上形成一缓冲层；在缓冲层上形成一第二钝化层；在第二钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第二钝化层的正常厚度。
[0015]其中，第一钝化层的减薄区与第二钝化层的减薄区间隔交错设置。
[0016]本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况，本发明公开的封装结构包括衬底基板、位于衬底基板上的OLED器件以及覆盖OLED器件的第一钝化层；其中，第一钝化层上远离OLED器件的一面包括至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的厚度。通过上述方式，使得整个封装结构在弯折时第一钝化层不会因为本身的应力较大而产生断裂，保证了柔性OLED耐弯折性。
【附图说明】
[0017]图1是本发明OLED器件封装结构第一实施方式的结构示意图；
[0018]图2是本发明OLED器件封装结构第二实施方式的结构示意图；
[0019]图3是本发明OLED器件封装结构第二实施方式中第一钝化层的俯视结构示意图；
[0020]图4是本发明OLED器件封装结构第二实施方式中第二钝化层的俯视结构示意图；
[0021]图5是本发明OLED器件封装结构第二实施方式中第一钝化层制作过程中掩膜板的结构示意图；
[0022]图6是本发明OLED器件封装结构第二实施方式中第一钝化层制作过程中掩膜板中半镂空区的结构示意图；
[0023]图7是本发明OLED器件封装结构第二实施方式中第一钝化层的另一俯视结构示意图；
[0024]图8是本发明OLED器件封装方法第一实施方式的流程图；
[0025]图9是本发明OLED器件封装方法第二实施方式的流程图；
[0026]图10是本发明显示装置一实施的结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]参阅图1，本发明OLED器件封装结构第一实施方式的结构示意图，该封装结构包括:衬底基板110 ;位于衬底基板110上的OLED器件120 ;覆盖OLED器件120的第一钝化层130 ;其中，第一钝化层130上远离OLED器件120的一面包括至少一个减薄区131，减薄区131的厚度小于第一钝化层130的厚度。
[0028]其中，衬底基板110—般是玻璃基板，在制作柔性的OLED面板时，也可以采用可弯折的塑料基板。
[0029]该OLED器件120包括阳极、阴极以及该阳极和阴极之间的电致发光材料，当阳极和阴极通电时，发光材料发光显示。
[0030]该第一钝化层130 —般采用金属氧化物、金属硫化物或金属氮化物等无机材料制作，例如金属氧化物包括氧化妈、五氧化二钽、二氧化钛、二氧化错、氧化铜、氧化锌、三氧化一-fp、二氧化一■络、一■氧化锡、氧化银、五氧化一■铺；金属硫化物包括一■硫化钦、硫化铁、二硫化二铬、硫化铜、硫化锌、二硫化锡、硫化镍、三硫化二钴、三硫化二锑、硫化铅、三硫化二镧、硫化铈、二硫化锆等，金属氮化物包括氮化硅、氮化铝等。
[0031]第一钝化层130可以是采用真空蒸镀、离子束溅射、磁控溅射沉积、化学气相沉积或原子层沉积等制备方法形成，在制作过程中，入射粒子流与衬底基板的法线的夹角为可以根据其实情况设定，当夹角为0°时，第一钝化层130的表面平滑、排列致密。
[0032]减薄区131可以是在制作好第一钝化层130后，在第一钝化层130的上表面利用光刻和刻蚀的工艺形成的，也可以是通过改良掩膜板，在形成第一钝化层130的过程中就额外形成一部分较薄的钝化层以形成减薄区131。
[0033]当然，该减薄区131可以不仅仅是如图1中所示的形状和数量，也可以增加减薄区131的数量并改变减薄区131的外形；另外，钝化层和缓冲层的数量也不限于本实施方式列举的层数，还可以根据实际情况再增加多层钝化层和缓冲层都是可以的。
[0034]由于第一钝化层130上有部分减薄区131，在弯曲时边缘部分不会产生挤压，导致整个封装结构在弯折时第一钝化层130不会因为本身的应力较大而产生断裂。
[0035]区别于现有技术，本实施方式公开的封装结构包括衬底基板、位于衬底基板上的OLED器件以及覆盖OLED器件的第一钝化层；其中，第一钝化层上远离OLED器件的一面包括至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的厚度。通过上述方式，使得整个封装结构在弯折时第一钝化层不会因为本身的应力较大而产生断裂，保证了柔性OLED耐弯折性。
[0036]参阅图2，本发明OLED器件封装结构第二实施方式的结构示意图，该封装结构包括:衬底基板210 ;位于衬底基板210上的OLED器件220 ;覆盖OLED器件220的第一钝化层230 ;覆盖第一钝化层230的缓冲层240 ;覆盖缓冲层240的第二钝化层250。
[0037]其中，第一钝化层230上远离OLED器件220的一面包括至少一个减薄区231，减薄区231的厚度小于第一钝化层230的厚度；第二钝化层250上远离OLED器件220的一面包括至少一个减薄区251